一种专用于紫外LED芯片的封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种专用于紫外LED芯片的封装结构，包括：金属基板、阳极端子、阴极端子、紫外LED芯片、导热绝缘夹层、塑封部和透镜部；所述导热绝缘夹层由以下组分组成：聚砜树脂，环氧改性有机硅树脂，改性氮化硅，氧化锆，氮化硼，氧化钙，纳米硅铝粉，煅烧高岭土，西吡氯铵，氯化铬，硬脂酸铝，苯并三氮唑，聚乙烯吡咯烷酮，油酰甲胺乙磺酸钠。本发明专利技术封装结构合理，采用经过特殊优化的导热绝缘夹层，导热绝缘夹层的电绝缘性能、导热性能、耐老化性能好，能提紫外LED的性能。

Packaging structure dedicated for ultraviolet LED chip

The invention discloses a packaging structure, a special UV LED chip includes a metal substrate, anode terminal and the cathode terminal, UV LED chip, thermal insulation interlayer, and plastic lens; the thermal insulation layer is composed of the following components: polysulfone resin, epoxy modified silicone resin, modified silicon nitride, boron nitride, zirconium oxide, calcium oxide, nano silicon powder, calcined kaolin, cetylpyridinium chloride, chromium chloride, aluminum stearate, benzo triazole three, polyvinylpyrrolidone, oleoyl methylamine sodium diethylsulfonate. The invention has the advantages of reasonable encapsulation structure, adoption of a thermally conductive insulating sandwich layer with special optimization, good thermal insulation performance, thermal conductivity and good aging resistance of the heat insulation interlayer, and can improve the performance of the ultraviolet LED.

