有机发光二极管显示装置制造方法及图纸

技术编号:15748979 阅读:264 留言:0更新日期:2017-07-03 09:59
一种有机发光二极管显示装置,包含一驱动基板、至少一有机发光二极管结构、至少一覆盖电极、至少一像素定义结构以及一保护盖。驱动基板包含至少一像素电极。有机发光二极管结构是设置于像素电极上。有机发光二极管结构是位于像素电极与覆盖电极之间。像素定义结构是设置于驱动基板上。像素定义结构具有一容置空间。有机发光二极管结构与覆盖电极是位于容置空间中。保护盖覆盖驱动基板、有机发光二极管结构、覆盖电极与像素定义结构。像素定义结构抵顶保护盖。通过上述配置,有机发光二极管显示装置可有效地防止湿气及/或氧气损害保护盖下方的有机发光二极管结构。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示装置
本专利技术是关于显示技术,特别是关于一种有机发光二极管显示装置。
技术介绍
由于有机发光二极管具有诸如自发光性、高操作速度、低操作电压与薄元件层等优点,故为显示技术的主流之一。一般来说,彩色式的有机发光二极管显示装置通常会在不同像素区中,采用不同类型的有机材料。当电子与空穴在不同类型的有机材料层中结合时,可发出不同颜色的光,从而显示彩色影像。彩色式有机发光二极管显示装置的制作过程中,通常会将不同像素区的材料(包含有机材料与电极材料等等)蒸镀在基板上。为了利于将材料蒸镀在所需区域上,制造者通常会利用张网(tensionmask)做为遮蔽,以遮蔽无需蒸镀的区域,并露出欲蒸镀的区域。在蒸镀过程中,由于张网无法紧密地贴合于基板上,故蒸镀于像素区边缘的材料容易发生膜厚不均的现象。这样的现象容易导致上、下两电极的短路或产生漏电流。为了克服这样的问题,可在基板上先沉积一层像素定义层(pixeldefinelayer;PDL),并露出基板的欲蒸镀的区域,再进行蒸镀作业。当有机材料与电极材料蒸镀完成后,会通过框胶贴合于保护盖下方。然而,由于保护盖下表面仅贴合着框胶,故湿气或氧气容易从保护盖与框胶之间的空隙渗入保护盖下方,而可能损害保护盖下方的有机材料与电极材料。
技术实现思路
于本专利技术的多个实施方式中,有机发光二极管显示装置可有效地防止湿气及/或氧气损害保护盖下方的有机材料与电极材料。依据本专利技术的一实施方式,一种有机发光二极管显示装置包含一驱动基板、至少一有机发光二极管结构、至少一覆盖电极、至少一像素定义结构以及一保护盖。驱动基板包含至少一像素电极。有机发光二极管结构是设置于像素电极上。有机发光二极管结构是位于像素电极与覆盖电极之间。像素定义结构是设置于驱动基板上。像素定义结构具有一容置空间。有机发光二极管结构与覆盖电极是位于容置空间中。保护盖覆盖驱动基板、有机发光二极管结构、覆盖电极与像素定义结构。像素定义结构抵顶保护盖。于上述实施方式中,由于有机发光二极管结构与覆盖电极均位于像素定义结构的容置空间中,且像素定义结构抵顶保护盖,因此,像素定义结构可防止湿气及/或氧气渗入像素定义结构的容置空间中,从而防止湿气及/或氧气损害有机发光二极管结构。以上所述仅是用以阐述本专利技术所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等,本专利技术的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。附图说明为让本专利技术的实施方式更明显易懂,所附附图的说明如下:图1绘示依据本专利技术一实施方式的有机发光二极管显示装置的剖面示意图;图2绘示依据本专利技术一实施方式的有机发光二极管显示装置的剖面示意图;以及图3绘示依据本专利技术一实施方式的有机发光二极管显示装置的剖面示意图。具体实施方式以下将以附图揭露本专利技术的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,熟悉本领域的技术人员应当了解到,在本专利技术另一实施例中,这些实务上的细节并非必要的,因此不应用以限制本专利技术。此外,为简化附图起见,一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。图1绘示依据本专利技术一实施方式的有机发光二极管显示装置的剖面示意图。如图1所示,于本实施方式中,有机发光二极管显示装置包含驱动基板100、有机发光二极管结构200、覆盖电极300、像素定义结构400以及保护盖500。驱动基板100包含像素电极110。有机发光二极管结构200是设置于像素电极110上。覆盖电极300是设置于有机发光二极管结构200上。换句话说,有机发光二极管结构200是位于像素电极110与覆盖电极300之间,且可受像素电极110与覆盖电极300所驱动而发光。像素定义结构400是设置于驱动基板100上。像素定义结构400具有容置空间S。像素电极110是部分裸露于容置空间S的底部开口。有机发光二极管结构200与覆盖电极300是位于容置空间S中。保护盖500覆盖驱动基板100、有机发光二极管结构200。像素定义结构400抵顶保护盖500。于此实施方式中,由于像素定义结构400抵顶保护盖500,且有机发光二极管结构200与覆盖电极300均位于像素定义结构400的容置空间S中,且像素电极110是部分裸露于容置空间S的底部开口,因此,抵顶着保护盖500的像素定义结构400可防止湿气及/或氧气渗入像素定义结构400的容置空间S中,从而防止湿气及/或氧气损害覆盖电极300、有机发光二极管结构200、与像素电极110。