射线探测基板及其制造方法、射线探测装置制造方法及图纸

本申请公开了一种射线探测基板及其制造方法、射线探测装置，属于显示技术领域。所述射线探测基板包括：衬底基板，衬底基板上设置有光电二极管，光电二极管包括两个掺杂层和本征层，本征层位于两个掺杂层之间，两个掺杂层的排布方向平行于衬底基板。本申请解决了X射线探测装置的性能较差的问题，提高了X射线探测装置的性能，本申请用于射线探测装置。

【技术实现步骤摘要】
射线探测基板及其制造方法、射线探测装置
本申请涉及显示
，特别涉及一种射线探测基板及其制造方法、射线探测装置。
技术介绍
X射线(也称伦琴射线)探测装置能够对待检测部件的内部形状和结构进行探测。X射线探测装置包括：X射线源、间接型X射线探测基板和显示器。在使用X射线探测装置时，可以将待检测部件置于X射线源和X射线探测基板之间，X射线源能够发出X射线，X射线在穿过待检测部件后射入X射线探测基板，间接型X射线探测基板能够根据射入的X射线生成电信号，并将生成的电信号输入显示器，使得显示器显示图像。相关技术中，间接型X射线探测基板包括衬底基板，衬底基板上形成有光电二极管，光电二极管上方又覆盖有闪烁层。闪烁层能够将射入闪烁层的X射线转换为可见光，并将可见光射入光电二极管，光电二极管能够将射入光电二极管的可见光转换成电信号。示例的，光电二极管包括叠加设置的两个掺杂层和本征层，该本征层位于两个掺杂层之间，两个掺杂层的叠加方向(也即本征层的厚度方向)垂直于衬底基板。本征层的厚度(也即两个掺杂层之间的距离)越大，光电二极管的光电转换效率越高。由于相关技术中无法在衬底基板上制造较厚的光电二极管，进而无法制造包含较厚本征层的间接型X射线探测基板，因此，X射线探测基板中光电二极管的光电转换效率较低，X射线探测装置的性能较差。
技术实现思路
为了解决X射线探测装置的性能较差的问题，本专利技术实施例提供了一种射线探测基板及其制造方法、射线探测装置。所述技术方案如下：第一方面，提供了一种射线探测基板，所述射线探测基板包括：衬底基板，所述衬底基板上设置有光电二极管，所述光电二极管包括两个掺杂层和本征层，所述本征层位于两个掺杂层之间，所述两个掺杂层的排布方向平行于所述衬底基板。可选的，设置有所述光电二极管的衬底基板上设置有闪烁层；所述衬底基板上设置有阳极图案和阴极图案；设置有所述阳极图案和所述阴极图案的衬底基板上设置有所述光电二极管；其中，所述两个掺杂层包括第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层中的自由电子个数小于空穴个数，所述第二掺杂层中的自由电子个数大于空穴个数，所述第一掺杂层与所述阴极图案相连接，所述第二掺杂层与所述阳极图案相连接。可选的，所述第一掺杂层中靠近所述阴极图案的区域的离子掺杂浓度大于远离所述阴极图案的区域的离子掺杂浓度；所述第二掺杂层中靠近所述阳极图案的区域的离子掺杂浓度大于远离所述阳极图案的区域的离子掺杂浓度。可选的，所述衬底基板上依次设置有：源漏极图案、源漏极绝缘层、所述阴极图案、所述光电二极管、有源层图案、栅极绝缘层、栅极图案、树脂封装图案和所述闪烁层；其中，所述源漏极图案中的漏极图案为所述阳极图案，所述有源层图案通过所述源漏极绝缘层上的过孔与所述源漏极图案相连接，所述栅极图案、所述源漏极图案、所述有源层图案、所述源漏极绝缘层和所述栅极绝缘层组成薄膜晶体管。可选的，所述有源层图案在所述衬底基板上的正投影区域位于所述栅极图案在所述衬底基板上的正投影区域内。可选的，设置有所述阳极图案和所述阴极图案的衬底基板上设置有第一光电二极管、第二光电二极管和第三光电二极管，所述第一光电二极管靠近所述薄膜晶体管设置，所述第三光电二极管远离所述薄膜晶体管设置，所述第二光电二极管设置在所述第一光电二极管和所述第三光电二极管之间；所述第一光电二极管的第一掺杂层和第二掺杂层沿朝向所述第二光电二极管的方向依次设置，所述第二光电二极管的第一掺杂层和第二掺杂层沿朝向所述第一光电二极管的方向依次设置，所述第三光电二极管的第二掺杂层和第一掺杂层沿朝向所述第二光电二极管的方向依次设置；所述漏极图案包括第一平板电极、第二平板电极和第三平板电极，所述第一平板电极设置在所述衬底基板上，且平行于所述衬底基板，所述第二平板电极和所述第三平板电极均固定设置在所述第一平板电极上，且均垂直于所述衬底基板，所述第二平板电极位于所述第一光电二极管和所述第二光电二极管之间，所述第三平板电极位于所述第三光电二极管远离所述第二光电二极管的一侧；所述阴极图案包括第四平板电极和第五平板电极，所述第四平板电极位于所述第一光电二极管远离所述第二光电二极管的一侧，所述第五平板电极位于所述第二光电二极管与所述第三光电二极管之间。