一种阵列基板、显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示装置及其制作方法。其中，所述阵列基板包括：基板；第一栅极电极层；第一绝缘层；沟道层；源极和漏极电极层；第二绝缘层；间隔设置的像素电极层和第二栅极电极层，形成在所述第二绝缘层上；其中，所述第二栅极电极层与所述第一栅极电极层以及所述源极和漏极电极层形成双栅结构的薄膜晶体管TFT。通过上述方式，形成双栅结构的薄膜晶体管TFT，进一步增大阵列基板的驱动力。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示装置及其制作方法
本专利技术涉及平面显示
，特别是涉及一种阵列基板、显示装置及其制作方法。
技术介绍
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机发光二极管显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)，而主动矩阵有机发光二极体(Active-matrixorganiclightemittingdiode，AMOLED)在能耗、色彩饱和度、对比度、柔性应用等方面相对于LCD有显著优势，被广泛使用。本申请的专利技术人在长期的研发中发现，随着人们对AMOLED分辨率的要求越来越高，AMOLED内像素电极的尺寸被设计的越来越小，导致其驱动能力也逐渐减弱，在此条件下，要保证AMOLED的驱动能力就需要进一步加强TFT内的有源层的导电沟道的导电能力。在现有技术中，可通过增大TFT的栅极面积或使用双栅薄膜晶体管解决这一问题。其中，双栅薄膜晶体管以其不会减小阵列基板的开口率、同时又能提高有源层的导电沟道的导电能力等优势而得到广泛使用。但现有的双栅薄膜晶体管的制备过程需要利用多个掩膜、经过多次构图等额外工艺，成本较高。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种阵列基板、显示装置及其制作方法，通过上述方式，形成双栅薄膜晶体管TFT，进一步增大阵列基板的驱动力且不增加制程。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，该基板包括：基板；第一栅极电极层，形成在基板上；第一绝缘层，覆盖在第一栅极电极层上；沟道层，形成在第一绝缘层上；源极和漏极电极层，形成在沟道层上；第二绝缘层，覆盖在第一绝缘层、源极和漏极电极层及沟道层上；间隔设置的像素电极层和第二栅极电极层，形成在第二绝缘层上；其中，第二栅极电极层与第一栅极电极层以及源极和漏极电极层形成双栅结构的薄膜晶体管TFT。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板的制作方法，该方法包括：在一衬底基板上依次形成第一栅极电极层、第一绝缘层；在第一绝缘层上形成沟道层；在沟道层上依次形成源极和漏极电极层、第二绝缘层；在第二绝缘层上形成间隔的像素电极层和第二栅极电极层，其中，第二栅极电极层与第一栅极电极层以及源极和漏极电极层形成双栅结构的薄膜晶体管TFT。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板，或者包括上述任意一项方法所制备的阵列基板。本专利技术的有益效果是：通过在第二绝缘层上形成第二栅极电极层，与第一栅极电极层以及源极和漏极电极层形成双栅结构的薄膜晶体管TFT，由于第二栅极电极层和像素电极同层设置在第二绝缘层上，无需另外单独设置第二栅极电极层，故在不增加额外制造过程的情况下，形成了双栅结构的薄膜晶体管，进一步增大阵列基板的驱动力。附图说明图1是本专利技术阵列基板一实施方式的结构示意图；图2是本专利技术阵列基板另一实施方式的结构示意图；图3是本专利技术阵列基板制作方法一实施方式的流程示意图；图4是图3中步骤S30的流程示意图；图5是图4中阵列基板一实施方式的结构示意图；图6是图3中步骤S31的流程示意图；图7是图3中步骤S32的流程示意图；图8是图7中阵列基板一实施方式的结构示意图；图9是图3中步骤S33的流程示意图；图10是图9中阵列基板一实施方式的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施方式对本专利技术进行详细说明。请参阅图1，图1是本专利技术阵列基板一实施方式的结构示意图，该阵列基板包括：基板10；第一栅极电极层11，形成在基板10上；第一绝缘层12，覆盖在第一栅极电极层11上；沟道层13，形成在第一绝缘层12上；源极和漏极电极层14，形成在沟道层13上；第二绝缘层15，覆盖在第一绝缘层12、源极和漏极电极层14及沟道层13上；间隔设置的像素电极层16和第二栅极电极层17，形成在第二绝缘层15上；其中，第二栅极电极层17与第一栅极电极层11以及源极和漏极电极层14形成双栅结构的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)。其中，基板10可以为玻璃基板或柔性基板，在一些应用中，也可以采用二氧化硅基板，或者聚氯乙烯(Polyvinylchloride，PV)、可熔性聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PFA)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalate，PET)基板等。第一栅极电极层11具体可以为单金属层或复合金属层，如Cr、Mo、Mo/Al、MoTi、Cu等。第一绝缘层12，具体可以为SiOx，在一些应用场景中也可以为SiNx等，当然在其它应用场景中也可以由其它绝缘物质制作而成。