像素单元及包含其的阵列基板制造技术

本发明专利技术属于液晶显示技术领域。本发明专利技术提出一种像素单元，本发明专利技术的像素单元的存储电容设置在阵列基板上，该存储电容包括设置在第一金属层的第一电极和设置在第二金属层的第二电极，在第一电极和第二电极之间设置有绝缘层，第二电极和第一电极相互重叠形成第一重叠区域，若所述第二电极相对于所述第一电极的偏移在预设距离范围内，所述第一重叠区域的面积保持一致。从而避免了由于对组精度差异引起的存储电容差异，避免了由此产生的水痕。本发明专利技术的阵列基板由于包括上述像素单元的存储电容，使得产品品质得以提高。

Pixel unit and array substrate including the same

The invention belongs to the technical field of liquid crystal display. The invention provides a pixel unit, the storage capacitor of the pixel unit of the invention is arranged on the array substrate, the storage capacitor includes a first electrode is arranged on the first metal layer and the second electrode arranged on the second metal layer, between the first electrode and the second electrode is provided with insulating layer and the second electrode and the first electrode overlap the formation of the first overlap area, if the second electrode relative to the first electrode offset in the preset range, the first overlap area consistent. Thereby avoiding the difference of the storage capacitance caused by the difference of the group accuracy, thereby avoiding the water mark resulting therefrom. The array substrate of the invention can improve the quality of the product because of the storage capacitor of the pixel unit.

