晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，包括如下步骤：1）对晶体硅太阳能电池片进行转换效率的一次测量；2）在一定温度条件下，通过电注入的方式，向晶体硅太阳能电池片注入电流；3）对电注入后的晶体硅太阳能电池片进行转换效率的二次测量；4）计算出晶体硅太阳能电池片的实际光衰率；5）将上述实际光衰率与预设的良品光衰率比较，若实际光衰率不大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力合格的良品；若实际光衰率大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力不合格的不良品。本发明专利技术可在较低的能耗下，快速的对晶体硅太阳能电池片进行光衰测试，从而达到实时监控生产工艺的目的。

【技术实现步骤摘要】
晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法。
技术介绍
随着光伏技术的发展，多晶硅太阳能电池的转换效率越来越高，光致衰减（简称光衰）对太阳电池的影响也越来越大，终端市场对多晶硅太阳能电池的光衰率有严格的要求，因此，在多晶硅太阳能电池的生产过程中，需要对成品晶体硅太阳能电池片的抗光衰能力进行实时测试，以达到监控生产工艺的目的。目前常规的光衰测试方法为光照，测试时间较长（一般大于6h），能耗较大（一般大于100W/片），不利于太阳电池的生产过程监控。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，相比与现有光照测试光衰率的方式，本专利技术可减少测试时间，降低测试能耗。为实现上述目的，本专利技术的技术方案是设计一种晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，包括如下步骤：1）对晶体硅太阳能电池片进行转换效率的一次测量，得到一次效率值η1；2）在一定温度条件下，通过电注入的方式，向晶体硅太阳能电池片注入电流；3）对电注入后的晶体硅太阳能电池片进行转换效率的二次测量，得到二次效率值η2；4）计算出晶体硅太阳能电池片的实际光衰率；实际光衰率=（η1－η2）/η1×100%；5）将上述实际光衰率与预设的良品光衰率比较，若实际光衰率不大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力合格的良品；若实际光衰率大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力不合格的不良品。优选的，所述电注入的方式为：对晶体硅太阳能电池片施加正偏电压。优选的，在250～350℃的温度条件下，进行电注入。优选的，所述电注入过程中，注入电流控制在600～800mA/cm2。优选的，所述电注入的时间控制在0.5～1min。优选的，在300～350℃的温度条件下，进行电注入。优选的，所述电注入的时间控制在0.5min。优选的，所述良品光衰率为1%～2%。优选的，所述晶体硅太阳能电池片为多晶硅电池片或单晶硅电池片。本专利技术的优点和有益效果在于：提供一种晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，相比与现有光照测试光衰率的方式，本专利技术可减少测试时间，降低测试能耗。本专利技术在一定温度条件下，通过电注入的方式，向晶体硅太阳能电池片注入电流，达到快速模拟光照衰减的目的，从而能快速地对晶体硅太阳能电池片进行光衰测试，测试时间能降低至1min以内，能更好的对生产过程进行监控，而且电注入设备能耗低，单片测试能耗仅为光照测试设备百分之一。具体实施方式下面结合实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。本专利技术具体实施的技术方案是：一种晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，包括如下步骤：1）对晶体硅太阳能电池片进行转换效率的一次测量，得到一次效率值η1；2）在一定温度条件下，通过电注入的方式，向晶体硅太阳能电池片注入电流；3）对电注入后的晶体硅太阳能电池片进行转换效率的二次测量，得到二次效率值η2；4）计算出晶体硅太阳能电池片的实际光衰率；实际光衰率=（η1－η2）/η1×100%；5）将上述实际光衰率与预设的良品光衰率比较，若实际光衰率不大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力合格的良品；若实际光衰率大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力不合格的不良品；所述晶体硅太阳能电池片为多晶硅电池片或单晶硅电池片；所述良品光衰率设定为1%～2%；具体的工艺条件如下：在250～350℃的温度条件下，进行电注入；所述电注入的方式为：对多晶硅电池片施加正偏电压；所述电注入过程中，注入电流控制在600～800mA/cm2；所述电注入的时间控制在0.5～1min。优选的，在300～350℃的温度条件下进行电注入，注入电流控制在800mA/cm2，电注入的时间控制在0.5min。本专利技术可在较低的能耗下，快速的对晶体硅太阳能电池片进行光衰测试，从而达到实时监控生产工艺的目的。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：1）对晶体硅太阳能电池片进行转换效率的一次测量，得到一次效率值η

【技术特征摘要】
1.晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：1）对晶体硅太阳能电池片进行转换效率的一次测量，得到一次效率值η1；2）在一定温度条件下，通过电注入的方式，向晶体硅太阳能电池片注入电流；3）对电注入后的晶体硅太阳能电池片进行转换效率的二次测量，得到二次效率值η2；4）计算出晶体硅太阳能电池片的实际光衰率；实际光衰率=（η1－η2）/η1×100%；5）将上述实际光衰率与预设的良品光衰率比较，若实际光衰率不大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力合格的良品；若实际光衰率大于良品光衰率，则将晶体硅太阳能电池片判为抗光衰能力不合格的不良品。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其特征在于，所述电注入的方式为：对晶体硅太阳能电池片施加正偏电压。3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：任常瑞，符黎明，
申请(专利权)人：常州时创能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32