沟道层13可以为非晶硅材质的半导体层，在一些应用场景中也可以为铟氧化物、锌氧化物、锡氧化物、镓氧化物等中的至少一种。在其他实施例中，也可以通过固相结晶技术(SolidPhaseCrystallization，SPC)，采用热处理工艺将非晶硅材质转变为多晶硅材质。源极和漏极电极层14，分为两部分间隔设置，位于沟道层13垂直上方的两端，且第一部分和第二部分分别与沟道层13部分重叠，源极和漏极可以视作不区分的两个电极。通过上述方式，由于该第二栅极电极层17和像素电极16同层设置在第二绝缘层15上，无需另外单独设置第二栅极电极层，故实现了在不增加额外制造过程的情况下，形成双栅结构的薄膜晶体管，进一步增大阵列基板的驱动力。进一步地，第二栅极电极层17可通过第一绝缘层12和第二绝缘层15的通孔与第一栅极电极层11连接形成具有双栅结构的薄膜晶体管TFT。其中，第二栅极层17可以是氧化铟锡等半导体材质形成的像素电极层，同时作为TFT的顶栅，第一栅极电极层11作为底栅，与源极和漏极电极层14形成双栅结构。具体的，第一栅极电极层11与第二栅极层17对于薄膜晶体管TFT来说，是具有相同电位的电极，即可以视为彼此相连的导体结构。当然，该第二栅极电极层17也可通过其他方式与第一栅极电极层11形成该双栅结构，在此不做限定。请参阅图2，图2是本专利技术阵列基板另一实施方式的结构示意图。如图2所示，用虚线区分出来的TFT区中，沟道层23进一步包括：半导体层231，形成在第一绝缘层22上，包括第一半导体层2311和第二半导体层2312，第一半导体层2311和第二半导体层2312临近第一绝缘层22的一侧连通，其另一侧部分间隔；P型硅掺杂层232，形成在半导体层231上，包括第一P型硅掺杂层2321和第二P型硅掺杂层2322，第一P型硅掺杂层2321和第二P型硅掺杂层2322间隔设置，且第一P型硅掺杂层2321覆盖在第一半导体层2311上，第二P型硅掺杂层2322覆盖在第二半导体层2312上。其中，半导体层231具体为多晶硅(P-Si)，是由非晶硅(a-Si)通过固相结晶技术(SolidPhaseCrystallization，SPC)转化而成。P型硅掺杂层232具体为硼离子掺杂的多晶硅(P-Si)，通过对非晶硅(a-Si)层进行硼离子注入，形成硼(Boron)掺杂的非晶硅(a-Si)，再通过SPC结晶技术将其转化为硼掺杂的多晶硅(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；第一栅极电极层，形成在所述基板上；第一绝缘层，覆盖在所述第一栅极电极层上；沟道层，形成在所述第一绝缘层上；源极和漏极电极层，形成在所述沟道层上；第二绝缘层，覆盖在所述第一绝缘层、所述源极和漏极电极层及所述沟道层上；间隔设置的像素电极层和第二栅极电极层，形成在所述第二绝缘层上；其中，所述第二栅极电极层与所述第一栅极电极层以及所述源极和漏极电极层形成双栅结构的薄膜晶体管TFT。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；第一栅极电极层，形成在所述基板上；第一绝缘层，覆盖在所述第一栅极电极层上；沟道层，形成在所述第一绝缘层上；源极和漏极电极层，形成在所述沟道层上；第二绝缘层，覆盖在所述第一绝缘层、所述源极和漏极电极层及所述沟道层上；间隔设置的像素电极层和第二栅极电极层，形成在所述第二绝缘层上；其中，所述第二栅极电极层与所述第一栅极电极层以及所述源极和漏极电极层形成双栅结构的薄膜晶体管TFT。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极电极层通过所述第一绝缘层和第二绝缘层的通孔与所述第一栅极电极层连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道层包括：半导体层，形成在所述第一绝缘层上，包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层临近所述第一绝缘层的一侧连通，其另一侧部分间隔；P型硅掺杂层，形成在所述半导体层上，包括第一P型硅掺杂层和第二P型硅掺杂层，所述第一P型硅掺杂层和所述第二P型硅掺杂层间隔设置，且所述第一P型硅掺杂层覆盖在所述第一半导体层上，所述第二P型硅掺杂层覆盖在所述第二半导体层上。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第一金属层，设置在所述基板上且覆盖有所述第一绝缘层；以及第二金属层，形成于所述第一绝缘层上且覆盖有所述第二绝缘层；第三金属层，形成于所述第二绝缘层上且通过所述第一绝缘层、第二绝缘层与所述第一金属层连接；所述第一金属层、第二金属层及第三金属层形成三层并联结构的电容。5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在一衬底基板上依次形成第一栅极电极层、第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成沟道层；在所述沟道层上依次形成源极和漏极电极层、第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成间隔的像素电极层和第二栅极电极层，其中，所述第二栅极电极层与所述第一栅极电极层以及所述源极和漏极电极层形成双栅结构的薄膜晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：周星宇，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44