一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法技术

本发明专利技术提供一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法，该氧化物薄膜晶体管的制作方法包括：形成氧化物半导体层的图形和保护层的中间图形，保护层的中间图形至少覆盖氧化物半导体层的处于源电极和漏电极之间的区域；形成源电极和漏电极的图形，在形成源电极和漏电极的图形时，采用干刻工艺对源漏金属层进行刻蚀；采用一刻蚀溶液对未被源电极和漏电极的图形覆盖的保护层进行湿刻，保护层采用的材料在该刻蚀溶液中的刻蚀速率大于源电极、漏电极及氧化物半导体层采用的材料在该刻蚀溶液中的刻蚀速率。由于氧化物半导体层的沟道区域有保护层保护，在采用干刻工艺对源漏金属层进行刻蚀时，干刻工艺中的等离子体不会对氧化物半导体层造成损害。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法。
技术介绍
在平板显示
，薄膜晶体管显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低等优点，逐渐在当今平板显示市场占据了主导地位。随着TFT-LCD技术的发展，氧化物薄膜晶体管(OxideThinFilmTransistor，简称OxideTFT)技术也越来越成熟，它具有较高的载流子迁移率、低漏电流、TFT均一性好等优点，能应用于低频驱动等，特别的，它还能应用在被称为下一代显示技术的有机发光二极管显示器上。OxideTFT的制作方法通常包括以下步骤：1)形成栅电极的图形；2)形成栅绝缘层；3)形成氧化物半导体层的图形；4)形成源电极和漏电极的图形。在形成源电极和漏电极的图形的过程中，通常情况下采用湿刻工艺对用于形成源电极和漏电极的源漏金属层进行刻蚀。但是采用湿刻工艺，会造成形成的源漏金属层的图形的CDbias(直径偏差)较大。为克服该问题，可以采用干刻工艺对源漏金属层进行刻蚀，以获得更小的CDbias，但是，干刻工艺中存在的plasma(等离子体)会严重影响到氧化物半导体层，进而影响到OxideTFT的特性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法，用于解决在使用干刻工艺形成氧化物薄膜晶体管的源电极和漏电极时，干刻工艺中存在的等离子体会对氧化物薄膜晶体管的氧化物半导体层造成损害的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括：形成氧化物半导体层的图形和保护层的中间图形，其中，所述保护层的中间图形至少覆盖所述氧化物半导体层的处于源电极和漏电极之间的区域；形成源电极和漏电极的图形，其中，在形成源电极和漏电极的图形的过程中，采用干刻工艺对用于形成所述源电极和漏电极的源漏金属层进行刻蚀；采用一刻蚀溶液对未被所述源电极和漏电极的图形覆盖的保护层进行湿刻，其中，所述保护层采用的材料在所述刻蚀溶液中的刻蚀速率大于所述源电极、漏电极以及氧化物半导体层采用的材料在所述刻蚀溶液中的刻蚀速率。优选地，所述保护层采用的材料为导电材料，其中，通过一次构图工艺形成氧化物半导体层的图形和保护层的中间图形，所述保护层的中间图形完全覆盖所述氧化物半导体层的上表面。优选地，所述保护层采用的材料包括：IZO、ZnO和ZnON。本专利技术还提供一种阵列基板的制作方法，包括：形成氧化物薄膜晶体管的步骤，所述氧化物薄膜晶体管采用上述氧化物薄膜晶体管的制作方法形成。优选地，所述阵列基板的制作方法还包括：形成低温多晶硅薄膜晶体管的步骤；其中，当所述阵列基板应用于液晶显示面板时，所述低温多晶硅薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边电路区域中，所述氧化物薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区域中；当所述阵列基板为有机发光二极管阵列基板时，所述低温多晶硅薄膜晶体管为开关薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管。优选地，所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅电极的图形与所述氧化物薄膜晶体管的栅电极的图形通过一次构图工艺形成，所述低温多晶硅薄膜晶体管的源电极和漏电极的图形与所述氧化物薄膜晶体管的源电极和漏电极的图形通过一次构图工艺形成。本专利技术还提供一种氧化物薄膜晶体管，采用上述氧化物薄膜晶体管的制作方法形成。优选地，所述氧化物薄膜晶体管具体包括：栅电极的图形；栅绝缘层；氧化物半导体层的图形；保护层的图形，所述保护层的图形位于所述氧化物半导体层的源电极接触区和漏电极接触区，所述保护层采用的材料为导电材料；源电极和漏电极的图形，所述源电极和漏电极的图形覆盖所述保护层的图形。本专利技术还提供一种阵列基板，采用上述阵列基板的制作方法形成。优选地，所述阵列基板具体包括：氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管；其中，当所述阵列基板应用于液晶显示面板时，所述低温多晶硅薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边电路区域中，所述氧化物薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区域中；当所述阵列基板为有机发光二极管阵列基板时，所述低温多晶硅薄膜晶体管为开关薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：本专利技术实施例中，采用干刻工艺形成氧化物薄膜晶体管的源电极和漏电极的图形，可以使得源漏金属层的图形具有更小的CDbias，并且由于氧化物半导体层的处于源电极和漏电极之间的区域(即氧化物半导体层的沟道区域)上覆盖有保护层，因而，在采用干刻工艺对源漏金属层进行刻蚀时，干刻工艺中的等离子体不会对氧化物半导体层造成损害。