高效能闪烁晶体阵列制造技术

技术编号:15765615 阅读:365 留言:0更新日期:2017-07-06 08:56
本实用新型专利技术提供了一种高效能闪烁晶体阵列,属于医疗器械设备领域,解决了现有技术中闪烁晶体阵列放光效率下降、阵列物理强度不足、及光学UV胶溢出导致加工难度增加等问题,提供一种放光效率高、强度大、不会污染阵列端面的高效能闪烁晶体阵列。它包括闪烁晶体晶条、高反射率反射层,所述高反射率反射层位于闪烁晶体晶条与闪烁晶体晶条之间;所述高反射率反射层包括反射膜、光学UV胶层和涂胶接合处,涂胶结合处位于反射膜两侧的上下两段1/10‑4/9位置,两区域共占反射膜总面积的20‑50%,本实用新型专利技术通过减少光学UV胶层量和控制光学UV胶层分布位置可以减少放光损耗,在相同晶体材料、光学UV胶的条件下能提高30%的光输出。

High performance scintillation crystal array

The utility model provides a high efficient scintillation crystal array, which belongs to the field of medical equipment, solves the scintillation crystal array luminescence efficiency decreased, the physical strength is insufficient, and the optical array UV overflow processing difficulty increases and other issues, to provide a set of high light efficiency, high intensity, no pollution of the high end array can a scintillation crystal array. It includes flashing crystal, the high reflectivity of the reflective layer, the high reflectivity of the reflection layer is located between the crystal and crystal scintillation crystal; the high reflectivity of the reflective layer includes optical reflective film, UV layer and glue joint, glue binding located on both sides of the reflection film two 1/10 4/9 position two, the regional total area of 20 reflection film 50%, the utility model has the advantages of reducing the optical UV layer and control layer of UV optical distribution can reduce the light loss, can improve the light output of 30% in the same crystal materials, optical UV conditions.