可选的，所述射线探测基板为伦琴射线探测基板。第二方面，提供了一种射线探测基板的制造方法，所述方法包括：在衬底基板上形成光电二极管，所述光电二极管包括两个掺杂层和本征层，所述本征层位于两个掺杂层之间，所述两个掺杂层的排布方向平行于所述衬底基板。可选的，在所述在衬底基板上形成光电二极管之后，所述方法还包括：在形成有所述光电二极管的衬底基板上形成闪烁层；在所述在衬底基板上形成光电二极管之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成阳极图案和阴极图案；所述在衬底基板上形成光电二极管，包括：在形成有所述阳极图案和所述阴极图案的衬底基板上形成所述光电二极管；其中，所述两个掺杂层包括第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层中的自由电子个数小于空穴个数，所述第二掺杂层中的自由电子个数大于空穴个数，所述第一掺杂层与所述阴极图案相连接，所述第二掺杂层与所述阳极图案相连接。可选的，所述在形成有所述阳极图案和所述阴极图案的衬底基板上形成所述光电二极管，包括：在形成有所述阳极图案和所述阴极图案的衬底基板上形成非晶硅层；对形成有所述非晶硅层的衬底基板进行退火处理；对退火处理后的非晶硅层进行图案化处理，得到非晶硅图案；采用离子注入工艺对所述非晶硅图案进行掺杂，得到所述第一掺杂层和所述第二掺杂层，所述非晶硅图案中未被掺杂的部分为本征层；对形成有所述第一掺杂层、所述本征层和所述第二掺杂层的衬底基板进行活化处理，得到所述光电二极管。可选的，所述采用离子注入工艺对所述非晶硅图案进行掺杂，得到所述第一掺杂层和所述第二掺杂层，包括：采用轻重掺杂共用的离子注入工艺对所述非晶硅图案进行掺杂，得到第一掺杂层和第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层中靠近所述阴极图案的区域的离子掺杂浓度大于远离所述阴极图案的区域的离子掺杂浓度；所述第二掺杂层中靠近所述阳极图案的区域的离子掺杂浓度大于远离所述阳极图案的区域的离子掺杂浓度。可选的，在所述衬底基板上形成阳极图案和阴极图案，包括：在所述衬底基板上依次形成：源漏极图案、源漏极绝缘层和所述阴极图案，其中，所述源漏极图案中的漏极图案为所述阳极图案；在所述在衬底基板上形成光电二极管之后，所述方法还包括：在形成有所述光电二极管的衬底基板上依次形成：有源层图案、栅极绝缘层、栅极图案和树脂封装图案；在形成有所述光电二极管的衬底基板上形成闪烁层，包括：在形成有所述有源层图案、所述栅极绝缘层、所述栅极图案和所述树脂封装图案的衬底基板上形成所述闪烁层；其中，所述有源层图案通过所述源漏极绝缘层上的过孔与所述源漏极图案相连接，所述栅极图案、所述源漏极图案、所述有源层图案、所述源漏极绝缘层和所述栅极绝缘层组成薄膜晶体管。可选的，所述有源层图案在所述衬底基板上的正投影区域位于所述栅极图案在所述衬底基板上的正投影区域内。可选的，所述非晶硅图案包括三个非晶硅块，所述采用离子注入工艺对所述非晶硅图案进行掺杂，得到所述第一掺杂层和所述第二掺杂层，包括：采用离子注入工艺对所述三个非晶硅块进行掺杂，得到三个第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射线探测基板，其特征在于，所述射线探测基板包括：衬底基板，所述衬底基板上设置有光电二极管，所述光电二极管包括两个掺杂层和本征层，所述本征层位于两个掺杂层之间，所述两个掺杂层的排布方向平行于所述衬底基板。

【技术特征摘要】
