The invention relates to an organic electroluminescent device and a method for making the same. The organic electroluminescent device includes a sequentially stacked anode substrate, electron transport layer, an electron injection layer, quantum dot light emitting layer, charge transfer layer and a cathode layer; the charge transfer layer includes: P type N type material layer and material layer; or, N type material layer, P type and N type material layer material layer; the P type material layer material selected from the group consisting of: CuPC, ZnPC or five benzene; the N type material layer material selected from the group consisting of: F4 TCNQ, F16 CuPC, C60 or C70; the P type material layer thickness of 5 20nm, the N type material layer thickness 5 10nm. The use of the charge transfer layer in the organic electroluminescent device of the present invention can effectively reduce the injection barrier of the hole, improve the hole injection capability, and improve the device efficiency and service life.
【技术实现步骤摘要】
有机电致发光器件及其制备方法
本专利技术涉及发光器件
,特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管(QLED)由于具有色彩饱和度高、发光颜色可调、光致发光效率高、以及可溶液加工(旋涂、喷墨打印)等优点,在大面积显示方面有着广阔的应用前景而受到人们的广泛关注。量子点材料在合成过程中,表面会有许多悬挂键以及表面缺陷态存在,使其光稳定性差。因此,在发光器件中应用的量子点材料一般是通过在量子点核的外层生长宽带隙的无机半导体壳层或者是在表面添加表面活性剂等有机配体进行钝化,提高其量子效率和光稳定性。目前,基于Cd的II-VI族的半导体量子点在发光效率、色纯度和发光光谱可调性等方面的性能表现最为突出,如CdSe/ZnS,CdSe/CdS/ZnS等材料,相关的电致发光器件研究的也最多。但是,这些器件的电致发光效率以及器件寿命距离实用化还有较大的距离,主要是因为量子点材料的HOMO能级大都比较深(达6-7eV),过大的空穴注入势垒造成器件内部不平衡的载流子的注入与传输。在现有的QLED器件中,空穴注入或者传输层使用较多的主要有PEDOT:PSS,Poly-TPD,MoO3,NiO等材料,与大部分量子点材料间有较大的带隙(大于0.8eV),造成器件性能较差。因此,现有技术需要开发一种有效降低空穴注入势垒的有机电致发光器件的制备方法,以进一步提升QLED的器件性能。
技术实现思路
基于此,本专利技术的目的是提供一种有效降低空穴注入势垒的有机电致发光器件。具体的技术方案如下:一种有机电致发光器件,包括依次层叠的阳极基底、电子传输层、电子注入层、量 ...
【技术保护点】
一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的阳极基底、电子传输层、电子注入层、量子点发光层、电荷转移层以及阴极层;所述电荷转移层包括:P型材料层和N型材料层;或,N型材料层、P型材料层和N型材料层;所述P型材料层的材质选自:CuPC、ZnPC或并五苯;所述N型材料层的材质选自:四氟‑四氰二甲基对苯醌、十六氟代酞菁铜、富勒烯碳60或富勒烯碳70;所述P型材料层的厚度为5‑20nm,所述N型材料层的厚度为5‑10nm。
【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的阳极基底、电子传输层、电子注入层、量子点发光层、电荷转移层以及阴极层;所述电荷转移层包括:P型材料层和N型材料层;或,N型材料层、P型材料层和N型材料层;所述P型材料层的材质选自:CuPC、ZnPC或并五苯;所述N型材料层的材质选自:四氟-四氰二甲基对苯醌、十六氟代酞菁铜、富勒烯碳60或富勒烯碳70;所述P型材料层的厚度为5-20nm,所述N型材料层的厚度为5-10nm。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阳极基底为厚度120-180nm的ITO。3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电子传输层的材质选自ZnO或TiO2,厚度为30-50nm。4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电子注入层的材质选自聚乙烯亚胺、聚氧化乙烯或Cs2CO3,厚度为5-10nm。5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述量子点发光层的材质选自CdSe/ZnS或CdSe/CdS/ZnS,厚度为20-40nm。6.根据权利要求1-5任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阴极层的材质选自Al、Ag或Au,厚度为100-150nm。7.权利要求1-6任一项所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:清洗阳极基底;将电子传输层的材料旋涂于阳极基底表面形成厚度为30-...
【专利技术属性】
技术研发人员:余磊,宋晶尧,付东,
申请(专利权)人:广东聚华印刷显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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