The utility model provides a high efficient scintillation crystal array, which belongs to the field of medical equipment, solves the scintillation crystal array luminescence efficiency decreased, the physical strength is insufficient, and the optical array UV overflow processing difficulty increases and other issues, to provide a set of high light efficiency, high intensity, no pollution of the high end array can a scintillation crystal array. It includes flashing crystal, the high reflectivity of the reflective layer, the high reflectivity of the reflection layer is located between the crystal and crystal scintillation crystal; the high reflectivity of the reflective layer includes optical reflective film, UV layer and glue joint, glue binding located on both sides of the reflection film two 1/10 4/9 position two, the regional total area of 20 reflection film 50%, the utility model has the advantages of reducing the optical UV layer and control layer of UV optical distribution can reduce the light loss, can improve the light output of 30% in the same crystal materials, optical UV conditions.
【技术实现步骤摘要】
高效能闪烁晶体阵列
本技术属于医疗器械设备领域,具体涉及一种高效能闪烁晶体阵列。
技术介绍
多数高能射线探测器应用过程中使用闪烁晶体阵列作为能量接收端,受到能量激发的闪烁晶体放出荧光,由光电倍增管(PMT)将光信号转换成电子信号后输出。高能射线探测器的效率受闪烁晶体阵列的光输出及能量分辨率影响,具有较高光输出(lightoutput)的闪烁晶体阵列可以缩短探测器所需的侦测时间,并提高准确率。闪烁晶体的生长已经十分成熟,闪烁晶体阵列的性能很难依靠提升材料的品质而有所成长,需藉由阵列组装工艺来提升闪烁晶体阵列的性能。通常情况下,使用高反射率反射膜作为闪烁晶体阵列的反射层,阵列的组装过程中会在每根晶条之间以UV胶将反射膜与闪烁晶体晶条接合,确定阵列的排序及位置无误后再进行固定,现阶段使用UV胶的方法为“完全涂胶”,指晶条与反射膜之间涂满UV胶并且压紧后无空隙存在,但过多的UV胶导致闪烁晶体阵列的放光效率降低,且溢出的UV胶布满阵列端面,导致后续加工困难,若减少UV胶的使用量也会导致阵列强度不足易散开的问题,导致晶体阵列的放光效率下降及产生漏光的问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中闪烁晶体阵列中晶条若UV胶过多则影响放光效率或污染阵列端面,而UV胶过少则使阵列强度不足,受压等情况下易发生损坏、放光效率降低、产生漏光现象等缺陷,本技术提供一种放光效率高、强度大、不会污染阵列端面的高效能闪烁晶体阵列。本技术解决其技术问题所采用的技术方案如下:一种高效能闪烁晶体阵列,它包括闪烁晶体晶条、高反射率反射层,所述闪烁晶体晶条为1条以上,所述高反射率反射层位于闪烁晶体晶条与闪烁晶体 ...
【技术保护点】
一种高效能闪烁晶体阵列,其特征在于:它包括闪烁晶体晶条、高反射率反射层,所述闪烁晶体晶条为1条以上,所述高反射率反射层位于闪烁晶体晶条与闪烁晶体晶条之间;所述高反射率反射层包括反射膜、光学UV胶层和涂胶接合处,其中,涂胶结合处位于反射膜两侧的上段1/10‑4/9及下段1/10‑4/9位置,两区域共占反射膜总面积的20‑50%,光学UV胶层位于在反射膜上。
【技术特征摘要】
1.一种高效能闪烁晶体阵列,其特征在于:它包括闪烁晶体晶条、高反射率反射层,所述闪烁晶体晶条为1条以上,所述高反射率反射层位于闪烁晶体晶条与闪烁晶体晶条之间;所述高反射率反射层包括反射膜、光学UV胶层和涂胶接合处,其中,涂胶结合处位于反射膜两侧的上段1/10-4/9及下段1/10-4/9位置,两区域共占反射膜总面积的20-50%,光学UV胶层位于在反射膜上。2.根据权利要求1所述的高效能闪烁晶体阵列,其特征在于:所述涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段2/10-3.5/9及下段2/10-3.5/9位置,两区域共占反射膜总面积的30-50%;反射膜与闪烁晶体晶条侧面大小和形状都相同;光学UV胶层位于在涂胶接合处及涂胶接合处至端面边沿的范围内。3.根据权利要求2所述的高效能闪烁晶体阵列,...
【专利技术属性】
技术研发人员:李国铭,刘冰,边建盟,程娜,程豪妍,
申请(专利权)人:三河晶丽方达科技有限公司,
类型:新型
国别省市:河北,13
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