光伏装置制造方法及图纸

光伏装置包含基板、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第一电极及第二电极。基板具有第一掺杂型；第一掺杂区位于基板内并具有第二掺杂型；第二掺杂区与第一掺杂区部分重迭并具有第一掺杂型，第二掺杂区的掺杂浓度大于基板的掺杂浓度；第三掺杂区部分重迭第一掺杂区及部分重迭第二掺杂区，并具有第二掺杂型，第三掺杂区的掺杂浓度大于第一掺杂区的掺杂浓度；第一电极设置基板上，并电连接第三掺杂区；第二电极设置于基板上，并电连接第二掺杂区。

【技术实现步骤摘要】
光伏装置
本专利技术一般关于一种光伏装置，具体而言，本专利技术关于一种提升转换效率的多接面光伏装置。
技术介绍
光伏电池(photovoltaiccell)系为一种固态装置，并借由光生伏打效应将阳光的能量转换为电能。光伏电池一般是运用P型与N型半导体接合而形成P-N接面。当阳光照射到半导体(例如硅)时，会在P-N接面处产生电子与电洞对，所产生的电子将会受电场作用而移动至N型半导体处，电洞则移动至P型半导体处，因此便能在两侧累积电荷，借以导线连接而产生光电流。然而，少数载子中，产生于P型中性区的电子或产生于N型中性区的电洞会快速地再结合，使得光伏电池的转换效能偏低，例如小于23％。因此，如何提升光电流的转换效率为光伏装置的研发重点之一。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种光伏装置，其借由增加接面数目来提升光电流的转换效率。本专利技术的另一目的在于提供一种光伏装置，其使电子、空穴在表面下移动距离较长形成”埋式通道”，以降低电子、空穴在表面的再结合率，进而提升产生的电压。于一实施例中，本专利技术提供一种光伏装置，其包含基板、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第一电极及第二电极。基板具有相对的第一侧及第二侧，基板具有第一掺杂型；第一掺杂区位于基板的第一侧，第一掺杂区具有第二掺杂型，第二掺杂型的掺杂类型相反于第一掺杂型；第二掺杂区位于基板的第一侧且与第一掺杂区部分重迭，第二掺杂区具有第一掺杂型，且第二掺杂区的掺杂浓度大于基板的掺杂浓度；第三掺杂区位于基板的第一侧，第三掺杂区部分重迭第一掺杂区及部分重迭第二掺杂区，第三掺杂区具有第二掺杂型，且第三掺杂区的掺杂浓度大于第一掺杂区的掺杂浓度；第一电极设置基板的第一侧上，第一电极电连接第三掺杂区；第二电极设置基板的第一侧上，第二电极电连接第二掺杂区。于一实施例，光伏装置更包含第四掺杂区，位于基板的第一侧且与第三掺杂区部分重迭，其中第四掺杂区部分重迭第一掺杂区及部分重迭第二掺杂区，第四掺杂区具有第一掺杂型，且第四掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度。于一实施例，第二掺杂区通过电连接第四掺杂区以电连接第二电极。于另一实施例中，本专利技术提供一种光伏装置，其包含基板、多数第一掺杂区、多数第二掺杂区、多数第三掺杂区、第一电极及第二电极。基板具有相对的第一侧及第二侧，基板具有第一掺杂型；多数第一掺杂区沿第一方向间隔设置于基板的第一侧，各第一掺杂区具有第二掺杂型，第二掺杂型的掺杂类型相反于第一掺杂型；多数第二掺杂区沿第一方向间隔设置于基板的第一侧，且各第二掺杂区部分重迭相邻的第一掺杂区，第二掺杂区具有第一掺杂型，且第二掺杂区的掺杂浓度大于基板的掺杂浓度；多数第三掺杂区沿与第一方向相交的第二方向间隔设置于基板的第一侧，各第三掺杂区横越多数第一掺杂区及多数第二掺杂区，第三掺杂区具有第二掺杂型，且第三掺杂区的掺杂浓度大于第一掺杂区的掺杂浓度；第一电极设置于基板的第一侧上，第一电极电连接各第三掺杂区及各第一掺杂区；第二电极设置基板的第一侧上，第二电极电连接各第二掺杂区。