【技术实现步骤摘要】
补偿显示器阵列中像素的系统和驱动发光器件的像素电路分案申请本申请是申请日为2012年5月26日、专利技术名称为“用于AMOLED显示器的老化补偿的系统和方法”的申请号为201280026000.8的专利申请的分案申请。
本专利技术大致上涉及用于显示器的电路以及对显示器进行驱动、校准和编程的方法,尤其是对有源矩阵有机发光二极管(activematrixorganiclightemittingdiode,AMOLED)显示器进行驱动、校准和编程的方法。
技术介绍
能够由均受控于单独的电路(即,像素电路)的发光器件的阵列来形成显示器,其中上述电路具有这样的晶体管:所述晶体管用于选择性地控制这些电路以用显示信息对这些电路进行编程并且使这些电路根据显示信息发光。能够在这类显示器中结合有被制造在基板上的薄膜晶体管(TFT)。随着显示器的老化,TFT随着时间推移易于在整个显示面板上表现出不均匀的性能。在显示器老化时,可以将补偿技术应用到这类显示器,以在整个显示器上实现图像均匀性并消除显示器中的劣化。关于用于向显示器进行补偿以消除整个显示面板上的以及随时间产生的差异的一些方案,它们利用监测系统来测量与像素电路的老化(即,劣化)相关的依赖时间参数。接着,能够使用所测量的信息来通知像素电路的随后的编程,以此确保通过对编程进行调整来消除任何测量到的劣化。这样的被监测的像素电路可能需要使用额外的晶体管和/或线路,以选择性地将像素电路连接至监测系统并将信息读出。令人不满的是,额外的晶体管和/或线路的并入可能减小了像素节距(即,像素密度)。
技术实现思路
在各个方面,本专利技术提供了适于 ...
【技术保护点】
一种用于补偿显示器阵列中的像素的系统,所述系统包括:像素电路,在编程周期期间根据编程信息对所述像素电路编程,且在发光周期期间根据所述编程信息驱动所述像素电路以发光,所述像素电路包括:发光器件,所述发光器件在所述发光周期期间发光,驱动晶体管,所述驱动晶体管在所述发光周期期间传输经过所述发光器件的电流,存储电容,在所述编程周期期间,所述存储电容被充电有至少部分地基于所述编程信息的电压,以及发光控制晶体管,所述发光控制晶体管连接至所述发光器件、所述驱动晶体管和所述存储电容中的至少两者,并且所述发光控制晶体管用于断开所述发光器件、所述驱动晶体管和所述存储电容中的所述至少两者,从而防止所述驱动晶体管和所述发光器件中的至少一者在所述编程周期期间对所述存储电容的充电的扰乱,所述存储电容和所述发光控制晶体管串联连接,并且直接连接到所述驱动晶体管和所述发光器件之间的节点;驱动器,所述驱动器通过根据所述编程信息对所述存储电容充电来经由数据线编程所述像素电路;以及控制器,所述控制器用于操作所述驱动器,并且所述控制器被设置用于:接收用于指示将从所述发光器件发出的亮度的量的数据输入;并且将所述编程信息提供至所述 ...
【技术特征摘要】
2011.05.27 US 61/490,870;2011.11.08 US 61/556,9721.一种用于补偿显示器阵列中的像素的系统,所述系统包括:像素电路,在编程周期期间根据编程信息对所述像素电路编程,且在发光周期期间根据所述编程信息驱动所述像素电路以发光,所述像素电路包括:发光器件,所述发光器件在所述发光周期期间发光,驱动晶体管,所述驱动晶体管在所述发光周期期间传输经过所述发光器件的电流,存储电容,在所述编程周期期间,所述存储电容被充电有至少部分地基于所述编程信息的电压,以及发光控制晶体管,所述发光控制晶体管连接至所述发光器件、所述驱动晶体管和所述存储电容中的至少两者,并且所述发光控制晶体管用于断开所述发光器件、所述驱动晶体管和所述存储电容中的所述至少两者,从而防止所述驱动晶体管和所述发光器件中的至少一者在所述编程周期期间对所述存储电容的充电的扰乱,所述存储电容和所述发光控制晶体管串联连接,并且直接连接到所述驱动晶体管和所述发光器件之间的节点;驱动器,所述驱动器通过根据所述编程信息对所述存储电容充电来经由数据线编程所述像素电路;以及控制器,所述控制器用于操作所述驱动器,并且所述控制器被设置用于:接收用于指示将从所述发光器件发出的亮度的量的数据输入;并且将所述编程信息提供至所述驱动器以编程所述像素电路,其中,所述编程信息至少部分地基于所接收的所述数据输入。2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述发光控制晶体管还用于连接所述驱动晶体管、所述发光器件和所述存储电容中的所述至少两者,使得在所述发光周期期间,根据所述存储电容上被充电的电压传输经过所述驱动晶体管和所述发光器件的电流。3.根据权利要求1所述的系统,其中,所述发光器件的电容在所述编程周期期间对所述存储电容的充电造成的扰乱被防止,并且所述像素电路以与所述发光器件的所述电容无关的方式被编程。4.根据权利要求3所述的系统,其中,所述发光控制晶体管连接在所述存储电容和所述发光器件之间,所述驱动晶体管、所述发光器件和所述存储电容中的所述至少两者包括所述存储电容和所述发光器件。5.根据权利要求1所述的系统,其中,所述驱动晶体管生成的电流在所述编程周期期间对所述存储电容的充电造成的扰乱被防止。6.根据权利要求5所述的系统,其中,施加至所述存储电容的端子的电压中的漂移在所述编程周期期间对所述存储电容的充电造成的扰乱被防止,所述漂移取决于所述驱动晶体管生成的流经另外的电路元件的电流。7.根据权利要求6所述的系统,其中,所述另外的电路元件包括开关晶体管,并且所述像素电路以与所述开关晶体管的电阻无关的方式被编程。8.根据权利要求5所述的系统,其中,所述发光控制晶体管连接在所述存储电容和所述驱动晶体管之间,所述驱动晶体管、所述发光器件和所述存储电容中的所述至少两者包括所述存储电容和所述驱动晶体管。9.根据权利要求1所述的系统,进一步包括监测器,所述监测器提取用于指示在监测周期期间所述像素电路的劣化的电压或电流,其中,所述像素电路还包括至少一个开关晶体管,所述至少一个开关晶体管用于在所述监测周期期间将经过所述驱动晶体管的电流路径连接至所述监测器,并且其中,所述控制器还用于操作所述监测器并且被设置用于:从所述监测器接收劣化量的指示;基于所述劣化量,确定补偿量以提供至所述像素电路;其中,所述编程信息至少...
【专利技术属性】
技术研发人员:戈尔拉玛瑞扎·恰吉,
申请(专利权)人:伊格尼斯创新公司,
类型:发明
国别省市:加拿大,CA
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