The invention provides a preparation method of intelligent power module, intelligent power module and the electric equipment, the intelligent power module includes a plurality of MOSFET power devices, a plurality of bottom side MOSFET power device is welded to the weld zone in the device area, between a plurality of MOSFET power devices or bonding wires through the gate drive circuit wiring; a top side in each MOSFET power device, the metal wire bridge to the circuit wiring area. By adopting the technical proposal of the invention, the surface area of the intelligent power module is effectively reduced, the integration degree of the intelligent power module is improved, and the utility model is more favorable for market promotion and mass production.
【技术实现步骤摘要】
智能功率模块、智能功率模块的制备方法和用电设备
本专利技术涉及智能功率模块
,具体而言,涉及一种智能功率模块、一种智能功率模块的制备方法和一种用电设备。
技术介绍
智能功率模块,即IPM(IntelligentPowerModule),是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动器件。由于具有高集成度、高可靠性等优势,智能功率模块赢得越来越大的市场,尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源,是变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动和变频家电常用的电力电子器件。图1A是所述智能功率模块100的俯视图。图1B是图1A的X-X’线剖面图。图1C是图1A去除树脂(封装外壳)后的示意图。图1D是智能功率模块100的电路示意图。下面参照图1A、图1B、图1C和图1D说明现有智能功率模块100的结构。上述智能功率模块100具有如下结构,包括:铝基板103;设于所述铝基板103表面上的绝缘层104上形成的所述电路布线105;覆盖于所述绝缘层104和所述电路布线105特定位置的阻焊层106;被锡膏107固定在所述电路布线105上的IGBT(InsulatedGateBipolarTranslator,绝缘栅门极晶体管)109、FRD(FastRecoveryDiode,快速恢复二极管)110和HVIC(Hyper-Velocityintegratedcircuit,高速集成电路)108;连接所述IGBT109、FRD110、HVIC108和所述电路布线105的金属线111;被锡膏107固定在所述电路布线105上的引脚101;所述铝基板103的至少一面被密封树脂102密 ...
【技术保护点】
一种智能功率模块,所述智能功率模块设有基板,所述基板上设有电路布线区,所述电路布线区的指定区域为焊接区,其特征在于,所述智能功率模块包括:多个MOSFET功率器件,多个所述MOSFET功率器件的底侧面焊接于所述焊接区中的器件区,多个所述MOSFET功率器件之间通过所述电路布线区或邦定线连接;栅极驱动器件,设于每个所述MOSFET功率器件的顶侧面,通过金属连线桥接至所述电路布线区。
【技术特征摘要】
1.一种智能功率模块,所述智能功率模块设有基板,所述基板上设有电路布线区,所述电路布线区的指定区域为焊接区,其特征在于,所述智能功率模块包括:多个MOSFET功率器件,多个所述MOSFET功率器件的底侧面焊接于所述焊接区中的器件区,多个所述MOSFET功率器件之间通过所述电路布线区或邦定线连接;栅极驱动器件,设于每个所述MOSFET功率器件的顶侧面,通过金属连线桥接至所述电路布线区。2.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述MOSFET功率器件包括:MOSFET管;体二极管,串联连接于所述MOSFET管的源极和漏极之间。3.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,还包括:第一绝缘层,设于所述基板和所述MOSFET功率器件之间。4.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,还包括:第二绝缘层,设于所述栅极驱动器件和所述MOSFET功率器件之间。5.根据权利要求5所述的智能功率模块,其特征在于,所述第二绝缘层内掺杂有散热颗粒,所述散热颗粒的形状包括球形和角型。6.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,还包括:封装外壳,半包覆于所述基板的正侧面,或全包覆于整个所述基板,以完全覆盖所述MOSFET功率器件和所述栅极驱动器件。7.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,还包括:载具,套设于所述基板的外侧,所述载具上设有引脚,所述引脚焊接于所述焊接区中的引脚区。8.根据权利要求7所述的智能功率模块,其特征在于,还包括:阻焊层,设于所述电路布线区上除所述焊接区以外的区域。9.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,还包括:合金层,设于所述引脚的表层,所述合金层的厚度范围为0.1~10微米。10.根据权利要求9所述的智能功率模块,其特征在于,所述合金层的厚度为5微米。11.根据权利要求1至10中任一项所述的智能功率模块,其特征在于,所述邦定线的线宽范围为350~400微米。12.根据权利要求1至10中任一项所述的智能功率模块,其特征在于,所述金属连线的线宽范围为38~200微米...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯宇翔,
申请(专利权)人:广东美的制冷设备有限公司,美的集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。