The present invention provides a method for transmission electron microscopy from chip sample preparation method, observation including: providing sample, on top of the deposition of the first protective layer of the sample, the first protective layer is covered with the analysis of the target to be measured perpendicular to the corresponding top face samples of rectangle area as the center of expansion a second protective layer; the square in the center of the first four corners sedimentary protection layer and four edges; depositing third protective layer to completely cover the second protective layer and a first protective layer; removing in the sample covered outside the first protective layer of the lower part of the two parallel side of the sample to measure the inverted triangle; the lower part of the sample will be one of the two sides of an inverted triangle attached to the support table; through the grinding removal third protective layer, the protective layer and the second First protection layer. According to the present invention, the time of preparing the sample can be controlled within 1 hours without damaging the part in the sample to be tested.
【技术实现步骤摘要】
用于透射电子显微镜俯视观察的芯片样品制备方法
本专利技术涉及半导体制造工艺,具体而言涉及一种通过聚焦电子束制备用于透射电子显微镜俯视观察的芯片样品的方法。
技术介绍
在对制备的芯片进行失效分析时,通过透射电子显微镜观察芯片样品通常采用两种方式,即观察芯片样品的侧视剖面或者从芯片样品的正面进行俯视观察。用于透射电子显微镜观察的芯片样品的制备工作通过聚焦电子束来完成,在制备用于透射电子显微镜俯视观察的芯片样品时,很难控制精度且需耗费很长时间,因此,通常选择观察芯片样品的侧视剖面来找出芯片失效的根源,然而,在某些情况下,这种观察方法存在问题,例如,制备样品的侧视剖面的过程中采用的研磨过程可能会露出存在缺陷的部位,暴露出来的出现缺陷的部位会被后续使用透射电子显微镜观察所需的旋涂材料所填充,造成反馈信号的减弱,进而影响观察的结果。因此,需要提出一种方法,以解决上述问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术提供一种用于透射电子显微镜俯视观察的芯片样品制备方法,包括:a)提供待测样品,在所述待测样品的顶面沉积第一保护层,使所述第一保护层覆盖以所述待测样品的顶面部分为中心扩展的矩形区域,所述顶面部分与待分析目标相垂直对应;b)在所述第一保护层的四个顶角以及四条边缘的中心位置沉积呈正方形的第二保护层;c)沉积第三保护层,以完全覆盖所述第二保护层和所述第一保护层;d)去除位于所述第一保护层所覆盖的部分之外的待测样品,使所述待测样品的两个相平行的侧面的下部呈倒三角形;e)将所述待测样品的下部呈倒三角形的两个侧面之一附着于支撑台上;f)通过精磨去除所述第三保护层、所述第二保 ...
【技术保护点】
一种用于透射电子显微镜俯视观察的芯片样品制备方法,其特征在于,包括:a)提供待测样品,在所述待测样品的顶面沉积第一保护层,使所述第一保护层覆盖以所述待测样品的顶面部分为中心扩展的矩形区域,所述顶面部分与待分析目标相垂直对应;b)在所述第一保护层的四个顶角以及四条边缘的中心位置沉积呈正方形的第二保护层;c)沉积第三保护层,以完全覆盖所述第二保护层和所述第一保护层;d)去除位于所述第一保护层所覆盖的部分之外的待测样品,使所述待测样品的两个相平行的侧面的下部呈倒三角形;e)将所述待测样品的下部呈倒三角形的两个侧面之一附着于支撑台上;f)通过精磨去除所述第三保护层、所述第二保护层和所述第一保护层。
【技术特征摘要】
1.一种用于透射电子显微镜俯视观察的芯片样品制备方法,其特征在于,包括:a)提供待测样品,在所述待测样品的顶面沉积第一保护层,使所述第一保护层覆盖以所述待测样品的顶面部分为中心扩展的矩形区域,所述顶面部分与待分析目标相垂直对应;b)在所述第一保护层的四个顶角以及四条边缘的中心位置沉积呈正方形的第二保护层;c)沉积第三保护层,以完全覆盖所述第二保护层和所述第一保护层;d)去除位于所述第一保护层所覆盖的部分之外的待测样品,使所述待测样品的两个相平行的侧面的下部呈倒三角形;e)将所述待测样品的下部呈倒三角形的两个侧面之一附着于支撑台上;f)通过精磨去除所述第三保护层、所述第二保护层和所述第一保护层。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,实施所述步骤a)-步骤c)中的沉积时,将所述待测样品的顶面相对于操作台的表面倾斜52度放置。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二保护层的材料和所述第一保护层的材料不同。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述倒三角形的顶边距离与所述待分析目标的下部之间的垂直距离Dt大于500nm。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤d)包括:分别沿所述第三保护层的两个长边和一个短边向下切割所述待测样品到底;沿所述第三保护层的一个长边向下找到与位于所述待分析目标下方距离为所...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵耀斌,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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