直接的选择性增粘剂镀覆制造技术

技术编号:15748946 阅读:163 留言:0更新日期:2017-07-03 09:46
提供了一种具有多个单元引线框架的引线框架条。每个单元引线框架均包括芯片焊盘、远离所述芯片焊盘延伸的多个引线以及分界出所述引线的外部部分和所述引线的内部部分的外围环。将增粘剂镀覆材料选择性地镀覆在第一单元引线框架的封装体轮廓区域内。所述芯片焊盘和所述引线的所述内部部分设置在所述封装体轮廓区域内,所述引线的所述外部部分设置在所述封装体轮廓区域之外。处理线结合部位,使得在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之后,所述线结合部位基本上没有所述增粘剂镀覆材料。所述线结合部位设置在所述封装体轮廓区域内并且与所述外围环间隔开。

【技术实现步骤摘要】
直接的选择性增粘剂镀覆
本申请涉及半导体封装,尤其是涉及用于增强引线框架的导电表面与电绝缘封装材料之间的粘附的方法。
技术介绍
通常使用引线框架和诸如模塑化合物的密封材料封装诸如半导体芯片的集成电路器件。例如,可将一个或一个以上半导体芯片物理附接至并且电连接至引线框架。密封材料在半导体芯片和电连接周围形成。密封剂保护半导体芯片和电连接免受诸如湿气、温度、杂质颗粒等等的有害的环境条件。可从密封剂的外侧外部接触引线框架的引线,并且在某些情况下引线框架的引线远离密封剂伸出。引线的这些外侧部分提供了外部电端子,其使得封装的器件能够电连接至例如印刷电路板。许多半导体处理技术使用引线框架条来同时封装大量半导体器件。引线框架条包括在片状导体上连续重复的大量单元引线框架,片状导体中的开口限定单元引线框架的特征。每个单元引线框架为单个封装的器件提供引线结构。一个或一个以上的半导体芯片可被固定至每个单元引线框架并与每个单元引线框架电连接。最终,单元引线框架彼此之间被单个化以形成单独的封装的器件。可在单个化单元引线框架之前或之后在引线框架上模制密封剂。在半导体封装中,层离是一个普遍的问题,即由于两者之间粘附不良,封装材料从引线框架分离开。这可能会带来不可接受的风险,即湿气和异物会穿透封装体,可导致在检验之后丢弃大量的部件。一种用于解决粘附问题的技术涉及在密封剂在引线框架上形成之前将增粘剂施加至引线框架。然而,有效的增粘剂通常不导电或至少干扰导电连接。因此,如果在线结合之前不从引线框架的特定区域去除增粘剂,那么就会有潜在的线结合失败的可能性。公知的用于从引线框架的特定区域去除增粘剂的技术需要昂贵的并且难以校准的多个处理步骤。
技术实现思路
公开了一种形成封装的半导体器件的方法。根据一个实施例,所述方法包括提供具有多个单元引线框架的引线框架条。每个单元引线框架均具有芯片焊盘、远离芯片焊盘延伸的多个引线和分界出引线的外部部分和引线的内部部分的外围环。所述方法还包括将增粘剂镀覆材料选择性地镀覆在第一单元引线框架的封装体轮廓区域内。芯片焊盘和引线的内部部分设置在封装体轮廓区域内,引线的外部部分设置在封装体轮廓区域之外。所述方法还包括处理第一单元引线框架中的线结合部位,使得在选择性地镀覆增粘剂镀覆材料之后,线结合部位基本上没有增粘剂镀覆材料。线结合部位设置在封装体轮廓区域内并且与外围环间隔开。根据另一个实施例,所述方法包括提供具有多个单元引线框架的引线框架条。每个单元引线框架具有中央开口以及远离中央开口延伸的多个引线。所述方法还包括将增粘剂镀覆材料选择性地在第一单元引线框架上镀覆在引线的第一部分上的封装体轮廓区域内。所述方法还包括将电绝缘密封材料模制在引线的第一部分上,使得中央开口被由密封材料的外侧壁形成的腔体封住。公开了一种封装的半导体器件。根据一个实施例,封装的半导体器件包括引线框架,所述引线框架具有中央开口和远离中央开口延伸的多个引线。引线中的至少一个具有升高部分,与引线的外部部分相比,所述升高部分距离中央开口更近。封装的半导体器件还包括形成在引线框架的封装体轮廓区域上的电绝缘密封材料,使得中央开口被由密封材料的外侧壁形成的腔体封住。封装的半导体器件还包括在引线框架与电绝缘密封材料之间的交界处形成在引线框架上的增粘剂镀覆材料。