一种薄膜晶体管的电性特征测试方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种薄膜晶体管的电性特征测试方法及装置。该方案中，由于有源层中载流子迁移率不同，对微波信号的反射情况不同，而载流子迁移率反映了薄膜晶体管的电性特性，因而，本方案中，利用激光照射有源层，激发产生载流子后，通过获取有源层对微波信号的反射情况，就可以分析出薄膜晶体管的电性特征，与现有技术中完成源漏极的工艺后再进行测试相比，可以在形成有源层后就测试薄膜晶体管的电性特征，实现了提前预测薄膜晶体管的电性特征，及早发现异常，降低了废弃率。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管的电性特征测试方法及装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管的电性特征测试方法及装置。
技术介绍
目前，薄膜晶体管已经成为显示器件中非常重要的一种器件，其电性特征会影响显示器件的性能。在生产过程中，需要对薄膜晶体管的电性特征，如工作电流(Ion)、漏电流(Ioff)、载流子迁移率(Mobility，Mob)、阈值电压(Vth)，进行测量，以避免显示产品异常。现有技术中，一种对薄膜晶体管的电学性能进行测量的方式是，在源漏极工艺完成后,然后使用电性特征测试设备(EPMTester)进行测量分析，需要分别对栅极、源极、漏极施加一定的电压。但是，若在前程工艺发生污染造成器件电性异常时,也是要等到电性特征测试后才能发现，往往事发到发现期间都已经过3～4天，容易造成大量产品异常甚至报废。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种薄膜晶体管的电性特征测试方法及装置，用于解决现有的薄膜晶体管的电性特征测试方式不及时导致废弃率高的问题。本专利技术实施例的目的是通过以下技术方案实现的：一种薄膜晶体管的电性特征测试方法，包括：在形成待测试的薄膜晶体管的有源层之后，利用第一预设能量的激光激发所述有源层产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的所述有源层，并获取所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量；根据预先采集的不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系，以及获取的所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量，分析得到待测试的薄膜晶体管的电性特征值。较佳地，该方法还包括：预先采集不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系。较佳地，所述有源层的材料为多晶硅；预先采集不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系，包括：在采样基板的多个电性特征测试区域形成非晶硅之后，对各电性特征测试区域，采用多种不同的能量的激光进行照射，以形成不同结构的多晶硅；利用第一预设能量的激光激发各电性特征测试区域的多晶硅产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的多晶硅，获取各个电性特征测试区域的多晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量；形成薄膜晶体管的源漏极之后，利用电性特征测试设备，测量各电性特征测试区域的薄膜晶体管的电性特征值；利用测量的各电性特征测试区域的电性特征值与多晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量，得到不同的有源层对第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系。较佳地，所述有源层的材料为非晶硅；预先采集不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系，包括：利用不同流量的硅烷SiH4在多个不同的采样基板上的电性特征测试区域形成非晶硅之后，利用第一预设能量的激光激发各个采样基板上的各电性特征测试区域的非晶硅产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的非晶硅，获取各个采样基板上的各电性特征测试区域的非晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量；形成薄膜晶体管的源漏极之后，利用电性特征测试设备，测量各采样基板上的各电性特征测试区域的薄膜晶体管的电性特征值；利用测量的各采样基板上的各电性特征测试区域的电性特征值与非晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量，得到不同的有源层对第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系。较佳地，在形成待测试的薄膜晶体管的有源层之后，利用第一预设能量的激光激发有源层产生载流子，包括：利用第一预设能量的激光照射所述绝缘层的表面，以透过所述绝缘层激发所述有源层产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射所述绝缘层的表面，以透过所述绝缘层照射产生载流子的有源层，并获取所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量。一种薄膜晶体管的电性特征测试装置，包括：微波反射能量获取单元，用于在形成待测试的薄膜晶体管的有源层之后，利用第一预设能量的激光激发所述有源层产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的所述有源层，并获取所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量；电性特征分析单元，用于根据预先采集的不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系，以及获取的所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量，分析得到待测试的薄膜晶体管的电性特征值。较佳地，该装置还包括采集单元，用于：预先采集不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系。较佳地，所述有源层的材料为多晶硅；所述采集单元，具体用于：在采样基板的多个电性特征测试区域形成非晶硅之后，对各电性特征测试区域，采用多种不同的能量的激光进行照射，以形成不同结构的多晶硅；利用第一预设能量的激光激发各电性特征测试区域的多晶硅产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的多晶硅，获取各个电性特征测试区域的多晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量；形成薄膜晶体管的源漏极之后，利用电性特征测试设备，测量各电性特征测试区域的薄膜晶体管的电性特征值；利用测量的各电性特征测试区域的电性特征值与多晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量，得到不同的有源层对第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系。