本发明专利技术提供一种相位差膜，所述相位差膜由于对400nm附近的短波长的可见光显示高吸收选择性，因而具有高耐光性，并且在用于显示装置时可赋予良好的显示特性。满足下述式(1)～(4)全部的相位差膜：2≤A(380) (1)，0.5≤A(400) (2)，0.4≥A(420)/A(400) (3)，100nm≤Re(550)≤170nm (4)。式中，A(λ)表示波长λnm处的吸光度、Re(550)表示对于波长550nm的光的面内相位差值。
Phase difference film
The present invention provides a phase difference film, the phase difference film due to the short wavelength of visible light near 400nm shows high absorption selectivity, so it has high light fastness, and can give good display characteristics in is used for a display device. Meet the following formula (1) ~ (4) all the phase difference film: 2 = A (380) (1), 0.5 A (400) (2), 0.4 A (420) /A (400) (3), 100nm Re (550) 170nm (4). In the formula, the A (lambda) represents the absorbance at the wavelength of lambda nm, and the Re (550) represents the in-plane phase difference for the light of the wavelength 550nm.
【技术实现步骤摘要】
相位差膜
本专利技术涉及相位差膜、包含上述相位差膜的圆偏振板和具备上述相位差膜的显示装置。
技术介绍
有机EL显示装置、液晶显示装置等平板显示装置(FPD)中使用有机EL元件、液晶单元等显示元件以及偏振板、相位差膜等光学膜等各种各样的部件。这些部件中使用的有机EL化合物和液晶化合物等材料为有机物，因此有时因紫外线(UV)造成的劣化成为问题。为了解决这样的问题，进行了各种各样的对策。例如专利文献1中，通过在这些显示装置中使用的偏振板的保护膜中添加UV吸收剂由此实现防止部件的劣化。另外，在对显示装置的薄型化的追求中，要求无保护膜的偏振板，专利文献2中公开了尝试由具有UV吸收功能的聚合性液晶化合物制作相位差膜，使得表现出UV吸收功能和相位差功能两者。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-308936号公报专利文献2：日本特开2015-143789号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题近年来，在液晶显示器等显示装置中，存在长时间的显示器观看时的疲劳、视力下降的问题，作为其对策，要求将短波长的可见光(400nm附近)截断的蓝光截断功能。另外，在本专利技术中明确了构成显示装置的各种部件不仅因紫外线，也会因短波长区域的可见光而性能劣化，对于偏振板等光学膜，要求对于400nm附近的光具有吸收特性。另一方面，为了对显示装置赋予良好的显示特性，需要对于大于430nm的可见光区域(例如蓝色光)显示吸收特性，并且对于400nm附近的短波长的可见光具有高光选择吸收性是重要的。此外，针对对显示装置的薄型化的要求，为了具有充分的UV吸收特性且实现光学膜的薄型化，考虑在相位差膜等光学膜中配合光吸收剂。尽管经常进行在粘合剂中配合光吸收剂，但是由粘合剂形成的层多数情况下较厚，因此显示装置的薄型化有可能变得困难。另一方面，在光学膜中配合光吸收剂的情况下，并非使用微米级的粘合剂，而能够使用纳米级的粘接剂将相位差膜与其他部件贴合，期待实现进一步的薄型化。但是，若在光学膜中配合光吸收剂，则需要光吸收剂在形成光学膜的液晶化合物、涂敷液中的高溶解性、与形成相位差膜的材料的亲和性。由于其不充分，有时在相位差膜形成后紫外线吸收剂随着时间推移发生渗出，或者另外阻碍液晶化合物的取向导致光学功能下降。由此，本专利技术提供一种相位差膜，所述相位差膜由于对400nm附近的短波长的可见光显示高的光吸收选择性，因而具有高耐光性，并且在用于显示装置时可赋予良好的显示特性。用于解决问题的手段本专利技术提供以下的适宜方案[1]～[11]。[1]一种相位差膜，其满足下述式(1)～(4)的全部，2≤A(380)(1)0.5≤A(400)(2)0.4≥A(420)/A(400)(3)100nm≤Re(550)≤170nm(4)式中，A(λ)表示波长λnm处的吸光度，Re(550)表示对于波长550nm的光的面内相位差值。[2]如上述[1]所述的相位差膜，其厚度为0.5μm以上且5μm以下。[3]如上述[1]或[2]所述的相位差膜，其是包含聚合性液晶化合物的在取向状态下的聚合物的层。[4]如上述[1]～[3]中任一项所述的相位差膜，其还具有下述式(5)和式(6)所示的光学特性，Re(450)/Re(550)≤1(5)1≤Re(650)/Re(550)(6)式中，Re(λ)表示对于波长λnm的光的面内相位差值。[5]如上述[1]～[4]中任一项所述的相位差膜，其中，聚合性液晶化合物的在取向状态下的聚合物在波长300～400nm显示最大吸收，并且显示满足式(1)的吸收。