栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，其特征是：包括双脉冲主电路，双脉冲主电路包括被测器件、陪测器件、第一功率器件和第二功率器件，被测器件的门极为双脉冲驱动电路；所述双脉冲驱动电路包括多个并联的栅极电阻和多个并联的栅极电容，第一光继电器组的一端连接被测器件的栅极信号，第一光继电器组的另一端连接电阻行矩阵的一端，电阻行矩阵的另一端连接被测器件的栅极和第二光继电器组的正输入端，第二光继电器组的负端连接栅极电容的一端，栅极电容的另一端连接被测器件的发射极。本实用新型专利技术能够改变IGBT栅极电阻、栅极电容的不同组合，从而更快、更准确的验证IGBT芯片的动态测试参数。

IGBT test circuit with continuously adjustable grid resistance and capacitance

The utility model relates to a IGBT test circuit of a gate resistor and capacitor can be adjusted continuously, which is characterized by comprising a double pulse circuit, the main circuit comprises a double pulse device being tested, with measuring device, the first second power devices and power devices, the device being tested for double gate pulse driving circuit; gate gate capacitance the resistance of double pulse driving circuit comprises a plurality of parallel and parallel gate signal, one end of the first optical relay group connecting device to be measured, the other end is connected with one end of the first resistor row of the matrix optical relay group, the resistance matrix is connected with the other end of the DUT gate and second light relay group the positive input end, the negative end of second optical relay group is connected to the gate capacitance of the gate capacitor connected to the other end of the device under test emitter. The utility model can change the different combinations of the IGBT gate resistance and the gate capacitance, thereby verifying the dynamic test parameters of the IGBT chip more quickly and accurately.