于一实施例，光伏装置更包含多数第四掺杂区，沿第二方向间隔设置于基板的第一侧，各第四掺杂区横越多数第一掺杂区及多数第二掺杂区，且各第四掺杂区部分重迭相邻的第三掺杂区，第四掺杂区具有第一掺杂型，且第四掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度。于一实施例，各第二掺杂区通过电连接对应的第四掺杂区以电连接第二电极。于一实施例，第一电极包含多数第一接点部、多数第一线路及第一连接部。多数第一接点部分别位于多数第三掺杂区上且对应多数第一掺杂区；多数第一线路沿第一方向间隔设置且沿第二方向延伸，以分别连接同一行的多数第一接点部；第一连接部沿第一方向延伸且连接于多数第一线路部的同一端。于一实施例，第二电极包含多数第二接点部、多数第二线路部及第二连接部。多数第二接点部分别位于多数第三掺杂区之间且对应多数第二掺杂区；多数第二线路部沿第一方向间隔设置且沿第二方向延伸，以分别连接同一行的多数第二接点部，多数第二线路部系与多数第一线路部交错分离设置；第二连接部沿第一方向延伸且连接于多数第二线路部的同一端，第一连接部及第二连接部系位于基板的相对两侧。于一实施例，光伏装置更包含第五掺杂区，位于基板的第二侧，其中第五掺杂区具有第一掺杂型，且第五掺杂区的掺杂浓度系大于基板的掺杂浓度。于一实施例，基板的第二侧具有纹理化结构，且纹理化结构包含多数峰部及多数谷部，各峰部与相邻的谷部之间的距离为4～5微米。于一实施例，光伏装置更包含介电层，覆盖于基板的第一侧，且第一电极及第二电极系通过介电层分别电连接第三掺杂区及第二掺杂区。于一实施例，第一掺杂区具有一深度，该深度为2微米。于一实施例，第二掺杂区具有一深度，该深度为1微米。于一实施例，第三掺杂区具有一深度，该深度为0.5微米。于一实施例，第二掺杂区的掺杂浓度系为第一掺杂区的2～5倍。于一实施例，第三掺杂区的掺杂浓度为第二掺杂区的2～5倍。于一实施例，第一掺杂型为N型及P型其中之一者，且第二掺杂型系为N型及P型其中的另一者。附图说明图1为本专利技术一实施例的光伏装置的平面示意图。图1A为沿图1的切线AA的剖面示意图。图2为本专利技术另一实施例的光伏装置的平面示意图。图2A～2D为分别沿图2的切线AA、BB、CC及DD的剖面示意图。图3为本专利技术另一实施例的光伏装置的平面示意图。图3A～3B为分别沿图3的切线AA及BB的剖面示意图。图4-1及图4-2为图3的平面分解图。图5～图8为图3的光伏装置的制作流程平面示意图，其中图5及图5A为显示多数第一掺杂区形成于基板中的平面示意图及沿图5的切线AA的剖面示意图；图6及图6A为显示多数第二掺杂区形成于基板中的平面示意图及沿图6的切线AA的剖面示意图；图7及图7A～7B为显示多数第三掺杂区形成于基板中的平面示意图及分别沿图7的切线AA、BB的剖面示意图；图8及图8A～8B为显示多数孔洞形成于介电层中的平面示意图及分别沿图8的切线AA的剖面示意图。图9A及图9B为对应图3A～3B的变化实施例的剖面示意图。图10～图13为本专利技术另一实施例的光伏装置的制作流程平面示意图，其中：图10及图10A～10D为显示多数第四掺杂区形成于基板中的平面示意图及分别沿图10的切线AA、BB、CC及DD的剖面示意图；图11-1及图11-2为图10的平面分解图；图12及图12A～12D为显示多数电极形成于基板上的平面示意图及分别沿图12的切线AA、BB、CC及DD的剖面示意图；图13-1及图13-2为图12的平面分解图。图14A～14D为对应图12A～12D的变化实施例的剖面示意图。