半导体器件与半导体封装件制造技术

技术编号:15746809 阅读:86 留言:0更新日期:2017-07-03 02:55
各个实施例涉及半导体器件与半导体封装件。一种半导体器件包括:一个或多个半导体裸片;支撑一个或多个半导体裸片的裸片焊盘;模制到由所述裸片焊盘支撑的一个或多个半导体裸片上的封装件,其中裸片焊盘被暴露在封装件的表面处;以及暴露的裸片焊盘,其中具有蚀刻图案以在裸片焊盘中形成至少一个电接触焊垫。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件与半导体封装件
本描述涉及半导体器件。
技术介绍
例如在半导体器件的所谓有机衬底封装件中可以提供嵌入式电容器。例如,电容器可以例如在平坦裸片焊盘区域上利用SMD焊接工艺,被嵌入在引线框架(LF)封装件中。此外,裸片焊盘可以用于散热和/或为半导体裸片提供单个输入/输出焊盘。尽管在该领域中有广泛的活动,仍然需要提供改进的封装价值和改进的器件性能两者的布置。
技术实现思路
本技术的实施例意在提供至少部分地解决以上问题的半导体器件和半导体封装件。一个或多个实施例可以应用于例如在引线框架中提供嵌入式电容器和/或例如为集成电路(IC)提供多功能裸片焊盘。在第一方面,提供了一种半导体器件,包括:至少一个半导体裸片,支撑至少一个半导体裸片的裸片焊盘,以及围绕至少一个半导体裸片的封装件,其中裸片焊盘的表面在封装件的表面处被暴露,其中裸片焊盘包括将裸片焊盘中的至少一个电接触焊垫与裸片焊盘的其余部分隔离的蚀刻部分。在一些实施例中,该半导体器件包括具有至少一个电接触引脚的引线框架,至少一个电接触引脚电耦合到裸片焊盘中的至少一个电接触焊垫。在一些实施例中,该半导体器件包括嵌入封装件中的电容器,其中电容器电耦合到裸片焊盘中的至少一个电接触焊垫和至少一个电接触引脚。在一些实施例中,至少一个电接触引脚通过接合线电耦合到裸片焊盘中的至少一个电接触焊垫。在一些实施例中,该半导体器件包括用于接收接合线的端部的至少一个电接触,至少一个电接触在裸片焊盘面向半导体器件内部的表面处。在一些实施例中,至少一个电接触引脚与裸片焊盘中的至少一个电接触焊垫一体成型。在一些实施例中,至少一个半导体裸片通过以下中的至少一个耦合到裸片焊盘:裸片附接层,以及至少一个电耦合形成物,与在裸片焊盘中形成的至少一个电接触焊垫耦合。在一些实施例中,该半导体器件包括:由裸片焊盘支撑的第一半导体裸片,以及堆叠在第一半导体裸片上的至少一个第二半导体裸片。在一些实施例中,该半导体器件包括多个引线,其中第一半导体裸片和至少一个第二半导体裸片通过打线接合耦合到相应的引线。在第二方面,提供了一种半导体封装件,包括:裸片焊盘,裸片焊盘包括第一部分和第二部分,第二部分与第一部分分离;多个引线,多个引线中的第一引线耦合到裸片焊盘的第二部分;耦合到裸片焊盘的半导体裸片;以及在半导体裸片周围的封装材料,裸片焊盘的表面在封装材料的表面处被暴露。在一些实施例中,半导体裸片由裸片焊盘的第一部分和第二部分支撑。在一些实施例中,该半导体器件包括耦合到裸片焊盘的电容器,其中电容器的第一端子耦合到裸片焊盘的第一部分,并且电容器的第二端子耦合到裸片焊盘的第二部分,其中半导体裸片耦合到第二部分。在一些实施例中,多个引线中的第一引线与裸片焊盘的第二部分成一体。在一些实施例中,该半导体器件包括接合线,接合线将多个引线中的第一引线耦合到裸片焊盘的第二部分。在一些实施例中,半导体裸片是第一半导体裸片,半导体封装件包括与第一半导体裸片垂直堆叠的第二半导体裸片。在一些实施例中,第二半导体裸片耦合到第一半导体裸片的背部表面。一个或多个实施例针对一种包括暴露的裸片焊盘的半导体器件,该暴露的裸片焊盘可以变换为接触焊盘(焊垫)阵列,从而增加给定封装件的输入/输出线的数量,而不增加尺寸或改变引线数。一个或多个实施例使得可能通过在相同引线框架中并入多个功能/裸片以在多个器件中使用相同的引线框架,而无需对有源区上焊盘(PadOnActive(POA))规格的实质改变。例如在混合封装件引线框架和/或多个裸片焊盘功能方面,一个或多个实施例可以提供优于已知解决方案的优点。在一个或多个实施例中,可以例如通过预镀引线框架(PPF)的方式,经由对裸片焊盘的选择性蚀刻来实现这些结果。附图说明现在将参照附图仅通过示例的方式描述一个或多个实施例,其中:图1是根据一个或多个实施例的半导体器件的截面图,图2和图3是根据一个或多个实施例的裸片焊盘的示意性平面图(分别从顶部和底部看),图4是根据一个或多个实施例的具有焊接在其上的电容器的裸片焊盘的示意性表示,图5至图7是根据一个或多个实施例的从裸片焊盘的顶部观察的示意性平面图,图8是根据一个或多个实施例的半导体器件的截面图,图9是根据图8的器件中的引线框架引线和裸片焊盘的示意性表示,图10至图12是根据图8的器件中的裸片焊盘/引线框架布置的示意性平面图(在图10和图12的情况下是从底部观察,在图11的情况下是从顶部观察),图13是根据一个或多个实施例的半导体器件的截面图,以及图14是根据一个或多个实施例的工艺的示例性流程图。应当理解,为了表示的清楚,各个附图可能不是以相同的比例绘制的。具体实施方式在随后的描述中,图示了一个或多个具体细节,旨在提供对实施例的示例的深入理解。实施例可以通过一个或多个具体细节或者利用其他方法、部件、材料等来获得。在其他情况下,未详细地图示或描述已知的结构、材料或操作,使得不会使实施例的某些方面变得模糊。在本说明书的框架中对“实施例”或“一个实施例”的引用旨在表示关于实施例所描述的特定配置、结构、特性符合至少一个实施例。因此,本说明书中的一个或多个点中可能存在的诸如“在实施例中”或“在一个(或多个)实施例中”的短语不一定指代一个相同的实施例。此外,如结合任意附图所例示的特定构造、结构或特性可以在如其他附图中可能示例的一个或多个实施例中以任何其他相当的方式组合。本文中使用的参考仅仅是为了方便而提供,因此不限定保护的程度或实施例的范围。用于产生蚀刻引线框架的技术可以用于制造诸如四方扁平无引线(QFN)集成电路的半导体器件。如所指出的,具有所包括的无源器件的引线框架在本领域中是已知的(如由诸如US7,489,021B2的文档所例示的)。此外,具有堆叠的裸片组件的半导体封装件在本领域中是已知的(如由诸如US2009/0261462A1的文档所例示的)。此外,在http://www.digikey.com/en/articles/techzone/2014/feb/optimized-integrated-pol-converters-deliver-performance-without–trade–offs可获得的AshokBindra的“IntegratedPOL(PointofLoad)convertersdeliveringperformancewithouttrade–offs”公开了集成在四方扁平无引线(QFN)器件中的电容器。图1是半导体封装件或器件10的示例,半导体封装件或器件10包括安装在裸片(支撑)焊盘14上的半导体裸片(或半导体器件本身)12(例如,中间插入有裸片附接材料(DAM)16)。半导体裸片12包括诸如集成电路的一个或多个电气部件。集成电路可以是模拟电路或数字电路,该模拟电路和数字电路可以实现为在裸片内形成的并且根据如本领域中公知的裸片的电气设计和功能而电互连的有源器件、无源器件、导电层和电介质层。附图标记18标记可以经由打线接合线或网络20电连接到半导体裸片12(更适当地,以接触例如在其上表面处提供的裸片焊盘)的器件的引线框架的接触引脚(引线指或尖端)。先前讨论的元件可以嵌入(例如,塑料的)封装件22中,封装件22包括诸如所谓的封装模制化本文档来自技高网...
半导体器件与半导体封装件