【技术实现步骤摘要】
高效能闪烁晶体阵列
本技术属于医疗器械设备领域,具体涉及一种高效能闪烁晶体阵列。
技术介绍
多数高能射线探测器应用过程中使用闪烁晶体阵列作为能量接收端,受到能量激发的闪烁晶体放出荧光,由光电倍增管(PMT)将光信号转换成电子信号后输出。高能射线探测器的效率受闪烁晶体阵列的光输出及能量分辨率影响,具有较高光输出(lightoutput)的闪烁晶体阵列可以缩短探测器所需的侦测时间,并提高准确率。闪烁晶体的生长已经十分成熟,闪烁晶体阵列的性能很难依靠提升材料的品质而有所成长,需藉由阵列组装工艺来提升闪烁晶体阵列的性能。通常情况下,使用高反射率反射膜作为闪烁晶体阵列的反射层,阵列的组装过程中会在每根晶条之间以UV胶将反射膜与闪烁晶体晶条接合,确定阵列的排序及位置无误后再进行固定,现阶段使用UV胶的方法为“完全涂胶”,指晶条与反射膜之间涂满UV胶并且压紧后无空隙存在,但过多的UV胶导致闪烁晶体阵列的放光效率降低,且溢出的UV胶布满阵列端面,导致后续加工困难,若减少UV胶的使用量也会导致阵列强度不足易散开的问题,导致晶体阵列的放光效率下降及产生漏光的问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中闪烁晶体阵列中晶条若UV胶过多则影响放光效率或污染阵列端面,而UV胶过少则使阵列强度不足,受压等情况下易发生损坏、放光效率降低、产生漏光现象等缺陷,本技术提供一种放光效率高、强度大、不会污染阵列端面的高效能闪烁晶体阵列。本技术解决其技术问题所采用的技术方案如下:一种高效能闪烁晶体阵列,它包括闪烁晶体晶条、高反射率反射层,所述闪烁晶体晶条为1条以上,所述高反射率反射层位于闪烁晶体晶条与闪烁晶体晶条之间;所述高反射率反射层包括反射膜、光学UV胶层和涂胶接合处,其中,涂胶结合处位于反射膜两侧的上段1/10-4/9及下段1/10-4/9位置,两区域共占反射膜总面积的20-50%,光学UV胶层位于在反射膜上。做为本技术的优选技术方案,涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段2/10-3.5/9及下段2/10-3.5/9位置,两区域共占反射膜总面积的30-50%,光学UV胶层位于在涂胶接合处及涂胶接合处至端面边沿的范围内。做为本技术的更优选技术方案,涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段1/3及下段1/3位置,两区域共占反射膜总面积的40-50%,光学UV胶层位于在涂胶接合处范围内,均匀的贴合于涂胶接合处上。做为本技术的最优选技术方案,涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段1/3及下段1/3位置,两区域共占反射膜总面积的50%。做为本技术的优选技术方案,位于反射膜两侧的涂胶结合处位置相对,大小相同。所述晶条为N×M条,N≥2,M≥2,组合成阵列,大多情况下,N=M。还包括高反射率外包层,高反射率外包层位于阵列外,包裹阵列的5个面,未被包裹的阵列的面为由闪烁晶体晶条端面组成的平面。当然,做为本技术的替换,涂胶接合处也可以在闪烁晶体晶条上,光学UV胶层基本位于涂胶接合处范围内,光学UV胶层的形状可以不规则,也可以规则。但是这是一种变劣的技术方案,因为闪烁晶体晶条对洁净度的需求非常高,若在闪烁晶体晶条上设置涂胶接合处进行光学UV胶层的铺设,很容易污染闪烁晶体晶条,使得产品质量下降。与现有阵列制作方式相比,本技术的有益效果:1.本技术与传统方式比较,减少光学UV胶层量和控制光学UV胶层分布位置可以减少放光损耗,在相同晶体材料、光学UV胶的条件下能提高30%的光输出(lightoutput)。2.本技术适当减少光学UV胶的使用量和控制其位置,并使其达到最佳的平衡,避免UV胶在组装过程中溢出残留于阵列表面,减低组装过程中的难度。3.本技术控制UV胶的接合位置,使阵列具有良好的固化强度,经试验验证,与全面积涂胶强度差别不大,完全能适应3倍当前工作环境压力的条件,经循环压力检测,没发生脱落、损坏。4.本技术控制涂胶位置,降低了因中部位置涂胶而产生的放光损耗,经试验验证,在相同晶体材料、光学UV胶、涂胶面积相同的情况下,在上下两端不涂胶,只在中部涂胶,则强度降低,放光损耗也比在两端涂胶大。5.本技术产品光输出强,牢固性强,结构设计科学合理、降低了组装难度,适宜推广应用。附图说明图1为实施例1高效能闪烁晶体阵列结构示意图;图2为实施例1晶条和高反射率反射层拆分结构示意图;图3为实施例1晶条和高反射率反射层组合结构示意图;图4为实施例2晶条和高反射率反射层组合结构示意图。具体实施方式下面参照附图详细描述本技术的实施方式。实施例1:参见图1-3本实施例高效能闪烁晶体阵列结构示意图,其中图3是选取了高效能闪烁晶体阵列中部的3条闪烁晶体晶条和高反射率反射层的组合:一种高效能闪烁晶体阵列,它包括闪烁晶体晶条3、高反射率反射层4,所述闪烁晶体晶条为25条,形成5×5的阵列1,还包括高反射率外包层2,高反射率外包层2位于阵列1外,包裹阵列1的5个面,未被包裹的阵列1的面为由闪烁晶体晶条端面8组成的平面。所述高反射率反射层4位于闪烁晶体晶条3与晶条之间;所述高反射率反射层4包括反射膜5、光学UV胶层6和涂胶接合处7,其中,位于反射膜5两侧的涂胶结合处7位置相对大小相同,涂胶结合处7中心位于反射膜5两侧的上段1/3及下段1/3位置,两区域共占反射膜总面积的30%左右,光学UV胶层6均匀分布在涂胶接合处7上。上述各图仅为示意图,仅供参考和理解,具体比例和位置以实施例说明为准。实施例2:参见图4,其中图4是选取了本实施例高效能闪烁晶体阵列中部的3条闪烁晶体晶条和高反射率反射层的组合:涂胶结合处7位于反射膜5两侧的上段3/22-6/22及下段3/22-6/22位置,涂胶结合处7中心位于上段及下段的3.5/22位置上,涂胶结合处7的上下两段上的两区域共占反射膜总面积的27%。其余同实施例1。上述各图仅为示意图,具体比例和位置以实施例说明为准。实施例3:涂胶结合处7中心位于反射膜5两侧的上段1/3及下段1/3位置,两区域共占反射膜总面积的50%,其余同实施例1。当然,以上所述是本技术的优选实施方式,应当指出,对于本
的普通技术人员来说,在不脱离本技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本技术的保护范围。本文档来自技高网
...
高效能闪烁晶体阵列

【技术保护点】
一种高效能闪烁晶体阵列,其特征在于:它包括闪烁晶体晶条、高反射率反射层,所述闪烁晶体晶条为1条以上,所述高反射率反射层位于闪烁晶体晶条与闪烁晶体晶条之间;所述高反射率反射层包括反射膜、光学UV胶层和涂胶接合处,其中,涂胶结合处位于反射膜两侧的上段1/10‑4/9及下段1/10‑4/9位置,两区域共占反射膜总面积的20‑50%,光学UV胶层位于在反射膜上。

【技术特征摘要】
1.一种高效能闪烁晶体阵列,其特征在于:它包括闪烁晶体晶条、高反射率反射层,所述闪烁晶体晶条为1条以上,所述高反射率反射层位于闪烁晶体晶条与闪烁晶体晶条之间;所述高反射率反射层包括反射膜、光学UV胶层和涂胶接合处,其中,涂胶结合处位于反射膜两侧的上段1/10-4/9及下段1/10-4/9位置,两区域共占反射膜总面积的20-50%,光学UV胶层位于在反射膜上。2.根据权利要求1所述的高效能闪烁晶体阵列,其特征在于:所述涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段2/10-3.5/9及下段2/10-3.5/9位置,两区域共占反射膜总面积的30-50%;反射膜与闪烁晶体晶条侧面大小和形状都相同;光学UV胶层位于在涂胶接合处及涂胶接合处至端面边沿的范围内。3.根据权利要求2所述的高效能闪烁晶体阵列,...

【专利技术属性】
技术研发人员:李国铭刘冰边建盟程娜程豪妍
申请(专利权)人:三河晶丽方达科技有限公司
类型:新型
国别省市:河北,13

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1