一种OLED中发光层原料的处理方法及应用技术

本发明专利技术提供了一种OLED中发光层原料的处理方法，包括以下步骤：(1)提供发光层原料，所述发光层原料包括主发光体和客发光体，在通有保护气体的真空手套箱中，将所述主发光体、客发光体及无水乙醇加入到聚四氟乙烯内衬中，混合均匀，并将内衬放入到高压反应釜中，在40～60℃的温度下处理18～36小时，得到处理液；(2)将所述预处理液进行离心，收集沉淀，并对所得沉淀进行干燥，得到处理后的发光层原料。得到的处理后的发光层原料实现了主发光体和客发光体的充分混合和分散，且不影响后续采用真空蒸镀法来形成发光层，更重要的是，可以保证两者在真空蒸镀中同比例地耗散，保持发光层要较高的发光效率。本发明专利技术还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。

Method and application for treating raw material of luminous layer in OLED

The invention provides a method for processing a OLED light emitting layer material, which comprises the following steps: (1) providing a light emitting layer material, the light-emitting layer material comprises a main luminous body and luminous body, in a vacuum glove box generic protective gas, the main luminous body, guest emitter and ethanol added to the Teflon lined, mixed evenly, and the liner into the autoclave, at 40 to 60 DEG C temperature 18 ~ 36 hours, get the solution; (2) the pretreatment liquid centrifugal, collecting precipitation, and the precipitation of dry, light emitting layer material after the treatment. Obtained after the processing of the raw material emitting layer to achieve the main luminous body and the luminous body off the full mixing and dispersion, and does not affect the subsequent by vacuum evaporation to form a light emitting layer, and more importantly, can guarantee both in vacuum evaporation in the same proportion to the dissipation of light emitting layer to maintain high luminous efficiency. The invention also provides a method for preparing an organic electroluminescent device.