换句话说,于此实施方式中,可利用像素定义结构400来实现阻隔湿气及/或氧气的效果。于部分实施方式中,像素定义结构400与保护盖500可相抵压或粘合。这两者的抵压力量或粘合强度是足够强到能够防止气体及/或液体渗入像素定义结构400的容置空间S中,以进一步地阻隔湿气及/或氧气。举例来说,于部分实施方式中,像素定义结构400与保护盖500是以防水胶粘合在一起的,以阻隔湿气及/或氧气。于部分实施方式中,有机发光二极管结构200与覆盖电极300紧密地接触像素定义结构400的容置空间S的内壁。进一步来说,在制作有机发光二极管结构200与覆盖电极300之前,可先在驱动基板100上形成像素定义结构400。接着,可在像素定义结构400的容置空间S中,沉积有机发光二极管结构200的材料与覆盖电极300的材料。通过上述方式所形成的有机发光二极管结构200与覆盖电极300,可紧密地接触像素定义结构400的容置空间S的内壁。于部分实施方式中,有机发光二极管结构200与覆盖电极300的材料的沉积方式可包含物理气相沉积(如蒸镀或溅镀)或化学气相沉积,但本专利技术不以此为限。于部分实施方式中,像素定义结构400可用以将有机发光二极管结构200所发出的光线反射回容置空间S中。如此一来,即便有机发光二极管结构200可能发出侧向光线而使光线进入像素定义结构400中,像素定义结构400亦可将光线反射回容置空间S中,以提升有机发光二极管结构200上方的亮度。于部分实施方式中,覆盖电极300与保护盖500相隔一间隙,此间隙中的介质(如氮气等气体)与覆盖电极300的材质的折射率不同。倘若覆盖电极300的材质与覆盖电极300上方的介质(如氮气等气体)的折射率差异过大,导致光线在覆盖电极300的上表面发生全反射而进入像素定义结构400中,像素定义结构400亦可将此光线反射回容置空间S中,以提升有机发光二极管结构200上方的亮度。于部分实施方式中,如图1所示,像素定义结构400可包含透光体410以及反射体420。透光体410位于驱动基板100上并定义容置空间S,并接触有机发光二极管结构200与覆盖电极300。透光体410抵顶保护盖500。反射体420是位于驱动基板100上,并被透光体410所覆盖。如此一来,当在覆盖电极300上表面发生全反射的光线及/或有机发光二极管结构200发出的侧向光线抵达像素定义结构400时,这些光线可进入透光体410中而抵达反射体420。当这些光线抵达反射体420时,反射体420可将这些光线反射回容置空间S中,以提升有机发光二极管结构200上方的亮度。于部分实施方式中,反射体420至保护盖500的最短距离是小于有机发光二极管结构200至保护盖500的最短距离。换句话说,本文档来自技高网...
有机发光二极管显示装置

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包含:一驱动基板,包含至少一像素电极;至少一有机发光二极管结构,设置于该像素电极上;至少一覆盖电极,该有机发光二极管结构是位于该像素电极与该覆盖电极之间;至少一像素定义结构,设置于该驱动基板上,该像素定义结构具有一容置空间,该有机发光二极管结构与该覆盖电极是位于该容置空间中;以及一保护盖,覆盖该驱动基板、该有机发光二极管结构、该覆盖电极与该像素定义结构,其中该像素定义结构抵顶该保护盖。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包含:一驱动基板,包含至少一像素电极;至少一有机发光二极管结构,设置于该像素电极上;至少一覆盖电极,该有机发光二极管结构是位于该像素电极与该覆盖电极之间;至少一像素定义结构,设置于该驱动基板上,该像素定义结构具有一容置空间,该有机发光二极管结构与该覆盖电极是位于该容置空间中;以及一保护盖,覆盖该驱动基板、该有机发光二极管结构、该覆盖电极与该像素定义结构,其中该像素定义结构抵顶该保护盖。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该像素定义结构是用以将该有机发光二极管结构所发出的光线反射回该容置空间中。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该像素定义结构包含:一透光体,位于该驱动基板上并定义该容置空间;以及一反射体,位于该驱动基板上并被该透光体所覆盖。4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该反射体至该保护盖的最短距离是小于该有机发光二极管结构至该保护盖的最短距离。5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,还包含一偏振片,设置于该保护盖上,并且...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘振宇苏信远林熙乾
申请(专利权)人:宸鸿光电科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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