在阅读下文详细说明并查看附图时,本领域的技术人员将认识到附加的特征和优点。附图说明附图中的元件不一定相对彼此按比例绘制。相似的附图标记表示相应的相似部分。除非示出的各种实施例的特征彼此排斥,否则它们可以结合起来。实施例在附图中被示出并在下文中被详细描述。包括图1A和图1B的图1示出根据一个实施例的可被选择性地镀覆的引线框架条。图1A示出引线框架条的顶侧,图1B示出引线框架条的底侧。包括图2A和图2B的图2示出根据一个实施例的在引线框架条之上提供的掩蔽物。图2A示出引线框架条的顶侧,图2B示出引线框架条的底侧。包括图3A和图3B的图3示出根据一个实施例的在增粘剂镀覆材料在掩蔽物的开口内选择性地形成之后的引线框架条。图3A示出引线框架条的顶侧,图3B示出引线框架条的底侧。图4示出根据一个实施例的在去除掩蔽物之后,引线框架条的顶侧。图5示出根据一个实施例的已经被化学处理工艺处理的引线框架条的顶侧。图6示出根据一个实施例的已经被激光清洁工艺处理的引线框架条的顶侧。图7示出根据一个实施例的引线框架条的顶侧,所述引线框架条具有形成在引线框架的线结合部位上的线可结合层。图8示出根据一个实施例的引线框架条的顶侧,所述引线框架条具有可用来防止增粘剂镀覆材料形成在所选的位置中的抗腐蚀涂层。图9示出根据一个实施例的引线框架条的顶侧,所述引线框架条具有可用来防止增粘剂镀覆材料形成在所选的位置中的预掩蔽胶带。包括图10A和图10B的图10示出根据一个实施例的可被选择性地镀覆的引线框架条的另一种配置。图10A示出引线框架条的顶侧,图10B示出引线框架条的截面图。包括图11A和图11B的图11示出在选择性地形成增粘剂镀覆材料之后图10中的引线框架条。图11A示出引线框架条的顶侧,图11B示出引线框架条的截面图。图12示出根据一个实施例的引线框架条的顶侧,在引线框架条上形成有模制的封装体轮廓以及在引线框架条上在模制的封装体轮廓内形成有线可结合层。具体实施方式在此描述形成封装的半导体器件的方法的实施例。根据该方法,提供具有多个单元引线框架的引线框架条。将增粘剂镀覆材料选择性地施加在单元引线框架的封装体轮廓区域内。这个过程是单次的、直接的施加过程。例如,根据一个实施例,单元引线框架被掩蔽,增粘剂镀覆材料仅形成在从掩蔽物暴露出来的区域中。专利技术者发现相比于传统技术(所述传统技术可包括例如在增粘剂的非选择性镀覆之后进行蚀刻工艺),直接的选择性粘附镀覆工艺具有许多优点。然而,在直接的选择性粘附镀覆工艺中,存在有小量增粘剂会侵入线结合部位的可能性。在此描述的实施例通过在增粘剂的选择性镀覆之前或之后(或既在之前又在之后)对引线框架条中的线结合部位执行一个或一个以上的处理步骤来解决这个问题。例如,可对线结合部位进行化学处理和/或可用线可结合层(例如银)对其进行点镀。这些处理步骤确保在线结合之前,线结合部位基本上没有增粘剂镀覆材料。因此,所述处理步骤允许通过直接的选择性粘附镀覆工艺来镀覆引线框架条,而增粘剂镀覆材料又不干扰线结合的形成。参考图1,示出了根据一个实施例的引线框架条100的平面图。图1A中示出引线框架条100的顶侧102(即芯片附接侧),图1B中示出引线框架条100的底侧104。引线框架条100包括多个单元引线框架106,图1中示出其中两个单元引线框架106。为说明的目的,将讨论第一单元引线框架106。本领域普通技术人员将意识到,可将第一单元引线框架106在引线框架条100中复制多次(例如数十次、数百次等等),并且参考第一单元引线框架106所讨论的配置和处理步骤通用于引线框架条100中的每个其他单元引线框架106。引线框架条100可由导电材料(例如铜、铝等等)的片层形成。开口108在限定单元引线框架106的特征的金属片中形成。可例如通过冲压或蚀刻来形成开口108。第一单元引线框架106包括芯片焊盘110和远离芯片焊盘110延伸的多个引线本文档来自技高网
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直接的选择性增粘剂镀覆