【技术实现步骤摘要】
像素单元及包含其的阵列基板
本专利技术属于液晶显示
，具体涉及一种像素单元及包含其的阵列基板。
技术介绍
水痕缺陷是液晶面板较常见的一类问题，通常将不均匀的画面，如雨点状、团状、雾状的缺陷称为水痕缺陷。产生水痕的原因有多种，包括液晶盒间隙不均、金属蚀刻不均匀、不同区域的对组精度差异等。不同区域的对组精度差异会造成不同区域的像素单元的存储电容不一致，从而产生水痕。在液晶面板显示图像的过程中，像素单元的存储电容起到至关重要的作用。存储电容能够有限减小馈通效应(feedthrough)，保持液晶分子两端的电压，使像素单元显示画面更加稳定。在充电率允许的情况下，设计中会尽可能保证较大的存储电容，以使画面显示更均匀、稳定。图1为现有技术中一种常见的小尺寸像素(pixel)设计示意图，存储电容10包括位于第一金属层的第一电极11和位于第二金属层的第二电极12，第二电极12包括第二区域121和连接至漏电极的第三区域122。同时，在第一电极11和第二电极12之间设置有绝缘层。其中，第二电极12与第一电极11的重叠区域的面积决定了存储电容的大小。在图1中，第二电极12与第一电极11的重叠区域由第二区域121和第三区域122共同与第一电极11的重叠区域构成。常规设计中，沿阵列基板法线方向观测，第二区域121的面积小于第一电极11的面积，即第一电极11的周向边缘110较第二区域121的周向边缘向外偏离至少2.5微米，这种设置主要考虑了4掩膜制程的特点及对组精度的影响。在阵列基板制程中，不同区域的对组精度差异，导致不同区域像素单元的存储电容的第二电极相对于第一电极发生偏移，但偏移量不超过2.5微米。采用如图1所示的设置。对于像素尺寸较大的产品来说，第三区域122与第一电极11的重叠区域可以忽略不计，即第二电极12与第一电极11的重叠区域的面积由第二区域121与第一电极11的重叠区域的面积构成。这样，即使第二电极相对于第一电极发生了偏移，第二电极12与第一电极11的重叠区域的面积也不会改变，从而存储电容也不会改变。图2a、2b、2c分别为第二电极12相对于第一电极11位置对正、下移、上移时，第二电极12与第一电极11的位置关系示意图，从中可以看出，无论是第二电极相对于第一电极下移还是上移，第二电极12与第一电极11的重叠区域的面积均保持不变，即存储电容保持不变。这样，也就避免了由于存储电容改变而产生的水痕。但是，对于像素尺寸较小的产品来说，第三区域122’与第一电极11的重叠区域不能够忽略不计。这样，当第二电极12’相对于第一电极11发生相对偏移时，第二电极12’与第一电极11的重叠区域的面积会发生改变，如图3a、图3b、图3c所示。图3a为第二电极12’与第一电极11处于正常位置时示意图，此时，二者重叠区域的面积为S1；当第二电极12’相对于第一电极11向下偏移时，二者重叠区域的面积为S2，显然，S2小于S1，如图3b所示；当第二电极12’相对于第一电极11向上偏移时，二者重叠区域的面积为S3，显然，S3大于S1，如图3c所示。重叠区域面积的差异导致了存储电容的改变。这种变化量对像素尺寸较大的产品影响较小，但对像素尺寸较小的产品影响很大。这是因为，小尺寸的像素的存储电容相对较小，但漏电极的线宽与大尺寸像素的漏电极线宽基本一致，所以，偏移导致的电容值的变化在小尺寸像素中表现的更加明显。不同区域的对组精度的差异，导致不同区域的存储电容产生差异。这种差异在低灰阶显示时会引发水痕，造成产品品质下降。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本专利技术提出了一种像素单元，通过设置存储电容的第一电极或第二电极的结构，使得当不同区域的像素单元的第一电极和第二电极之间的对组精度存在差异情况下，不同像素单元的存储电容保持一致，从而避免了由于存储电容差异而产生的水痕。一种像素单元，所述像素单元的存储电容设置在阵列基板上，所述存储电容包括设置在第一金属层的第一电极和设置在第二金属层的第二电极，在所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘层，其中，所述第二电极和所述第一电极相互重叠形成第一重叠区域，若所述第二电极相对于所述第一电极的偏移在预设距离范围内，所述第一重叠区域的面积保持一致。第二电极和第一电极的相互重叠区域的面积决定了存储电容的大小，因此，当重叠区域的面积保持一致时，存储电容的大小保持一致，从而避免了由于不同像素单元的存储电容的差异引起的水痕，提升了产品品质。作为对本专利技术的进一步改进，如上所述的像素单元，其中，所述第一电极包括第一区域，所述第二电极包括第二区域和第三区域，其中，当所述第二区域与所述第一区域的中心相互重合时，所述第一区域的周向边缘相对于所述第二区域的周向边缘朝向所述第二区域的外侧偏移第一距离，所述第三区域设置在所述第二区域的第一边缘并沿第二方向朝向所述第二区域的外侧延伸，所述第三区域在第一方向上的宽度为第一宽度，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述预设距离与所述第一距离相等。这里的第一距离可以选取最大对组精度误差，从而，在对组过程中，第二区域始终处于第一区域的内部，避免了由于第二区域引起的第一重叠区域面积的改变。作为对本专利技术的进一步改进，如上所述的像素单元，其中，所述第二电极还包括第四区域，所述第四区域设置在所述第二区域的第二边缘并沿所述第二方向朝向所述第二区域的外部延伸，所述第四区域在所述第一方向上的宽度等于所述第一宽度，所述第二边缘与所述第一边缘相对平行设置。由于第三区域沿第二方向朝向第二区域的外侧延伸，所以第三区域会突出第一区域的外部。当不同像素单元的第一电极与第二电极的对组精度存在差异时，第三区域与第一区域的重叠面积会发生改变，从而导致不同像素单元的第一重叠区域的面积产生差异，进一步导致存储电容产生差异，导致水痕。同理，第四区域与第一区域也存在重叠面积，当不同像素单元的第一电极与第二电极的对组精度存在差异时，第四区域与第一区域的重叠面积也会发生改变。当第四区域设置在第三区域的相对侧时，第四区域与第一区域的重叠面积的改变能够减弱第三区域与第一区域重叠面积的改变，尤其当第四区域在第一方向上的宽度等于第三区域在第一方向上的宽度时，第四区域与第一区域的重叠面积的改变更加能够弥补第三区域与第一区域重叠面积的改变，从而减小不同像素单元的第一重叠区域的面积差异，减小存储电容之间的差异，改善由于不同像素单元的第一电极与第二电极的对组精度存在差异引起的水痕。作为对第四区域的设置位置的进一步改进，如上所述的像素单元，其中，所述第四区域与所述第三区域相对设置。此时，第四区域与第三区域在第二方向上位于同一条中心线上。无论第一区域和第二区域的外周形状如何，第四区域与第一区域的重叠面积的改变都能最大程度地弥补第三区域与第一区域的重叠面积的改变，改善由于不同像素单元的第一电极与第二电极的对组精度存在差异引起的水痕。作为对第四区域的进一步改进，如上所述的像素单元，其中，所述第四区域在所述第二方向上的长度等于或大于所述第一距离的2倍。这样的第四区域，在不同像素单元的第一电极与第二电极的对组精度存在差异时，第四区域与第一区域的重叠面积的改变能够完全弥补第三区域与第一区域的重叠面积的改变，从而使得不同像素单元的第一重叠区域的面积保持一致，使得存储电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素单元，所述像素单元的存储电容设置在阵列基板上，所述存储电容包括设置在第一金属层的第一电极和设置在第二金属层的第二电极，在所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘层，其特征在于，所述第二电极和所述第一电极相互重叠形成第一重叠区域，若所述第二电极相对于所述第一电极的偏移在预设距离范围内，所述第一重叠区域的面积保持一致。

【技术特征摘要】
1.一种像素单元，所述像素单元的存储电容设置在阵列基板上，所述存储电容包括设置在第一金属层的第一电极和设置在第二金属层的第二电极，在所述第一电极和所述第二电极之间设置有绝缘层，其特征在于，所述第二电极和所述第一电极相互重叠形成第一重叠区域，若所述第二电极相对于所述第一电极的偏移在预设距离范围内，所述第一重叠区域的面积保持一致。2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述第一电极包括第一区域，所述第二电极包括第二区域和第三区域，其中，当所述第二区域与所述第一区域的中心相互重合时，所述第一区域的周向边缘相对于所述第二区域的周向边缘朝向所述第二区域的外侧偏移第一距离，所述第三区域设置在所述第二区域的第一边缘并沿第二方向朝向所述第二区域的外侧延伸，所述第三区域在第一方向上的宽度为第一宽度，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述预设距离与所述第一距离相等。3.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述第二电极还包括第四区域，所述第四区域设置在所述第二区域的第二边缘并沿所述第二方向朝向所述第二区域的外部延伸，所述第四区域在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：安立扬，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44