【技术保护点】
一种半导体器件,其特征在于,包括:至少一个半导体裸片,支撑所述至少一个半导体裸片的裸片焊盘,以及围绕所述至少一个半导体裸片的封装件,其中所述裸片焊盘的表面在所述封装件的表面处被暴露,其中所述裸片焊盘包括将所述裸片焊盘中的至少一个电接触焊垫与所述裸片焊盘的其余部分隔离的蚀刻部分。

【技术特征摘要】
2016.04.29 IT 1020160000442371.一种半导体器件,其特征在于,包括:至少一个半导体裸片,支撑所述至少一个半导体裸片的裸片焊盘,以及围绕所述至少一个半导体裸片的封装件,其中所述裸片焊盘的表面在所述封装件的表面处被暴露,其中所述裸片焊盘包括将所述裸片焊盘中的至少一个电接触焊垫与所述裸片焊盘的其余部分隔离的蚀刻部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,包括具有至少一个电接触引脚的引线框架,所述至少一个电接触引脚电耦合到所述裸片焊盘中的所述至少一个电接触焊垫。3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,包括嵌入所述封装件中的电容器,其中所述电容器电耦合到所述裸片焊盘中的所述至少一个电接触焊垫和所述至少一个电接触引脚。4.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述至少一个电接触引脚通过接合线电耦合到所述裸片焊盘中的所述至少一个电接触焊垫。5.根据权利要求4所述的半导体器件,其特征在于,包括用于接收所述接合线的端部的至少一个电接触,所述至少一个电接触在所述裸片焊盘面向所述半导体器件内部的表面处。6.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述至少一个电接触引脚与所述裸片焊盘中的所述至少一个电接触焊垫一体成型。7.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述至少一个半导体裸片通过以下中的至少一个耦合到所述裸片焊盘:裸片附接层,以及至少一个电耦合形成物,与在所述裸片焊盘中形成的所述至少一个电接触焊垫耦合。8.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,包括:由所述裸片焊盘支...

【专利技术属性】
技术研发人员:F·G·齐格利奥利
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司
类型:新型
国别省市:意大利,IT

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