The embodiment of the invention provides a light-emitting diode, an array substrate, a light emitting device and a display device, relating to the electroluminescent technology field, and solving the problem of the imbalance of electron and hole injection. The light emitting diode comprises a cathode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and the cathode, the light emitting diode is arranged from the first electrode auxiliary side hole transport layer and the first insulating layer on the anode, the first insulating layer is arranged between the first electrode and the auxiliary the anode; and / or, the light emitting diode is arranged from the side of the electron transport layer second insulating layer and second auxiliary electrodes on the cathode, the second insulating layer lies between the second auxiliary electrode and the cathode. The utility model is used for solving the problem that the injection of electrons and holes is not balanced in the light-emitting diode.
【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管、阵列基板、发光器件及显示装置
本专利技术涉及电致发光
,尤其涉及一种发光二极管、阵列基板、发光器件及显示装置。
技术介绍
发光二极管是一种由电流直接激发发光的器件,目前的发光二极管包括量子点电致发光二极管(Quantumdotlight-emittingdiode,简称QLED)和有机电致发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,简称OLED)。图1为现有发光二极管的结构示意图。如图1所示,发光二极管的结构包括依次设置的阳极10、空穴传输层20、发光层30、电子传输层40和阴极50。发光二极管的发光原理为:在电场作用下,空穴由阳极10注入到发光层30的价带并向阴极50迁移,电子由阴极50注入到发光层30的导带并向阳极10迁移。空穴和电子注入到发光层30的价带和导带能级时在库仑力作用下形成激子(电子-空穴对),激子态的电子发生辐射跃迁,能量以光子形式释放,从而实现电致发光。然而,当发光二极管为QLED时,发光层30的材料为量子点发光材料,示例的,若空穴传输层20材料的HOMO(最高占据分子轨道)能级位于5.0~6.0eV,量子点价带能级位于6.0~7.0eV,因而空穴传输层20和量子点发光层30界面处存在较大的空穴注入势垒,由于电子传输层40材料如ZnO纳米粒子的导带能级接近量子点导带能级,从而会存在电子和空穴注入不平衡的问题。而发光强度与电子和空穴的浓度的乘积成正比,当电子和空穴浓度相同时,发光强度最大;当电子和空穴的浓度相差越大时,发光强度越小,且多余的载流子会造成焦耳热,缩短器件的寿命。当发光二极管为OLE ...
【技术保护点】
一种发光二极管,包括依次设置的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极,其特征在于,所述发光二极管还包括设置在所述阳极远离所述空穴传输层一侧的第一辅助电极和第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述第一辅助电极和所述阳极之间;和/或,所述发光二极管还包括设置在所述阴极远离所述电子传输层一侧的第二绝缘层和第二辅助电极,所述第二绝缘层位于所述第二辅助电极和所述阴极之间。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管,包括依次设置的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极,其特征在于,所述发光二极管还包括设置在所述阳极远离所述空穴传输层一侧的第一辅助电极和第一绝缘层,所述第一绝缘层位于所述第一辅助电极和所述阳极之间;和/或,所述发光二极管还包括设置在所述阴极远离所述电子传输层一侧的第二绝缘层和第二辅助电极,所述第二绝缘层位于所述第二辅助电极和所述阴极之间。2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述阳极和/或所述阴极具有网状结构或多孔结构。3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管还包括设置在所述阳极和所述空穴传输层之间的空穴注入层和/或设置在所述阴极和所述电子传输层之间的电子注入层。4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,在所述发光二极管还包括空穴注入层和电子注入层时,所述空穴传输层、所述空穴注入层、所述电子注入层和所述电子传输层的厚度均在1~200nm的范围内。5.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述发光层包括量子点发光材料或有机电致发光材料。6.一种阵列基板,其特征在于,包括呈矩阵排列的多个如权利要求1-5任一项所述的发光二极管。7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括源极、有源层、漏极、栅极、栅绝缘层,所述漏极与发光二极管的阴极或阳极电连接;所述栅极和所述发光二极管的第一辅助电极或第二辅助电极位于同一层,或者所述栅极和所述发光二极管的第一辅助电极或第二辅助电极为同一图案。8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,多个发光二极管的第一辅助电极相互连接形成面状电极,和/或多个发光二极管的第二辅助电极相互连接形成面状电极。9.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,在阳极具有多孔结构时,所述孔径的尺寸为微米级或纳米级,且所述孔径的尺寸小于所述阵列基板...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐威,谷新,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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