【技术实现步骤摘要】
一种OLED中发光层原料的处理方法及应用
本专利技术涉及OLED
，具体涉及一种OLED中发光层原料的处理方法及应用。
技术介绍
有机电致发光二极管(OLED)由于具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，其潜在的市场前景被业界看好。基本的OLED的结构主要包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，而OLED的发光层具有浓度淬灭效应，若以单一发光材料作为发光层的话，会极大降低其发光效率。目前OLED发光层一般采用主发光体(host，主体)与客发光体(dopant，掺杂剂)搭配共蒸镀而形成。真空蒸镀是将待成膜的物质置于真空环境中进行蒸发或升华，使之在基底表面析出的过程，其大致包括即热蒸发过程、气化原子或分子在环境气氛中的飞行过程和沉积过程。而在进行蒸镀之前，dopant与host的掺杂比例，一般是事先设计成能最大程度增大发光效率的比例，然而在蒸镀过程的气化原子或分子的飞行过程中时，由于Host材料和Dopant材料的耗散比例不同，会导致最终发光材料的掺杂比例变化，进而引起发光效率降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种OLED中发光层原料的处理方法，该方法通过对要形成发光层的原料Host和Dopant进行醇热处理，得到处理后的发光层原料，这样可以使这两种材料后期在真空蒸镀形成发光层时，可以同比例耗散，几乎不改变真空蒸镀前设计好的最优掺杂比例，减轻对发光效率的影响。第一方面，本专利技术提供了一种OLED中发光层原料的处理方法，包括以下步骤：(1)提供发光层原料，所述发光层原料包括主发光体和客发光体，在通有保护气体的真空手套箱中，将所述主发光体、客发光体及无水乙醇加入到聚四氟乙烯内衬中，混合均匀，得到一混合液，并将内衬放入到高压反应釜中，在40～60℃的温度下处理18～36小时，得到处理液；(2)将所述预处理液进行离心，收集沉淀，并对所得沉淀进行干燥，得到处理后的发光层原料。本申请中，所述处理后的发光层原料可以用于真空蒸镀制得有机电致发光器件。在本专利技术第一方面提供的处理方法的条件下，所述发光层原料-主发光体(Host)和客发光体(Dopant)并没有充足的能量来完成结晶化，但却可以实现两者更充分的混合和分散，且不会影响后续采用真空蒸镀法来形成发光层，更重要的是，可以保证所述处理后的Host和Dopant即使在蒸镀过程中有材料耗散，也是同比例地耗散而不会影响到最终发光层的发光效率，利于激子形成的区域均匀分布整个发光层，有助于提高OLED器件的性能和使用寿命。本申请中，所述处理时的温度不能太高，以免所述Host和Dopant不能有效气化，从而导致不能蒸镀成发光层。进一步地，所述处理的温度为40～55℃。优选地，所述处理的时间为20-30小时。所述醇热法处理的时间也不能太长，以免影响Host和Dopant不能有效蒸镀成发光层。其中，所述无水乙醇在所述聚四氟乙烯内衬中的填充度为70-80％。即，所述无水乙醇的体积为所述聚四氟乙烯内衬体积的75-80％。其中，步骤(1)中，所述主发光体在所述混合液中的浓度为0.2～0.6mol/L。优选地，所述客发光体的质量不超过所述主发光体的质量的3％。具体地，所述通有保护气体的真空手套箱是先对手套箱抽真空，之后通入保护气体。具体地，在实验之前，将所述发光层原料、无水乙醇，高压反应釜及内衬均事先放入到手套箱中，对手套箱抽真空，之后通入保护气体。其中，所述保护气体包括氮气和氩气中的一种或多种。优选地，所述离心的转速为8000～10000r/min。例如，离心的转速可以为8500、9000、9500r/min；离心的时间可以是5-20min。本专利技术中，所述主发光体(Host)和客发光体(Dopant)均为OLED领域常见的发光材料，所述这两者的能级相匹配，可以使得形成的发光层内能达到良好载流子运输平衡、dopant和host之间的能量转移。所述Host具有电子输送能量，可以有效使电子与空穴的复合激发向dopant的发光转换。所述Dopant优选为在室温产生来自三重线激发状态的发光的物质。优选地，所述主发光体的三重线能隙值(EgT(Host))大于所述客发光体的三重线能隙值(EgT(Dopant))。这样发光层中Host的能量有效地向Dopant移动，进一步提高发光效率。具体地，所述Host材料可以列举示胺衍生物、咔唑衍生物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯并噁唑系、苯并噻唑系衍生物等，但不限于此。优选地，所述Host材料为咔唑衍生物(如mCP，CBP)，DPEPO等，它们的结构式如下所示：(mCP，1，3-二-9-咔唑基苯)(CBP，4，4′-二(9-咔唑)联苯)(DPEPO，二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚)。所述Dopant材料可以列举如下式所示的DPS-DMAC、BP-carbazole、BP-DMOC等，它们的结构式如下所示：(DPS-DMAC，双[4-(9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶)苯基]硫砜)(BP-carbazole，4，4′-二(9-咔唑)-二苯甲酮)(BP-DMOC，4，4’-二(9-二甲氧基咔唑)-二苯甲酮)第二方面，本专利技术提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：提供一阳极导电基板，并在所述阳极导电基板上的导电阳极层上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件；其中，所述发光层是采用本专利技术第一方面提供的处理后的发光层原料进行真空蒸镀得到。本专利技术中，所述空穴注入层、、空穴传输层、电子传输层、电子注入层可以采用真空蒸镀或溶液法制备；在所述电子注入层上制备阴极可以采用本领域常规工艺如真空蒸镀工艺、溅射法来实现。其中，所述有机电致发光器件的各层均本领域的常规选择，例如基板可以采用玻璃、塑料、石英或其他柔性材料。所述阳极层的材料可以采用导电金属氧化物(ITO、FTO、CTO)、导电金属(Ag、Al)、合金中的一种或多种。所述空穴注入层的材料可采用CuPc、MeO-TPD、HATCN、PEDOT：PSS、MoxOx、VxOx、WxOy等；所述空穴传输层的材料可采用NPB、TPD、TAPC、TFB、OTPD、QTPD、Poly-TPD、PVK等；所述电子传输层的材料可采用TPBI、PBD、BCP、Bphen、TAZ、TmPyPB等；所述电子注入层的材料可采用LiF、LiQ、CsF、CsCO3、ZnO/PEI、ZnO/PEIE、PFN、PFN-Br等。所述阴极可以采用Ag、Mg等金属材料。本专利技术第二方面提供的有机电致发光器件的制备方法中，采用本专利技术第一方面提供的处理后的发光层原料进行真空蒸镀制得发光层，相较于现有技术中直接在Host之上沉积Dopant而言，本专利技术所得有机电致发光器件的外部量子效应较高(可达到20％左右)，基本与真空蒸镀前设计好的Host与Dopant最优掺杂比例所能达到的效率相等，而同期采用现有的方法直接蒸镀的，其发光效率仅为10％左右。因此，本专利技术第二方面提供的方法，可以在保留真空蒸镀工艺的低成本优势的同时，克服了传统真空蒸镀制备发光层的良品率低、发光效率在蒸镀中降低较多的缺陷。附图说明图1为本专利技术实施例二中有机电致发光器件的结构示意本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED中发光层原料的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供发光层原料，所述发光层原料包括主发光体和客发光体，在通有保护气体的真空手套箱中，将所述主发光体、客发光体及无水乙醇加入到聚四氟乙烯内衬中，混合均匀，得到一混合液，并将内衬放入到高压反应釜中，在40～60℃的温度下处理18～36小时，得到处理液；(2)将所述预处理液进行离心，收集沉淀，并对所得沉淀进行干燥，得到处理后的发光层原料。

【技术特征摘要】
1.一种OLED中发光层原料的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供发光层原料，所述发光层原料包括主发光体和客发光体，在通有保护气体的真空手套箱中，将所述主发光体、客发光体及无水乙醇加入到聚四氟乙烯内衬中，混合均匀，得到一混合液，并将内衬放入到高压反应釜中，在40～60℃的温度下处理18～36小时，得到处理液；(2)将所述预处理液进行离心，收集沉淀，并对所得沉淀进行干燥，得到处理后的发光层原料。2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述处理的温度为40～55℃。3.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述处理的时间为20-30小时。4.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述无水乙醇在所述聚四氟乙烯内衬中的填充度为70-80％。5.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述主发光体在所述混合液中...

【专利技术属性】
技术研发人员：许杰，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42