【技术保护点】
一种形成封装的半导体器件的方法,包括:提供具有多个单元引线框架的引线框架条,每个单元引线框架均包括芯片焊盘、远离所述芯片焊盘延伸的多个引线以及分界出所述引线的外部部分和所述引线的内部部分的外围环;将增粘剂镀覆材料选择性地镀覆在第一单元引线框架的封装体轮廓区域内,所述芯片焊盘和所述引线的所述内部部分设置在所述封装体轮廓区域内,所述引线的所述外部部分设置在所述封装体轮廓区域之外;以及处理所述第一单元引线框架中的线结合部位,使得在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之后,所述线结合部位基本上没有所述增粘剂镀覆材料,其中,所述线结合部位设置在所述封装体轮廓区域内并且与所述外围环间隔开。

【技术特征摘要】
2015.09.25 US 14/866,0501.一种形成封装的半导体器件的方法,包括:提供具有多个单元引线框架的引线框架条,每个单元引线框架均包括芯片焊盘、远离所述芯片焊盘延伸的多个引线以及分界出所述引线的外部部分和所述引线的内部部分的外围环;将增粘剂镀覆材料选择性地镀覆在第一单元引线框架的封装体轮廓区域内,所述芯片焊盘和所述引线的所述内部部分设置在所述封装体轮廓区域内,所述引线的所述外部部分设置在所述封装体轮廓区域之外;以及处理所述第一单元引线框架中的线结合部位,使得在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之后,所述线结合部位基本上没有所述增粘剂镀覆材料,其中,所述线结合部位设置在所述封装体轮廓区域内并且与所述外围环间隔开。2.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述增粘剂镀覆材料选择性地镀覆至所述第一单元引线框架包括单道次金属镀覆过程。3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述单道次金属镀覆过程包括:在所述第一单元引线框架之上提供掩蔽物,所述掩蔽物覆盖所述引线的所述外部部分并且包括暴露所述封装体轮廓区域的开口;以及在所述开口中形成所述增粘剂镀覆材料。4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述线结合部位被掩蔽物覆盖,以防止在形成所述增粘剂镀覆材料期间在所述线结合部位上形成所述增粘剂镀覆材料。5.根据权利要求4所述的方法,其中,在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之前或之后,对所述线结合部位进行处理。6.根据权利要求5所述的方法,其中,处理所述线结合部位包括:在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之前,对所述线结合部位进行化学处理,以防止在选择性施加所述增粘剂镀覆材料期间在所述线结合部位上形成所述增粘剂镀覆材料。7.根据权利要求6所述的方法,其中,化学处理所述线结合部位包括将所述线结合部位暴露于抗浸渍或抗锈蚀的化学抑制剂。8.根据权利要求5所述的方法,其中,处理所述线结合部位包括:在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之后,去除在形成所述增粘剂镀覆材料期间所述增粘剂镀覆在所述线结合部位上形成的部分。9.根据权利要求8所述的方法,其中,去除所述增粘剂镀覆在所述线结合部位上形成的部分包括将化学清洁溶液施加至所述线结合部位,所述化学清洁溶液包括以下中的至少一种:氢氧化钾、乙酸铵、乳酸钾和丙酮。10.根据权利要求9所述的方法,其中,施加所述化学清洁溶液包括将所述线结合部位暴露于所述化学清洁溶液并且保护相邻区域免受所述化学清洁溶液的选择性清洁过程。11.根据权利要求5所述的方法,其中,处理所述线结合部位包括:在选择性地镀覆所述增粘剂镀覆材料之后,使所述线结合部位镀有线可结合层,以覆盖所述增粘剂镀覆材料的形成在...

【专利技术属性】
技术研发人员:H·阿兰格阿布德哈米德A·阿尔迈尔J·丹格尔迈尔K·H·华D·朗
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:德国,DE

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