半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例揭示一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包含：半导体衬底；导电垫，其位于所述半导体衬底上；及第一电介质，其位于所述半导体衬底上方。所述半导体装置还包含：导电层，其放置于所述第一电介质中；及第二电介质，其放置于所述导电层上。在所述半导体装置中，所述导电层的至少一部分从所述第一电介质及所述第二电介质暴露。所述半导体装置进一步包含导电迹线，所述导电迹线部分地位于所述第二电介质上方且与所述导电层的所述经暴露部分接触。在所述半导体装置中，所述导电迹线在一端处连接到所述导电垫。

Semiconductor device and method of manufacturing the same

The embodiment of the invention discloses a semiconductor device and a manufacturing method thereof, wherein the semiconductor device includes a semiconductor substrate; the conductive pad on the semiconductor substrate; and a first dielectric, which is located in the semiconductor substrate. The semiconductor device also includes a conductive layer placed in the first dielectric, and a two dielectric placed on the conductive layer. In the semiconductor device, at least a portion of the conductive layer is exposed from the first dielectric and the second dielectric. The semiconductor device further includes a conductive trace that is partially positioned above the second dielectric and contacts the exposed portion of the conductive layer. In the semiconductor device, the conductive track is connected to the conductive pad at one end.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本揭露实施例涉及一种半导体装置。
技术介绍
涉及半导体装置的电子装备是我们日常生活不可或缺的。随着电子技术的进步，电子装备变得较复杂且涉及用于执行所要多功能性的较大量的集成电路。因此，电子装备的制造包含越来越多的组装及处理步骤以及用于生产电子装备中的半导体装置的材料。因此，存在对简化生产步骤、增加生产效率及降低对每一电子装备的相关联制造成本的持续需求。在制造半导体装置的操作期间，半导体装置组装有包含具有热性质差异的各种材料的若干个集成组件。如此，在半导体装置的固化之后，集成组件呈不期望配置。不期望配置将导致半导体装置的合格率损失、组件之间的不良接合性、裂缝形成、组件的脱层等。此外，半导体装置的组件包含数量有限且因此成本高的各种金属材料。组件的不期望配置及半导体装置的合格率损失将进一步加剧材料浪费且因此制造成本将增加。由于涉及具有不同材料的不同组件且半导体装置的制造操作的复杂性增加，因此存在修改半导体装置的结构并改进制造操作的较多挑战。如此，存在对改进用于制造半导体的方法及解决以上缺陷的持续需求。
技术实现思路
本揭露实施例提供一种半导体装置，其包括：半导体衬底；导电垫，其位于所述半导体衬底上；第一电介质，其位于所述半导体衬底上方；导电层，其放置于所述第一电介质中；第二电介质，其放置于所述导电层上，其中所述导电层的至少一部分从所述第一电介质及所述第二电介质暴露；及，导电迹线，其部分地位于所述第二电介质上方且与所述导电层的所述经暴露部分接触，其中所述导电迹线在一端处连接到所述导电垫。附图说明依据与附图一起阅读的以下详细描述来最佳地理解本揭露实施例的方面。应注意，根据工业中的标准实践，各种构件未按比例绘制。实际上，为论述清晰起见，可任意地增加或减小各种构件的尺寸。图1是根据一些实施例的半导体装置。图1A是根据一些实施例的图1中的半导体装置的一部分的放大视图。图1B是根据一些实施例的图1A中的半导体装置的一部分的局部视图。图2是根据一些实施例的半导体装置的一部分的局部视图。图3是根据一些实施例的图2中的半导体装置的部分俯视图。图4A到图4K表示根据一些实施例的制造半导体装置的方法的流程图。具体实施方式以下揭露提供用于实施所提供标的物的不同构件的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且并非打算为限制性的。举例来说，在以下描述中第一构件在第二构件上方或所述第二构件上形成可包含其中第一构件与第二构件直接接触地形成的实施例且还可包含其中额外构件可形成于第一构件与第二构件之间使得第一构件与第二构件征可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复参考编号及/或字母。