较佳地，所述有源层的材料为非晶硅；所述采样单元，具体用于：利用不同流量的硅烷SiH4在多个不同的采样基板上的电性特征测试区域形成非晶硅之后，利用第一预设能量的激光激发各个采样基板上的各电性特征测试区域的非晶硅产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的非晶硅，获取各个采样基板上的各电性特征测试区域的非晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量；形成薄膜晶体管的源漏极之后，利用电性特征测试设备，测量各采样基板上的各电性特征测试区域的薄膜晶体管的电性特征值；利用测量的各采样基板上的各电性特征测试区域的电性特征值与非晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量，得到不同的有源层对第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系。较佳地，所述微波反射能量获取单元，具体用于：利用第一预设能量的激光照射所述绝缘层的表面，以透过所述绝缘层激发所述有源层产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射所述绝缘层的表面，以透过所述绝缘层照射产生载流子的有源层，并获取所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量。本专利技术实施例的有益效果如下：本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的电性特征测试方法及装置中，由于有源层中载流子迁移率不同，对微波信号的反射情况不同，而载流子迁移率反映了薄膜晶体管的电性特性，因而，本方案中，利用激光照射有源层，激发产生载流子后，通过获取有源层对微波信号的反射情况，就可以分析出薄膜晶体管的电性特征，与现有技术中完成源漏极的工艺后再进行测试相比，可以在形成有源层后就测试薄膜晶体管的电性特征，实现了提前预测薄膜晶体管的电性特征，及早发现异常，降低了废弃率。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的电性特征测试方法流程图；图2为本专利技术实施例提供的EPMTesterKe本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的电性特征测试方法，其特征在于，包括：在形成待测试的薄膜晶体管的有源层之后，利用第一预设能量的激光激发所述有源层产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的所述有源层，并获取所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量；根据预先采集的不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系，以及获取的所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量，分析得到待测试的薄膜晶体管的电性特征值。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的电性特征测试方法，其特征在于，包括：在形成待测试的薄膜晶体管的有源层之后，利用第一预设能量的激光激发所述有源层产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的所述有源层，并获取所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量；根据预先采集的不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系，以及获取的所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量，分析得到待测试的薄膜晶体管的电性特征值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：预先采集不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述有源层的材料为多晶硅；预先采集不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系，包括：在采样基板的多个电性特征测试区域形成非晶硅之后，对各电性特征测试区域，采用多种不同的能量的激光进行照射，以形成不同结构的多晶硅；利用第一预设能量的激光激发各电性特征测试区域的多晶硅产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的多晶硅，获取各个电性特征测试区域的多晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量；形成薄膜晶体管的源漏极之后，利用电性特征测试设备，测量各电性特征测试区域的薄膜晶体管的电性特征值；利用测量的各电性特征测试区域的电性特征值与多晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量，得到不同的有源层对第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述有源层的材料为非晶硅；预先采集不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系，包括：利用不同流量的硅烷SiH4在多个不同的采样基板上的电性特征测试区域形成非晶硅之后，利用第一预设能量的激光激发各个采样基板上的各电性特征测试区域的非晶硅产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的非晶硅，获取各个采样基板上的各电性特征测试区域的非晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量；形成薄膜晶体管的源漏极之后，利用电性特征测试设备，测量各采样基板上的各电性特征测试区域的薄膜晶体管的电性特征值；利用测量的各采样基板上的各电性特征测试区域的电性特征值与非晶硅对第二预设能量的微波信号的反射能量，得到不同的有源层对第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成待测试的薄膜晶体管的有源层之后，利用第一预设能量的激光激发有源层产生载流子，包括：形成覆盖所述有源层的绝缘层之后，利用第一预设能量的激光照射所述绝缘层的表面，以透过所述绝缘层激发所述有源层产生载流子，同时利用第二预设能量的微波信号照射所述绝缘层的表面，以透过所述绝缘层照射产生载...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏国玮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11