1.一种射线探测基板，其特征在于，所述射线探测基板包括：衬底基板，所述衬底基板上设置有光电二极管，所述光电二极管包括两个掺杂层和本征层，所述本征层位于两个掺杂层之间，所述两个掺杂层的排布方向平行于所述衬底基板。2.根据权利要求1所述的射线探测基板，其特征在于，设置有所述光电二极管的衬底基板上设置有闪烁层；所述衬底基板上设置有阳极图案和阴极图案；设置有所述阳极图案和所述阴极图案的衬底基板上设置有所述光电二极管；其中，所述两个掺杂层包括第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层中的自由电子个数小于空穴个数，所述第二掺杂层中的自由电子个数大于空穴个数，所述第一掺杂层与所述阴极图案相连接，所述第二掺杂层与所述阳极图案相连接。3.根据权利要求2所述的射线探测基板，其特征在于，所述第一掺杂层中靠近所述阴极图案的区域的离子掺杂浓度大于远离所述阴极图案的区域的离子掺杂浓度；所述第二掺杂层中靠近所述阳极图案的区域的离子掺杂浓度大于远离所述阳极图案的区域的离子掺杂浓度。4.根据权利要求2或3所述的射线探测基板，其特征在于，所述衬底基板上依次设置有：源漏极图案、源漏极绝缘层、所述阴极图案、所述光电二极管、有源层图案、栅极绝缘层、栅极图案、树脂封装图案和所述闪烁层；其中，所述源漏极图案中的漏极图案为所述阳极图案，所述有源层图案通过所述源漏极绝缘层上的过孔与所述源漏极图案相连接，所述栅极图案、所述源漏极图案、所述有源层图案、所述源漏极绝缘层和所述栅极绝缘层组成薄膜晶体管。5.根据权利要求4所述的射线探测基板，其特征在于，所述有源层图案在所述衬底基板上的正投影区域位于所述栅极图案在所述衬底基板上的正投影区域内。6.根据权利要求4所述的射线探测基板，其特征在于，设置有所述阳极图案和所述阴极图案的衬底基板上设置有第一光电二极管、第二光电二极管和第三光电二极管，所述第一光电二极管靠近所述薄膜晶体管设置，所述第三光电二极管远离所述薄膜晶体管设置，所述第二光电二极管设置在所述第一光电二极管和所述第三光电二极管之间；所述第一光电二极管的第一掺杂层和第二掺杂层沿朝向所述第二光电二极管的方向依次设置，所述第二光电二极管的第一掺杂层和第二掺杂层沿朝向所述第一光电二极管的方向依次设置，所述第三光电二极管的第二掺杂层和第一掺杂层沿朝向所述第二光电二极管的方向依次设置；所述漏极图案包括第一平板电极、第二平板电极和第三平板电极，所述第一平板电极设置在所述衬底基板上，且平行于所述衬底基板，所述第二平板电极和所述第三平板电极均固定设置在所述第一平板电极上，且均垂直于所述衬底基板，所述第二平板电极位于所述第一光电二极管和所述第二光电二极管之间，所述第三平板电极位于所述第三光电二极管远离所述第二光电二极管的一侧；所述阴极图案包括第四平板电极和第五平板电极，所述第四平板电极位于所述第一光电二极管远离所述第二光电二极管的一侧，所述第五平板电极位于所述第二光电二极管与所述第三光电二极管之间。7.根据权利要求1所述的射线探测基板，其特征在于，所述射线探测基板为伦琴射线探测基板。8.一种射线探测基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成光电二极管，所述光电二极管包括两个掺杂层和本征层，所述本征层位于两个掺杂层之间，所述两个掺杂层的排布方向平行于所述衬底基板。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述在衬底基板上形成光电二极管之后，所述方法还包括：在形成有所述光电二极管的衬底基板上形成闪烁层；在所述在衬底基板上形成光电二极管之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成阳极图案和阴极图案；所述在衬底基板上形成光电二极管，包括：在形成有所述阳极图案和所述阴极图案的衬底基板上形成所述光电二极管；其中，所述两个掺杂层包括第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层中的自由电子个数小于空穴个数，所述第二掺杂层中的自由电子个数大于空穴个数，所述第一掺杂层与所述阴极图案相连接，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵磊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11