一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置制造方法及图纸

技术编号:15748983 阅读:44 留言:0更新日期:2017-07-03 10:00
本发明专利技术公开了一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置,包括:衬底基板,位于衬底基板上的像素限定层,位于像素限定层的图形之上的多孔膜,位于衬底基板上像素限定层的图形之外区域的有机功能层,以及位于多孔膜和有机功能层之上的阴极层;其中,在多孔膜内填充有液体导电材料,且阴极层与多孔膜中的液体导电材料相连。本发明专利技术实施例提供的有机电致发光显示面板,通过在像素限定层的图形之上设置填充液体导电材料的多孔膜,且阴极层与液体导电材料相连,增加了像素限定层的图形对应位置处的导电膜层的厚度,降低了阴极层的面电阻,提高了显示面板亮度的均匀性,并且多孔膜没有占用显示区的面积,不会影响显示面板的正常显示。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
本专利技术涉及显示
,尤指一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置。
技术介绍
在显示领域,有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)相对于液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD),具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。OLED器件有底发射和顶发射两种出光方式,顶发射OLED器件相对于顶发射OLED器件有更好的分辨率和色彩饱和度,并且发光效率高、色域广且寿命长,但是顶发射OLED器件的制作工艺也相对比较难。顶发射OLED器件的阴极制作对OLED器件的性能有着至关重要的影响,阴极膜层应该具有较好的透光性和较强的导电性,阴极材料只有在膜层很薄的情况下其透光性才会很好,但是薄膜很薄时,往往会存在断路或形成欧姆接触,相应的功耗就会增加,此外,随着阴极层的厚度变薄,对于大尺寸的器件,中间位置和边缘位置的压降比较大,会导致OLED器件出现亮度不均匀的问题。因此,在制作OLED器件时需要同时考虑阴极的透光性和导电性。现有技术中,使用较多的方法是在阴极上制作特别厚的透明金属氧化物薄膜,由于透明金属氧化物厚度与其透过率成反比,且透明金属氧化物沉积速度很慢,要保持合适的生产节拍,需投入数量较多的溅射设备,投资非常大。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置,用以缓解现有技术中存在的由阴极层较薄导致的OLED器件出现亮度不均匀的问题。本专利技术实施例提供了一种有机电致发光显示面板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上的像素限定层,位于所述像素限定层的图形之上的多孔膜,位于所述衬底基板上所述像素限定层的图形之外区域的有机功能层,以及位于所述多孔膜和所述有机功能层之上的阴极层;其中,在所述多孔膜内填充有液体导电材料,且所述阴极层与所述多孔膜中的液体导电材料相连。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述显示面板中,还包括:位于所述显示面板的四周,与所述多孔膜相连的导流结构。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述显示面板中,所述导流结构为在与所述多孔膜相连的位置设有开口的凹槽结构。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述显示面板中,所述导流结构为多孔结构。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述显示面板中,所述像素限定层的厚度在所述显示面板的边缘指向中心的方向上逐渐减小。本专利技术实施例还提供了一种上述有机电致发光显示面板的制作方法,包括:在衬底基板上形成像素限定层的图形;在所述像素限定层的图形上形成多孔膜,以及在所述衬底基板上所述像素限定层的图形之外区域形成有机功能层;在所述多孔膜以及所述有机功能层之上形成阴极层;向所述多孔膜中注入液体导电材料,以使所述阴极层与所述多孔膜中的所述液体导电材料相连接。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述制作方法中,所述在所述像素限定层的图形上形成多孔膜,包括:在所述像素限定层的图形上制作与所述像素限定层的图形相匹配的凹槽;采用喷墨打印的方式在所述凹槽内形成多孔膜。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述制作方法中,在所述向所述多孔膜中注入液体导电材料,以使所述阴极层与所述多孔膜中的液体导电材料相连接之前,还包括:在所述显示面板的四周形成与所述多孔膜相连的导流结构。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述制作方法中,所述向所述多孔膜中注入液体导电材料,包括:通过所述导流结构向所述多孔膜中注入液体导电材料。本专利技术实施例还提供了一种显示装置,包括:上述有机电致发光显示面板。本专利技术有益效果如下:本专利技术实施例提供了一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置,包括:衬底基板,位于衬底基板上的像素限定层,位于像素限定层的图形之上的多孔膜,位于衬底基板上像素限定层的图形之外区域的有机功能层,以及位于多孔膜和有机功能层之上的阴极层;其中,在多孔膜内填充有液体导电材料,且阴极层与多孔膜中的液体导电材料相连。