此重复是出于简单及清晰目的且并非本质上指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。此外，可在本文中为易于描述而使用空间相对术语(例如“下面”、“下方”、“下部”、“上面”、“上部”等等)来描述一个元件或构件与另一元件或构件的关系，如各图中所图解说明。所述空间相对术语打算囊括在使用或操作中的装置的除图中所描绘的定向之外的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或以其它定向)且可因此同样地理解本文中所使用的空间相对描述语。在本揭露实施例中，提供具有用于实现布线区域减小及较好布线能力的创新堆叠互连件的半导体装置。在本揭露实施例中，半导体组件包含以圆环形状或C形状设计的堆叠互连件。圆环形状或C形状互连件经提出以增加在精细间距扇出封装中的导电迹线布线的可行性。通过本揭露实施例，可实现布线区域减小及较好布线能力。在本揭露实施例中，导电迹线经配置以沿着膜堆叠的凹槽走线。膜堆叠可为复合电介质结构且内部包含一些互连导电迹线。导电迹线在一端处连接到导电垫且延伸到复合电介质结构上方。在导电迹线的另一端上，导电凸块或UBM连接于其中。导电迹线与复合电介质内部的互连导电迹线的一部分接触，使得在互连导电迹线与导电垫之间形成电连接。图1是半导体装置100的实施例。半导体装置100包含半导体衬底102。在一些实施例中，半导体衬底102包含半导体材料(例如硅)且在半导体衬底102内制作有通过各种操作(例如光刻、蚀刻、沉积、镀覆等)产生的预定功能电路。在一些实施例中，半导体衬底102通过机械或激光刀片从硅晶片单粒化。在一些实施例中，半导体衬底102呈四边形、矩形或正方形形状。图1A是图1中的半导体装置100的一部分100a的放大视图。半导体衬底102包含表面102b且导电垫102a放置于表面102b上。在一些实施例中，导电垫102a与半导体衬底102外部的电路电连接，使得半导体衬底102内部的电路通过导电垫102a与半导体衬底102外部的电路电连接。在一些实施例中，导电垫102a经配置以用于通过附接于导电垫102a上的导电迹线与导电凸块电耦合，使得半导体衬底102内部的电路通过导电迹线从导电垫102a到导电凸块地与半导体衬底102外部的电路连接。在一些实施例中，导电垫102a包含金、银、铜、镍、钨、铝、钯及/或其合金。在一些实施例中，钝化层103放置于半导体衬底102的表面102b上方且部分地覆盖导电垫102a。在一些实施例中，钝化层103环绕导电垫102a。导电垫102a的一部分从钝化层103中的凹槽103a暴露。在一些实施例中，钝化层103部分地覆盖导电垫102a的顶部表面102c。钝化层103经配置以用于为半导体衬底102提供电绝缘及湿气防护，使得半导体衬底102与周围环境隔离。在一些实施例中，用电介质材料(例如旋涂玻璃(SOG)、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等等)形成钝化层103。在一些实施例中，通过气相沉积或旋涂工艺形成钝化层103。在一些实施例中，电介质105放置于钝化层103上方。电介质105放置于钝化层103的顶部表面103b上。在一些实施例中，电介质105包含聚合材料，例如环氧树脂、聚酰亚胺、聚苯并唑(PBO)、抗焊剂(SR)、ABF膜等等。钝化层103由电介质105部分地覆盖。然而，钝化层103的一部分通过电介质105中的凹槽105a从电介质105暴露。电介质105中的凹槽105a与钝化层103中的凹槽103a大体上对准，使得导电迹线108能够沿着电介质105中的凹槽105a行进且进一步向下行进到钝化层103中的凹槽103a。导电迹线108着陆于导电垫102a的一部分上，其中所述部分通过凹槽103a从钝化层103暴露。在一些实施例中，导电迹线108沿着凹槽103a及凹槽105a保形地走线。在一些实施例中，凹槽105a具有宽度W2且宽度W2等于或大于凹槽103a的宽度W1。除凹槽105a之外，导电迹线108还沿着电介质105的另一部分行进。如图1A中所展示，导电迹线108还沿着表面105e走线，所述表面大体上布置成正交于凹槽105a的侧壁。表面105e是和钝化层103与电介质105之间的界面相对的平面。导电层106大体上接近于表面105e而放置，所述表面105e为电介质105与电介质107之间的界面。在一些实施例中，导电层106和电介质105与钝化层103之间的界面间隔开预定距离。在一些实施例中，所述预定距离大于0。导电层106由电介质105部分地环绕但具有从电介质105暴露的至少一侧。导电层10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：半导体衬底；导电垫，其位于所述半导体衬底上；第一电介质，其位于所述半导体衬底上方；导电层，其放置于所述第一电介质中；第二电介质，其放置于所述导电层上，其中所述导电层的至少一部分从所述第一电介质及所述第二电介质暴露；及，导电迹线，其部分地位于所述第二电介质上方且与所述导电层的所述经暴露部分接触，其中所述导电迹线在一端处连接到所述导电垫。

【技术特征摘要】
2015.12.28 US 14/981,6001.一种半导体装置，其包括：半导体衬底；导电垫，其位于所述半导体衬底上；第一电介质，其位于所述半导体衬底上方；导电层，其放置于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈承先，黄育智，陈玉芬，潘国龙，郑余任，李明机，普翰屏，张纬森，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71