A multi wavelength silicon hybrid integrated slot semiconductor laser and its preparation method, multi wavelength silicon hybrid integrated slot laser integrated light source comprises a silicon waveguide structure and bonding multimode semiconductor laser array gain, the structure of the silicon waveguide which comprises silicon waveguides: silicon substrate. N stripe waveguide channel, arranged on the silicon substrate, a waveguide channel including the order set of silicon waveguide part, taper part and slot part, slot part of the width of the waveguide channels are different, wherein n = 2, n is a positive integer, multimode interference coupler is arranged on the silicon based on the substrate, and the waveguide group is connected with at least one channel waveguide and multimode interference coupler.
【技术实现步骤摘要】
多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法
本专利技术属于光电子领域,特别涉及一种多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法。
技术介绍
在硅基光子学中,硅基光子集成芯片与以InP基为代表的的三五族化合物半导体光子集成芯片的构成基本相一致,简单划分包含有光源、调制器、探测器、无源光波导、耦合器等,对于硅材料来说其中最难以解决的就是硅基光源的问题,本征的硅材料是间接带隙材料,其发光效率很低,完全不能用作光互连中的光源。
技术实现思路
鉴于上述技术问题,为了克服上述现有技术的不足,本专利技术提出了一种多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法。根据本专利技术的一个方面,提供一种多波长硅基混合集成slot激光器集成光源,包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列,其中,所述硅基波导结构包括:硅基衬底,n条波导通道,设置在所述硅基衬底上,每一波导通道包括顺序设置的硅波导部分、taper部分以及slot部分,所述各波导通道的slot部分的宽度均不同,其中n≥2,n为正整数,多模干涉耦合器,设置在所述硅基衬底上,以及弯曲波导组,连接至少一条波导通道及多模干涉耦合器。根据本专利技术的另一方面,提供一种多波长硅基混合集成slot激光器集成光源的制备方法,包括:制备硅基波导结构及多模半导体增益激光器阵列,以及将多模半导体增益激光器阵列键合至所述硅基波导结构上,其中所述硅基波导结构包括:硅基衬底,n条波导通道,设置在所述硅基衬底上,每一波导通道包括顺序设置的硅波导部分、taper部分以及slot部分,所述各波导通道的slot ...
【技术保护点】
一种多波长硅基混合集成slot激光器集成光源,包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列,其中,所述硅基波导结构包括:硅基衬底,n条波导通道,设置在所述硅基衬底上,每一波导通道包括顺序设置的硅波导部分、taper部分以及slot部分,所述各波导通道的slot部分的宽度均不同,其中n≥2,n为正整数,多模干涉耦合器,设置在所述硅基衬底上,以及弯曲波导组,连接至少一条波导通道及多模干涉耦合器。
【技术特征摘要】
1.一种多波长硅基混合集成slot激光器集成光源,包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列,其中,所述硅基波导结构包括:硅基衬底,n条波导通道,设置在所述硅基衬底上,每一波导通道包括顺序设置的硅波导部分、taper部分以及slot部分,所述各波导通道的slot部分的宽度均不同,其中n≥2,n为正整数,多模干涉耦合器,设置在所述硅基衬底上,以及弯曲波导组,连接至少一条波导通道及多模干涉耦合器。2.根据权利要求1所述的多波长硅基混合集成slot激光器集成光源,其中,所述硅基衬底上设置有二氧化硅层,所述n条波导通道、多模干涉耦合器及弯曲波导组设置在所述二氧化硅层上。3.根据权利要求1所述的多波长硅基混合集成slot激光器集成光源,其中,所述n条波导通道平行设置,每条波导通道两侧均设置有键合金属层,用于键合所述多模半导体增益激光器阵列。4.根据权利要求3所述的多波长硅基混合集成slot激光器集成光源,其中所述的多模半导体增益激光器阵列包括n个相互连接的掩埋脊波导激光器单体,与所述n条波导通道一一对应。5.根据权利要求4所述的多波长硅基混合集成slot激光器集成光源,其中所述掩埋脊波导激光器单体包括掩埋脊波导InGaAsP激光器。6.根据权利要求1所述的多波长硅基混合集成slot激光器集成光源,其中,所述多模干涉耦合器包括一输出波导、多模干涉耦合器本体以及至少一输入波导,所述弯曲波导组连接至少一条波导通道至至少一输入波导。7.一种多波长硅基混合集成slot激光器集成光源的制备方法,其中,包括:制备硅基波导结构及多模半导体增益激光器阵列,以及将多模半导体增益激光器阵列键合至所述硅基波导结构上,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴兴,李梦珂,李雅博,李召松,周旭亮,于红艳,潘教青,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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