The embodiment of the invention provides a thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof, and display device, relates to the field of semiconductor technology, in the production process of TFT, can reduce the probability of defects in the semiconductor active layer. The thin film transistor comprises a bottom grid and a bottom grid insulating layer, a semiconductor active layer and a first insulating layer which are arranged on the bottom gate in turn. The thin film transistor also includes a source and drain that are disposed from the bottom gate side of the first insulating layer. The first insulating layer is provided with a through hole at the position of the corresponding source and drain. On the semiconductor active layer, an ohmic contact layer covering the semiconductor active layer is provided at the position corresponding to the through hole. The source and drain contacts with the ohmic contact layer respectively through different vias. The thin film transistor is used for switching or driving loads in a circuit.
【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay,LCD)或者有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)显示装置的阵列基板上设置有多个薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)用于对上述显示装置的亚像素进行驱动。现有技术在TFT的制作过程中,受到制作工艺影响,会使得TFT的半导体有源层产生较多的缺陷,从而导致TFT在导通时,沟道中产生的载流子在传输过程中容易被上述缺陷捕获,从而降低了载流子迁移率,对TFT的性能造成影响。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置,在TFT的制作过程中,能够减小半导体有源层中缺陷产生的几率。为达到上述目的,本专利技术的实施例采用如下技术方案:本专利技术实施例的一方面,提供一种薄膜晶体管,包括底栅极,以及依次设置于所述底栅极上的底栅绝缘层、半导体有源层、第一绝缘层;所述薄膜晶体管还包括设置于所述第一绝缘层背离所述底栅极一侧的源极和漏极;所述第一绝缘层在对应所述源极和所述漏极的位置分别设置有过孔;所述半导体有源层上在对应上述过孔的位置设置有覆盖所述半导体有源层的欧姆接触层;所述源极、所述漏极分别通过不同的过孔与所述欧姆接触层相接触。优选的,还包括位于所述第一绝缘层背离所述底栅极一侧的顶栅极;所述第一绝缘层为顶栅绝缘层。优选的,所述顶栅极与所述源极、漏极同层同材料。优选的,所述底栅极与所述顶栅 ...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括底栅极,以及依次设置于所述底栅极上的底栅绝缘层、半导体有源层、第一绝缘层;所述薄膜晶体管还包括设置于所述第一绝缘层背离所述底栅极一侧的源极和漏极;所述第一绝缘层在对应所述源极和所述漏极的位置分别设置有过孔;所述半导体有源层上在对应上述过孔的位置设置有覆盖所述半导体有源层的欧姆接触层;所述源极、所述漏极分别通过不同的过孔与所述欧姆接触层相接触。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括底栅极,以及依次设置于所述底栅极上的底栅绝缘层、半导体有源层、第一绝缘层;所述薄膜晶体管还包括设置于所述第一绝缘层背离所述底栅极一侧的源极和漏极;所述第一绝缘层在对应所述源极和所述漏极的位置分别设置有过孔;所述半导体有源层上在对应上述过孔的位置设置有覆盖所述半导体有源层的欧姆接触层;所述源极、所述漏极分别通过不同的过孔与所述欧姆接触层相接触。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,还包括位于所述第一绝缘层背离所述底栅极一侧的顶栅极;所述第一绝缘层为顶栅绝缘层。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述顶栅极与所述源极、漏极同层同材料。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述底栅极与所述顶栅极非电连接。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,构成所述半导体有源层的材料包括氢化非晶硅;构成所述欧姆接触层的材料包括n型重掺杂氢化非晶硅。6.一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,包括多个呈矩阵形式排列的亚像素;每个亚像素内设置有至少一个所述薄膜晶体管;当所述薄膜晶体管包括底栅极...
【专利技术属性】
技术研发人员:贵炳强,曲连杰,齐永莲,赵合彬,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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