【技术实现步骤摘要】
一种专用于紫外LED芯片的封装结构
本专利技术涉及一种专用于紫外LED芯片的封装结构。
技术介绍
紫外LED一般指发光中心波长在400nm以下的LED，但有时将发光波长大于380nm时称为近紫外LED，而短于300nm时称为深紫外LED。因短波长光线的杀菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家电等的杀菌及除臭等用途。紫外LED的性能与紫外LED芯片的封装结构息息相关，特别是紫外LED芯片的散热性能，很大程度上决定了紫外LED的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种专用于紫外LED芯片的封装结构，其封装结构合理，采用经过特殊优化的导热绝缘夹层，导热绝缘夹层的电绝缘性能、导热性能、耐老化性能好，且导热绝缘夹层还具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、阻燃的性能，可靠性好，能提紫外LED的性能。为实现上述目的，本专利技术的技术方案是设计一种专用于紫外LED芯片的封装结构，包括：金属基板，设于金属基板上的阳极端子和阴极端子，安装于金属基板上且通过引线分别与阳极端子和阴极端子电连接的紫外LED芯片，设于紫外LED芯片和金属基板间的导热绝缘夹层，设于金属基板上且将紫外LED芯片和引线密封的塑封部，以及由塑封部中央部位突出的透镜部；按重量份计，所述导热绝缘夹层由以下组分组成：27～31份聚砜树脂，36～41份环氧改性有机硅树脂，3～4份改性氮化硅，1～3份氧化锆，2～4份氮化硼，1～3份氧化钙，2～3份纳米硅铝粉，1～2份煅烧高岭土，2～4份西吡氯铵，3～4份氯化铬，2～6份硬脂酸铝，4～9份苯并三氮唑，6～8份聚乙烯吡咯烷酮，4～7份油酰甲胺乙磺酸钠。优选的，所述导热绝缘夹层由以下组分组成：27份聚砜树脂，36份环氧改性有机硅树脂，3份改性氮化硅，1份氧化锆，2份氮化硼，1份氧化钙，2份纳米硅铝粉，1份煅烧高岭土，2份西吡氯铵，3份氯化铬，2份硬脂酸铝，4份苯并三氮唑，6份聚乙烯吡咯烷酮，4份油酰甲胺乙磺酸钠。优选的，按重量份计，所述导热绝缘夹层由以下组分组成：31份聚砜树脂，41份环氧改性有机硅树脂，4份改性氮化硅，3份氧化锆，4份氮化硼，3份氧化钙，3份纳米硅铝粉，2份煅烧高岭土，4份西吡氯铵，4份氯化铬，6份硬脂酸铝，9份苯并三氮唑，8份聚乙烯吡咯烷酮，7份油酰甲胺乙磺酸钠。本专利技术的优点和有益效果在于：提供一种专用于紫外LED芯片的封装结构，其封装结构合理，采用经过特殊优化的导热绝缘夹层，导热绝缘夹层的电绝缘性能、导热性能、耐老化性能好，且导热绝缘夹层还具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、阻燃的性能，可靠性好，能提紫外LED的性能。导热绝缘夹层的性能是基于其材料的，而导热绝缘夹层材料的性能是由其组分及配比所决定的，本专利技术对导热绝缘夹层材料的组分及配比进行特殊优化，使导热绝缘夹层材料具有优异的导热性能，且导热绝缘夹层材料还具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、阻燃的性能，可靠性好，非常适用于紫外LED芯片。导热绝缘夹层材料的性能是由其组分及配比所决定的，而组分及配比的确定非简单地“加法”，即并非将各个组分的性能一一累加就可得出导热绝缘夹层材料的性能；导热绝缘夹层材料中的不同组分会相互影响，如果组分及其配比不相互协调，单个组分所带来的有益效果，会被其他组分消减甚至消除，严重的时候，不同组分相互抵触，起不到整体综合作用，产生负作用和次品。本专利技术通过大量创造性劳动、反复验证，得到导热绝缘夹层材料的最优组分及配比，使得多个组分综合在一起、相互协调、并产生正向综合效应，最终使导热绝缘夹层材料具有优异的导热性能，还进一步使导热绝缘夹层材料具有耐热、抗氧化、耐腐蚀、阻燃性能，导热绝缘夹层可靠性好，非常适用于紫外LED芯片。具体实施方式下面结合实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。本专利技术具体实施的技术方案是：实施例1一种专用于紫外LED芯片的封装结构，包括：金属基板，设于金属基板上的阳极端子和阴极端子，安装于金属基板上且通过引线分别与阳极端子和阴极端子电连接的紫外LED芯片，设于紫外LED芯片和金属基板间的导热绝缘夹层，设于金属基板上且将紫外LED芯片和引线密封的塑封部，以及由塑封部中央部位突出的透镜部；按重量份计，所述导热绝缘夹层由以下组分组成：27～31份聚砜树脂，36～41份环氧改性有机硅树脂，3～4份改性氮化硅，1～3份氧化锆，2～4份氮化硼，1～3份氧化钙，2～3份纳米硅铝粉，1～2份煅烧高岭土，2～4份西吡氯铵，3～4份氯化铬，2～6份硬脂酸铝，4～9份苯并三氮唑，6～8份聚乙烯吡咯烷酮，4～7份油酰甲胺乙磺酸钠。实施例2在实施例1的基础上，区别在于，所述导热绝缘夹层由以下组分组成：27份聚砜树脂，36份环氧改性有机硅树脂，3份改性氮化硅，1份氧化锆，2份氮化硼，1份氧化钙，2份纳米硅铝粉，1份煅烧高岭土，2份西吡氯铵，3份氯化铬，2份硬脂酸铝，4份苯并三氮唑，6份聚乙烯吡咯烷酮，4份油酰甲胺乙磺酸钠。实施例3在实施例1的基础上，区别在于，按重量份计，所述导热绝缘夹层由以下组分组成：31份聚砜树脂，41份环氧改性有机硅树脂，4份改性氮化硅，3份氧化锆，4份氮化硼，3份氧化钙，3份纳米硅铝粉，2份煅烧高岭土，4份西吡氯铵，4份氯化铬，6份硬脂酸铝，9份苯并三氮唑，8份聚乙烯吡咯烷酮，7份油酰甲胺乙磺酸钠。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种专用于紫外LED芯片的封装结构，其特征在于，包括：金属基板，设于金属基板上的阳极端子和阴极端子，安装于金属基板上且通过引线分别与阳极端子和阴极端子电连接的紫外LED芯片，设于紫外LED芯片和金属基板间的导热绝缘夹层，设于金属基板上且将紫外LED芯片和引线密封的塑封部，以及由塑封部中央部位突出的透镜部；按重量份计，所述导热绝缘夹层由以下组分组成：27～31份聚砜树脂，36～41份环氧改性有机硅树脂，3～4份改性氮化硅，1～3份氧化锆，2～4份氮化硼，1～3份氧化钙，2～3份纳米硅铝粉，1～2份煅烧高岭土，2～4份西吡氯铵，3～4份氯化铬，2～6份硬脂酸铝，4～9份苯并三氮唑，6～8份聚乙烯吡咯烷酮，4～7份油酰甲胺乙磺酸钠。

【技术特征摘要】
1.一种专用于紫外LED芯片的封装结构，其特征在于，包括：金属基板，设于金属基板上的阳极端子和阴极端子，安装于金属基板上且通过引线分别与阳极端子和阴极端子电连接的紫外LED芯片，设于紫外LED芯片和金属基板间的导热绝缘夹层，设于金属基板上且将紫外LED芯片和引线密封的塑封部，以及由塑封部中央部位突出的透镜部；按重量份计，所述导热绝缘夹层由以下组分组成：27～31份聚砜树脂，36～41份环氧改性有机硅树脂，3～4份改性氮化硅，1～3份氧化锆，2～4份氮化硼，1～3份氧化钙，2～3份纳米硅铝粉，1～2份煅烧高岭土，2～4份西吡氯铵，3～4份氯化铬，2～6份硬脂酸铝，4～9份苯并三氮唑，6～8份聚乙烯吡咯烷酮，4～7份油酰甲胺乙磺酸钠。2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐胜利，沈春生，李玉荣，
申请(专利权)人：盐城东紫光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32