另外，在对保护层进行刻蚀时，由于保护层采用的材料在刻蚀溶液中的刻蚀速率大于源电极和漏电极采用的材料以及氧化物半导体层采用的材料在该刻蚀溶液中的刻蚀速率，因而不会对源电极、漏电极以及氧化物半导体层造成影响。附图说明图1为本专利技术一实施例的氧化物半导体层的图形和保护层的中间图形的结构示意图；图2为本专利技术另一实施例的氧化物半导体层的图形和保护层的中间图形的结构示意图；图3为本专利技术又一实施例的氧化物半导体层的图形和保护层的中间图形的结构示意图；图4-8为本专利技术实施例一的氧化物薄膜晶体管的制作方法示意图；图9-12为本专利技术实施例二的氧化物薄膜晶体管的制作方法示意图；图13-20为本专利技术实施例三的阵列基板的制作方法示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为解决在使用干刻工艺形成氧化物薄膜晶体管的源电极和漏电极时，干刻工艺中存在的等离子体会对氧化物薄膜晶体管的氧化物半导体层造成损害的问题，本专利技术的实施例提供一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括：步骤S11：形成栅电极的图形；步骤S12：形成栅绝缘层；步骤S13：形成氧化物半导体层的图形和保护层的中间图形，其中，所述保护层的中间图形至少覆盖所述氧化物半导体层的处于源电极和漏电极之间的区域；氧化物半导体层的处于源电极和漏电极之间的区域即氧化物半导体层的沟道区域；步骤S14：形成源电极和漏电极的图形，其中，在形成源电极和漏电极的图形的过程中，采用干刻工艺对用于形成所述源电极和漏电极的源漏金属层进行刻蚀；步骤S15：采用一刻蚀溶液对未被所述源电极和漏电极的图形覆盖的保护层进行湿刻，其中，所述保护层采用的材料在所述刻蚀溶液中的刻蚀速率大于所述源电极、漏电极以及氧化物半导体层采用的材料在所述刻蚀溶液中的刻蚀速率。本专利技术实施例中，采用干刻工艺形成氧化物薄膜晶体管的源电极和漏电极的图形，可以使得形成的源漏金属层的图形具有更小的CDbias，并且由于氧化物半导体层的处于源电极和漏电极之间的区域(即氧化物半导体层的沟道区域)上覆盖有保护层，因而，在采用干刻工艺对源漏金属层进行刻蚀时，干刻工艺中的等离子体不会对氧化物半导体层造成损害。另外，在对保护层进行刻蚀时，由于保护层采用的材料在刻蚀溶液中的刻蚀速率大于源电极和漏电极采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：形成氧化物半导体层的图形和保护层的中间图形，其中，所述保护层的中间图形至少覆盖所述氧化物半导体层的处于源电极和漏电极之间的区域；形成源电极和漏电极的图形，其中，在形成源电极和漏电极的图形的过程中，采用干刻工艺对用于形成所述源电极和漏电极的源漏金属层进行刻蚀；采用一刻蚀溶液对未被所述源电极和漏电极的图形覆盖的保护层进行湿刻，其中，所述保护层采用的材料在所述刻蚀溶液中的刻蚀速率大于所述源电极、漏电极以及氧化物半导体层采用的材料在所述刻蚀溶液中的刻蚀速率。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：形成氧化物半导体层的图形和保护层的中间图形，其中，所述保护层的中间图形至少覆盖所述氧化物半导体层的处于源电极和漏电极之间的区域；形成源电极和漏电极的图形，其中，在形成源电极和漏电极的图形的过程中，采用干刻工艺对用于形成所述源电极和漏电极的源漏金属层进行刻蚀；采用一刻蚀溶液对未被所述源电极和漏电极的图形覆盖的保护层进行湿刻，其中，所述保护层采用的材料在所述刻蚀溶液中的刻蚀速率大于所述源电极、漏电极以及氧化物半导体层采用的材料在所述刻蚀溶液中的刻蚀速率。2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述保护层采用的材料为导电材料，其中，通过一次构图工艺形成氧化物半导体层的图形和保护层的中间图形，所述保护层的中间图形完全覆盖所述氧化物半导体层的上表面。3.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述保护层采用的材料包括：IZO、ZnO和ZnON。4.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：形成氧化物薄膜晶体管的步骤，所述氧化物薄膜晶体管采用如权利要求1-3任一项所述的方法形成。5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：形成低温多晶硅薄膜晶体管的步骤；其中，当所述阵列基板应用于液晶显示面板时，所述低温多晶硅薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边电路区域中，所述氧化物薄膜晶体管位于所述阵列基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨维，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11