本专利技术实施例提供的有机电致发光显示面板,通过在像素限定层的图形之上设置多孔膜,并在多孔膜内填充液体导电材料,且阴极层与多孔膜中的液体导电材料相连,增加了像素限定层的图形对应位置处的导电膜层的厚度,从而降低了阴极层的面电阻,提高了显示面板亮度的均匀性,并且多孔膜设置在像素限定层的图形之上,没有占用显示区的面积,不会影响显示面板的正常显示。附图说明图1为本专利技术实施例提供的有机电致发光显示面板的结构示意图之一;图2为本专利技术实施例提供的有机电致发光显示面板的俯视图;图3为本专利技术实施例提供的有机电致发光显示面板的结构示意图之二;图4为本专利技术实施例提供的有机电致发光显示面板的结构示意图之三;图5为本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板的制作方法的流程图;图6a-图6e为本专利技术实施例提供的上述有机电致发光显示面板的制作方法的结构示意图;其中,101、衬底基板;102、像素限定层;103、多孔膜;104、有机功能层;105、阴极层;106、导流结构。具体实施方式针对现有技术中存在的由阴极层较薄导致的OLED器件出现亮度不均匀的问题,本专利技术实施例提供了一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置。下面结合附图,对本专利技术实施例提供的有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供了一种有机电致发光显示面板,如图1所示,包括:衬底基板101,位于衬底基板101上的像素限定层102,位于像素限定层102的图形之上的多孔膜103,位于衬底基板101上像素限定层102的图形之外区域的有机功能层104,以及位于多孔膜103和有机功能层104之上的阴极层105;其中,在多孔膜103内填充有液体导电材料,且阴极层105与多孔膜103中的液体导电材料相连。本专利技术实施例提供的有机电致发光显示面板,通过在像素限定层的图形之上设置多孔膜,并在多孔膜内填充液体导电材料,且阴极层与多孔膜中的液体导电材料相连,增加了像素限定层的图形对应位置处的导电膜层的厚度,从而降低了阴极层的面电阻,提高了显示面板亮度的均匀性,并且多孔膜设置在像素限定层的图形之上,没有占用显示区的面积,不会影响显示面板的正常显示。参照图1,上述像素限定层102可以用于限定像素形成的位置,以区分显示区和非显示区,像素限定层102的图形所在的位置为非显示区,像素限定层102的图形之外的区域用于容置有机功能层104为显示区,在具体实施时,一般采用绝缘材料来制作像素限定层102,例如,可以采用等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)制作致密的SiO2薄膜作为像素限定层102,也可以采用其他工艺和材料,此处不做限定。像素限定层102的厚度一般在0.5μm-2μm左右,像素限定层102具有一定的厚度,从而在像素限定层102的图形之外的区域可以容置有机功能层104,因而,像素限定层102的具体厚度也可以根据所需容置的有机功能层104的厚度来确定,此处不对像素限定本文档来自技高网
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一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置

【技术保护点】
一种有机电致发光显示面板,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上的像素限定层,位于所述像素限定层的图形之上的多孔膜,位于所述衬底基板上所述像素限定层的图形之外区域的有机功能层,以及位于所述多孔膜和所述有机功能层之上的阴极层;其中,在所述多孔膜内填充有液体导电材料,且所述阴极层与所述多孔膜中的液体导电材料相连。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光显示面板,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上的像素限定层,位于所述像素限定层的图形之上的多孔膜,位于所述衬底基板上所述像素限定层的图形之外区域的有机功能层,以及位于所述多孔膜和所述有机功能层之上的阴极层;其中,在所述多孔膜内填充有液体导电材料,且所述阴极层与所述多孔膜中的液体导电材料相连。2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:位于所述显示面板的四周,与所述多孔膜相连的导流结构。3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述导流结构为在与所述多孔膜相连的位置设有开口的凹槽结构。4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述导流结构为多孔结构。5.如权利要求1-4任一项所述的显示面板,其特征在于,所述像素限定层的厚度在所述显示面板的边缘指向中心的方向上逐渐减小。6.一种如权利要求1-5任一项所述的有机电致发光显示面板的制作方法,其特征在于,包括:在衬底基板上形成像素限定层的图形;...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨栋芳
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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