The invention discloses a plasma processing apparatus for wafer edge processing components, the edge of the wafer processing components in the etch chamber and inductively coupled plasma processing device, wherein the etch chamber comprises a base arranged at the bottom of the electrostatic chuck, arranged above the base, the wafer is disposed on the electrostatic chuck; the edge of the wafer processing components include edge protection ring, shielding ring and blocking ring; the edge edge protection ring covering the wafer, wherein the shielding ring is arranged at the edge of the protection ring above the blocking ring is arranged above the shielding ring, and the inner wall of the cavity is connected with etching. The present invention also provides a plasma processing device including such wafer edge protection assembly. The invention can prevent excessive etching gas from entering the wafer edge, thereby improving the etching uniformity of the wafer surface.
【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置及其晶圆边缘处理组件
本专利技术涉及半导体制造领域的等离子体处理装置,特别涉及一种等离子体处理装置及其晶圆边缘处理组件。
技术介绍
图1示出现有技术中的一种电感耦合等离子体处理装置,所述等离子体处理装置包括一刻蚀腔体101,刻蚀腔体101上方设置一电感线圈102,用于将射频功率施加到刻蚀腔体101内,刻蚀腔体101内的底部设有基座103,基座103上方设置静电夹盘104,晶圆105放置在静电夹盘104上方。刻蚀腔体101下方设置一排气泵106,用于将反应副产物排出刻蚀腔体101。环绕刻蚀腔体101的侧壁上设置若干气体喷口107,为了避免气体喷口107注入刻蚀腔体101的气体尚未参与反应即被排气泵106排出反应腔外,通常在气体喷口107与晶圆105之间设置一气体阻挡环108,该气体阻挡环108与刻蚀腔体101的内侧壁连接,并且位于晶圆105的上方,用于将反应气体向刻蚀腔体101的中心区域引导,以调节刻蚀腔体101内中心区域和边缘区域的气体分布均匀性。尽管气体阻挡环108可以较好的调节刻蚀腔体101内的气体分布,然而,晶圆刻蚀的均匀性与否除了与参与反应的气体浓度分布有关外,还与晶圆表面的开口率有关,晶圆的开口率指需要刻蚀的面积与整个晶圆上表面积的比例,当晶圆的开口率较低时,消耗的参与反应的等离子体较少,则刻蚀的均匀性更多的是受等离子体的浓度分布影响,当晶圆的开口率较大时,需要消耗的等离子体较多,此时,刻蚀的均匀性除了受等离子体的浓度分布影响外,还与需要刻蚀的开口面积在晶圆上的分布有关。如图2所示,为现有技术中,刻蚀晶圆表面刻蚀气体浓度与副产物浓 ...
【技术保护点】
一种用于等离子体处理装置的晶圆边缘处理组件,其特征在于,所述晶圆边缘处理组件位于一电感耦合等离子体处理装置的刻蚀腔体内,所述刻蚀腔体内包括设置在底部的基座,基座上方设置有静电夹盘,晶圆设置在所述静电夹盘上;所述晶圆边缘处理组件包含边缘保护环、遮蔽环及阻挡环;所述的边缘保护环覆盖晶圆的边缘位置,所述的遮蔽环设置在边缘保护环的上方,所述的阻挡环设置在遮蔽环的上方,并与刻蚀腔体的内壁连接。
【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体处理装置的晶圆边缘处理组件,其特征在于,所述晶圆边缘处理组件位于一电感耦合等离子体处理装置的刻蚀腔体内,所述刻蚀腔体内包括设置在底部的基座,基座上方设置有静电夹盘,晶圆设置在所述静电夹盘上;所述晶圆边缘处理组件包含边缘保护环、遮蔽环及阻挡环;所述的边缘保护环覆盖晶圆的边缘位置,所述的遮蔽环设置在边缘保护环的上方,所述的阻挡环设置在遮蔽环的上方,并与刻蚀腔体的内壁连接。2.如权利要求1所述的晶圆边缘处理组件,其特征在于,所述的边缘保护环的内径小于晶圆的直径,所述晶圆的直径比所述边缘保护环的内径大0-3mm。3.如权利要求1所述的晶圆边缘处理组件,其特征在于,所述遮蔽环的内径大于晶圆的直径,所述遮蔽环的内径比所述晶圆的直径大3-10mm。4.如权利要求1所述的晶圆边缘处理组件,其特征在于,所述遮蔽环的竖直方向的高度范围为1-20mm,所述遮蔽环水平方向的厚度范围为1-10mm。5.如权利要求1所述的晶圆边缘处理组件,其特征在于,所述的阻挡环为平板...
【专利技术属性】
技术研发人员:严利均,余东洋,黄秋平,刘身健,浦远,
申请(专利权)人:中微半导体设备上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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