A method of manufacturing a semiconductor device includes forming first and second trenches in the substrate, the first and second trenches connected with each other, the second was better than the first trench can be formed in the first groove groove width; the inner surface of the above and on the inner surface of the second groove forming the lining layer; the inner lining layer is formed on the cover layer the formation of overhang of fusion and non fusion of overhang, the top overhang fusion can filling the first trench portion of the overhang of non fusion can make the top second groove part of the opening; and the gap filling layer is formed in the cover layer, with lower filling the first trench and the second trench portion.
【技术实现步骤摘要】
隔离结构和制造隔离结构的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年12月23日提交的申请号为10-2015-0184820的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
示例性实施例涉及半导体器件,更具体地,涉及隔离结构和制造隔离结构的方法。
技术介绍
当半导体器件高度集成时,要求具有更小宽度的隔离结构。可以通过在衬底中形成沟槽并在沟槽中填充电介质层来形成隔离结构。有源区可以由隔离结构限定。但是,当有源区的临界尺寸或图案大小减小时,在有源区中发生倾斜现象或弯曲现象。
技术实现思路
各个实施例涉及能够防止倾斜现象和弯曲现象的隔离结构、用于制造隔离结构的方法以及用于制造包括隔离结构的半导体器件的方法。在一个实施例中,一种制造半导体器件的方法可以包括:在衬底中形成第一沟槽和第二沟槽,第一沟槽和第二沟槽互相连通,第二沟槽可以形成得比第一沟槽宽;在第一沟槽的内表面之上和在第二沟槽的内表面之上形成内衬层;在内衬层之上形成覆盖层,以形成融合的悬垂部分和未融合的悬垂部分,融合的悬垂部分可以填充第一沟槽的顶部部分,未融合的悬垂部分可以使第二沟槽的顶部部分开口;并且在覆盖层之上形成间隙填充层,以填充第一沟槽和第二沟槽的下部部分。融合的悬垂部分可以在第一沟槽的下部部分中限定第一间隙,未融合的悬垂部分可以在第二沟槽中限定第二间隙,第一间隙和第二间隙互相连通,并且间隙填充层可以填充第一间隙和第二间隙,并且从第二间隙延伸到第一间隙。所述方法还可以包括:使间隙填充层和覆盖层平坦化,以在第一沟槽和第二沟槽中形成隔离结构,平坦化的间隙填充层可以包括设置在第一沟槽中的第一平坦化的间隙填充 ...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法,包括:在衬底中形成第一沟槽和第二沟槽,其中,第一沟槽和第二沟槽互相连通,其中,第二沟槽形成得比第一沟槽宽;在第一沟槽的内部表面之上和第二沟槽的内部表面之上形成内衬层;在内衬层之上形成覆盖层,以形成融合的悬垂部分和未融合的悬垂部分,其中,融合的悬垂部分填充第一沟槽的顶部部分,其中,未融合的悬垂部分使第二沟槽的顶部部分开口;并且在覆盖层之上形成间隙填充层,以填充第一沟槽和第二沟槽的下部部分。
【技术特征摘要】
2015.12.23 KR 10-2015-01848201.一种制造半导体器件的方法,包括:在衬底中形成第一沟槽和第二沟槽,其中,第一沟槽和第二沟槽互相连通,其中,第二沟槽形成得比第一沟槽宽;在第一沟槽的内部表面之上和第二沟槽的内部表面之上形成内衬层;在内衬层之上形成覆盖层,以形成融合的悬垂部分和未融合的悬垂部分,其中,融合的悬垂部分填充第一沟槽的顶部部分,其中,未融合的悬垂部分使第二沟槽的顶部部分开口;并且在覆盖层之上形成间隙填充层,以填充第一沟槽和第二沟槽的下部部分。2.根据权利要求1所述的方法,其中,融合的悬垂部分在第一沟槽的下部部分中限定第一间隙,其中,未融合的悬垂部分在第二沟槽中限定第二间隙,其中,第一间隙和第二间隙互相连通,并且其中,间隙填充层填充第一间隙和第二间隙,并且从第二间隙延伸到第一间隙。3.根据权利要求1所述的方法,还包括:使间隙填充层和覆盖层平坦化,以在第一沟槽和第二沟槽中形成隔离结构,其中,平坦化的间隙填充层包括设置在第一沟槽中的第一平坦化的间隙填充层以及设置在第二沟槽中的第二平坦化的间隙填充层,其中,第一平坦化的间隙填充层被融合的悬垂部分完全覆盖,并且其中,第二平坦化的间隙填充层形成在第一沟槽的顶部侧壁之上。4.根据权利要求1所述的方法,其中,通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或低温原子层沉积(ALD)形成覆盖层。5.根据权利要求1所述的方法,其中,覆盖层包括氧化物基材料。6.根据权利要求1所述的方法,其中,形成内衬层包括:在第一沟槽的内部表面之上和第二沟槽的内部表面之上形成种子硅层;并且在种子硅层之上形成非晶硅层。7.根据权利要求6所述的方法,还包括:在形成覆盖层之后,将内衬层转化成氧化硅层。8.根据权利要求7所述的方法,其中,通过自由基氧化或干法氧化来执行将内衬层转化成氧化硅层。9.根据权利要求1所述的方法,其中,形成内衬层包括:在第一沟槽的内部表面之上和第二沟槽的内部表面之上形成第一氧化物层;并且执行氧化过程,以在第一沟槽和第二沟槽的内部表面与第一氧化物层之间形成第二氧化物层。10.根据权利要求9所述的方法,其中,通过自由基氧化或干法氧化来执行氧化过程。11.根据权利要求1所述的方法,其中,形成间隙填充层包括:在覆盖层之上形成第一电介质层,其中,第一电介质层基本上完全填充第一沟槽并且部分填充第二沟槽;并且在第一电介质层之上形成第二电介质层,以填充第二沟槽。12.据权利要求11所述的方法,其中,第一电介质层包括氮化物,并且其中,第二电介质层包括氧化物。13.根据权利要求11所述的方法,其中,第一电介质层和第二电介质层中的每一个包括氮化物。14.根据权利要求1所述的方法,还包括:使间隙填充层和覆盖层平坦化,以在第一沟槽和第二沟槽中形成隔离结构,其中,隔离结构限定有源区;形成跨越隔离结构和有源区延伸的栅沟槽;在栅沟槽的内部表面之上形成栅电介质层;在栅电介质层之上形成栅层,以填充栅沟槽;使栅层凹陷,以形成栅电极,从而使栅电极保留在栅沟...
【专利技术属性】
技术研发人员:金银贞,李振烈,宋翰相,金秀浩,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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