[6]如上述[1]～[5]中任一项所述的相位差膜，其中，包含在波长360～420nm显示最大吸收的化合物。[7]如上述[6]所述的相位差膜，其中，在波长360～420nm显示最大吸收的化合物满足下述式(I)，式(I)中，R1表示氢原子或碳数1～10的烷基，在该烷基具有至少一个亚甲基的情况下，该亚甲基的至少一个可以被氧原子或硫原子取代，A1、A2和A3相互独立地表示氢原子、碳数1～6的烷基、芳香族烃基或芳香族杂环基，在该烷基具有至少一个亚甲基的情况下，该亚甲基的至少一个可以被仲氨基、氧原子、硫原子取代，该芳香族烃基和芳香族杂环基可以具有取代基，A1与A2、A2与A3可以相互连结形成环结构，X1和X2相互独立地表示吸电子性基团，X1和X2可以相互连结形成环结构。[8]一种圆偏振板，其中，以上述[1]～[7]中任一项所述的相位差膜的慢轴与偏振板的吸收轴实质上成45°的方式层叠。[9]一种有机电致发光显示装置，其具有上述[8]所述的圆偏振板。[10]一种椭圆偏振板，其中，以上述[1]～[7]中任一项所述的相位差膜的慢轴与偏振板的吸收轴实质上一致或正交的方式层叠。[11]一种液晶显示装置，其具有上述[10]所述的椭圆偏振板。专利技术效果根据本专利技术，可以提供一种相位差膜，所述相位差膜通过对400nm附近的短波长的可见光显示高的吸收特性而具有高耐光性，并且具备蓝光截断功能，而且在用于显示装置时可赋予良好的显示特性。具体实施方式以下，对于本专利技术的实施方式进行详细说明。需要说明的是，本专利技术的范围不限于在此说明的实施方式，可以在不损害本专利技术的主旨构成的范围内进行各种变更。本专利技术的相位差膜是满足下述式(1)～(4)的相位差膜。2≤A(380)(1)0.5≤A(400)(2)0.4≥A(420)/A(400)(3)100nm≤Re(550)≤170nm(4)在上述式(1)和(2)中，A(λ)表示波长λnm处的吸光度，Re(550)表示对于波长550nm的光的面内相位差值。在满足上述式(1)～(4)的情况下，所述相位差膜成为对于380nm附近的紫外线和400nm附近的短波长的可见光显示高的吸收特性，可以抑制因380nm附近的紫外线和400nm附近的短波长的可见光造成的劣化，并且在用于显示装置时可赋予良好的显示特性的相位差膜。A(380)的值越大则越显示波长380nm处的吸收高，若该值小于2，则波长380nm处的吸收弱，位于下层的有机EL元件等显示元件的劣化容易发生。紫外线区域的光特别容易引起构成显示装置的各部件的劣化，因此本专利技术的相位差膜的A(380)的值为2以上，优选为2.2以上，更优选为2.5以上，进一步优选为2.8以上，特别优选为3以上。A(380)的值的上限没有特别限定，从与相位差膜的相容性的观点出发，通常优选为4以下。A(400)的值越大，则越显示波长400nm处的吸收高，若该值小于0.5，则波长400nm处的吸收弱，容易由于400nm附近的光而使相位差膜发生劣化，并且在用于显示装置时位于相位差膜更下层的有机EL元件等显示元件的劣化容易发生。由于不仅紫外线连400nm附近的光也引起构成显示装置的各部件的劣化，并且出于赋予良好的蓝光截断功能的目的，本专利技术的相位差膜的A(400)的值为0.5以上，优选为0.6以上，更优选为0.7以上，进一步优选为1以上，特别优选为1.2以上，例如为2以上。A(400)的值的上限没有特别限定，从与相位差膜的相容性的观点出发，通常优选为4以下。A(420)/A(400)的值表示相对于波长420nm处的吸收的强度的波长400nm处的吸收的强度，该值越小则表示越在400nm附近的波长范围具有特异性吸收。该值越小本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种相位差膜，其满足下述式(1)～(4)的全部，2≤A(380) (1)0.5≤A(400) (2)0.4≥A(420)/A(400) (3)100nm≤Re(550)≤170nm (4)式中，A(λ)表示波长λnm处的吸光度，Re(550)表示对于波长550nm的光的面内相位差值。
【技术特征摘要】
2015.12.28 JP 2015-2571341.一种相位差膜，其满足下述式(1)～(4)的全部，2≤A(380)(1)0.5≤A(400)(2)0.4≥A(420)/A(400)(3)100nm≤Re(550)≤170nm(4)式中，A(λ)表示波长λnm处的吸光度，Re(550)表示对于波长550nm的光的面内相位差值。2.如权利要求1所述的相位差膜，其厚度为0.5μm以上且5μm以下。3.如权利要求1或2所述的相位差膜，其是包含聚合性液晶化合物的在取向状态下的聚合物的层。4.如权利要求1～3中任一项所述的相位差膜，其还具有下述式(5)和式(6)所示的光学特性，Re(450)/Re(550)≤1(5)1≤Re(650)/Re(550)(6)式中，Re(λ)表示对于波长λnm的光的面内相位差值。5.如权利要求1～4中任一项所述的相位差膜，其中，聚合性液晶化合物的在取向状态下的聚合物在波长300～400nm显示最大吸收，并且显示满足式(1)的吸收。6.如权利要求1～5中任一项所述的相位差膜，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：幡中伸行，吉冈真之介，小泽昭一，葛西辰昌，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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