其中，附图标记：1、2、3接面10、10’、10”光伏装置100基板101第一侧102第二侧104纹理化结构106峰部108谷部110第一掺杂区120第二掺杂区130第三掺杂区140第一电极142第一接点部144第一线路146第一连接部150第二电极152第二接点部154第二线路部156第二连接部160介电层162、164孔洞170第四掺杂区180第五掺杂区190钝化层P1～P4节距具体实施方式如图1及图1A所示，其中图1A是沿图1的切线AA的剖面示意图，于一实施例，光伏装置10包含基板100、第一掺杂区110、第二掺杂区120、第三掺杂区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光伏装置，其特征在于，包含：一基板，具有相对的一第一侧及一第二侧，该基板具有一第一掺杂型；一第一掺杂区，位于该基板的该第一侧，该第一掺杂区具有一第二掺杂型，该第二掺杂型的掺杂类型相反于该第一掺杂型；一第二掺杂区，位于该基板的该第一侧且与该第一掺杂区至少部分重迭，该第二掺杂区具有该第一掺杂型，且该第二掺杂区的掺杂浓度大于该基板的掺杂浓度；一第三掺杂区，位于该基板的该第一侧，该第三掺杂区至少部分重迭该第一掺杂区及至少部分重迭该第二掺杂区，该第三掺杂区具有该第二掺杂型，且该第三掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度；一第一电极，设置该基板的该第一侧上，该第一电极电连接该第三掺杂区；以及一第二电极，设置该基板的该第一侧上，该第二电极电连接该第二掺杂区。

【技术特征摘要】
2017.02.10 TW 1061045151.一种光伏装置，其特征在于，包含：一基板，具有相对的一第一侧及一第二侧，该基板具有一第一掺杂型；一第一掺杂区，位于该基板的该第一侧，该第一掺杂区具有一第二掺杂型，该第二掺杂型的掺杂类型相反于该第一掺杂型；一第二掺杂区，位于该基板的该第一侧且与该第一掺杂区至少部分重迭，该第二掺杂区具有该第一掺杂型，且该第二掺杂区的掺杂浓度大于该基板的掺杂浓度；一第三掺杂区，位于该基板的该第一侧，该第三掺杂区至少部分重迭该第一掺杂区及至少部分重迭该第二掺杂区，该第三掺杂区具有该第二掺杂型，且该第三掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度；一第一电极，设置该基板的该第一侧上，该第一电极电连接该第三掺杂区；以及一第二电极，设置该基板的该第一侧上，该第二电极电连接该第二掺杂区。2.根据权利要求1所述的光伏装置，其特征在于，更包含：一第四掺杂区，位于该基板的该第一侧且与该第三掺杂区部分重迭，其中，该第四掺杂区部分重迭该第一掺杂区及部分重迭该第二掺杂区，该第四掺杂区具有该第一掺杂型，且该第四掺杂区的掺杂浓度大于该第二掺杂区的掺杂浓度。3.根据权利要求2所述的光伏装置，其特征在于，该第二掺杂区通过电连接该第四掺杂区以电连接该第二电极。4.一种光伏装置，其特征在于，包含：一基板，具有相对的一第一侧及一第二侧，该基板具有一第一掺杂型；多数第一掺杂区，沿一第一方向间隔设置于该基板的该第一侧，各该第一掺杂区具有一第二掺杂型，该第二掺杂型的掺杂类型相反于该第一掺杂型；多数第二掺杂区，沿该第一方向间隔设置于该基板的该第一侧，且各该第二掺杂区部分重迭相邻的该第一掺杂区，该第二掺杂区具有该第一掺杂型，且该第二掺杂区的掺杂浓度大于该基板的掺杂浓度；多数第三掺杂区，沿与该第一方向相交的一第二方向间隔设置于该基板的该第一侧，各该第三掺杂区横越该多数第一掺杂区及该多数第二掺杂区，该第三掺杂区具有该第二掺杂型，且该第三掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度；一第一电极，设置于该基板的该第一侧上，该第一电极电连接各该第三掺杂区；以及一第二电极，设置该基板的该第一侧上，该第二电极电连接各该第二掺杂区。5.根据权利要求4所述的光伏装置，其特征在于，更包含：多数第四掺杂区，沿该第二方向间隔设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄明政，程谦礼，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71