【技术实现步骤摘要】
栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路
本技术涉及一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，尤其是一种基于数字控制的栅极电阻Rge、电容Cge连续可调的IGBT测试电路。
技术介绍
当前在电力电子应用领域中，功率半导体IGBT得到了广泛的应用。在应用之前，利用半桥电路对IGBT进行双脉冲的动态测试以验证其性能，如图1所示，在图1中通过测试下半桥IGBT来说明双脉冲测试电路的性能，其中U为电压源，Lload为负载电感，T2为下半桥的IGBT，VD1为上半桥的FRD，图2为被测的IGBT的Vge、IC和VCE的波形图，在测试过程中利用示波器、电流电压探头测试下半桥的IGBT的电流IC、电压Vce和驱动Vge，上半桥IGBTT1处于负压关断状态。在IGBT芯片焊接到DBC板或封装完毕之后，为了验证IGBT芯片的动态性能，通过焊接的方式调整驱动板上的栅极电阻R1、R2和Cge组合，达到最终的测试目的。但是通过手动调整R1、R2和Cge组合的方式测试IGBT，会造成测试时间长、动态测试参数精度低、效率低、驱动板焊接点易脱落等问题。当前的测试方法是先在驱动板上焊接栅极电阻来测试功率器件的动态参数，通过分析，测试参数不合适，然后从测试平台上拆下驱动板，然后利用电烙铁焊接另一组电阻，依次类推，这样测试给测试人员带来很多的麻烦，测试时间长、分析周期长等等，再加上不断的对栅极电阻和栅极电容的匹配问题，测试数据更多，分析更加困难，造成测试、分析效率低。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，能够改变IGBT栅极电阻、栅极电容的不同组合，从而更快、更准确的验证IGBT芯片的动态测试参数。按照本技术提供的技术方案，所述栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，其特征是：包括双脉冲主电路，所述双脉冲主电路主要包括被测器件T2、陪测器件T1、第一功率器件VD1和第二功率器件VD2；所述陪测器件T1和第一功率器件VD1并联，被测器件T2和第二功率器件VD2并联，陪测器件T1的集电极连接到电源U的正极和负载电感Lload的一端，陪测器件T1的发射极连接到被测器件T2的集电极和负载电感Lload的另一端，被测器件T2的发射极和电源U的负极相连，第一功率器件VD1、第二功率器件VD2分别和陪测器件T1、被测器件T2反并联，陪测器件T1的门极G处于负压关断，被测器件T2的门极G为双脉冲驱动电路；所述双脉冲驱动电路主要包括栅极电阻R1~R20、二极管D1~D10、光继电器K1~K10、栅极电容Cge1~Cge10和光继电器K11~K20，光继电器K1~K10的一端连接被测器件T2的栅极信号，光继电器K1~K10的另一端连接电阻行矩阵的一端，电阻行矩阵的另一端连接被测器件T2的栅极、光继电器K11~K20的正输入端和稳压管D的一端，光继电器K11~K20的负端连接栅极电容Cge1~Cge10的一端，栅极电容Cge1~Cge10的另一端连接被测器件T2的发射极和稳压管D的另一端，栅极电容Cge1~Cge10并联设置。进一步的，所述电阻行矩阵包括并联设置的栅极电阻R1~R20；所述栅极电阻R2的一端连接二极管D1的正极，二极管D1的负极连接光继电器K1和栅极电阻R1的一端；栅极电阻R4的一端连接二极管D2的正极，二极管D2的负极连接光继电器K2和栅极电阻R3的一端；栅极电阻R6的一端连接二极管D3的正极，二极管D3的负极连接光继电器K3和栅极电阻R5的一端；栅极电阻R8的一端连接二极管D4的正极，二极管D4的负极连接光继电器K4和栅极电阻R7的一端；栅极电阻R10的一端连接二极管D5的正极，二极管D5的负极连接光继电器K5和栅极电阻R9的一端；栅极电阻R12的一端连接二极管D6的正极，二极管D6的负极连接光继电器K6和栅极电阻R11的一端；栅极电阻R14的一端连接二极管D7的正极，二极管D7的负极连接光继电器K7和栅极电阻R15的一端；栅极电阻R16的一端连接二极管D8的正极，二极管D8的负极连接光继电器K8和栅极电阻R15的一端；栅极电阻R18的一端连接二极管D9的正极，二极管D9的负极连接光继电器K9和栅极电阻R17的一端；栅极电阻R20的一端连接二极管D10的正极，二极管D10的负极连接光继电器K10和栅极电阻R19的一端；所述R1~R20的另一端连接被测器件T2的栅极、光继电器K11~K20的正输入端和稳压管D的一端。所述栅极电阻R1~R20通过光继电器K11~K20的开关进行组合，通过并联的方式得到合适的栅电阻大小。所述二极管D1~D10的作用是区别被测功率器件T2的开通关断栅电阻不同。进一步的，所述光继电器K1~K20由数字控制芯片控制开通和关断。本技术所述栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，能够更加方便、快捷、高精度测试功率器件的动态参数，从而对芯片设计提供高效的帮助，还为封装完成的IGBT模块在应用领域（焊机、变频、光伏、新能源汽车等）提供更加优良的测试平台。附图说明图1为现有技术中双脉冲测试电路的示意图。图2为被测的IGBT的Vge、IC和VCE的波形图。图3为本技术所述栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路的示意图。图4为数字控制芯片及相关的输入输出端口。具体实施方式下面结合具体附图对本技术作进一步说明。如图3所示，本技术所述栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路包括双脉冲主电路；所述双脉冲主电路主要包括被测器件T2、陪测器件T1、第一功率器件VD1和第二功率器件VD2，所述陪测器件T1和被测器件T2的电气参数相同，每个IGBT有三个端子门极G、集电极C和发射极E；所述陪测器件T1和第一功率器件VD1并联，被测器件T2和第二功率器件VD2并联，陪测器件T1的集电极连接到电源U的正极和负载电感Lload的一端，陪测器件T1的发射极连接到被测器件T2的集电极和负载电感Lload的另一端，被测器件T2的发射极和电源U的负极相连，第一功率器件VD1、第二功率器件VD2分别和陪测器件T1、被测器件T2反并联，陪测器件T1的门极G处于负压关断，被测器件T2的门极G为双脉冲驱动电路，双脉冲驱动电路由栅极电阻和栅极电容组成的10×10二维矩阵组成；所述双脉冲驱动电路主要包括栅极电阻R1~R20、二极管D1~D10、光继电器K1~K10、栅极电容Cge1~Cge10、光继电器K11~K20和稳压管D，光继电器K1~K10的一端连接被测器件T2的栅极信号，光继电器K1~K10的另一端连接电阻行矩阵的一端，电阻行矩阵的另一端连接被测器件T2的栅极、光继电器K11~K20的正输入端和稳压管D的一端，光继电器K11~K20的负端连接栅极电容Cge1~Cge10的一端，栅极电容Cge1~Cge10的另一端连接被测器件T2的发射极和稳压管D的另一端，栅极电容Cge1~Cge10并联设置。所述电阻行矩阵包括并联设置的栅极电阻R1~R20；所述栅极电阻R2的一端连接二极管D1的正极，二极管D1的负极连接光继电器K1和栅极电阻R1的一端；栅极电阻R4的一端连接二极管D2的正极，二极管D2的负极连接光继电器K2和栅极电阻R3的一端；栅极电阻R6的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，其特征是：包括双脉冲主电路，所述双脉冲主电路主要包括被测器件T

【技术特征摘要】
1.一种栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，其特征是：包括双脉冲主电路，所述双脉冲主电路主要包括被测器件T2、陪测器件T1、第一功率器件VD1和第二功率器件VD2；所述陪测器件T1和第一功率器件VD1并联，被测器件T2和第二功率器件VD2并联，陪测器件T1的集电极连接到电源U的正极和负载电感Lload的一端，陪测器件T1的发射极连接到被测器件T2的集电极和负载电感Lload的另一端，被测器件T2的发射极和电源U的负极相连，第一功率器件VD1、第二功率器件VD2分别和陪测器件T1、被测器件T2反并联，陪测器件T1的门极G处于负压关断，被测器件T2的门极G为双脉冲驱动电路；所述双脉冲驱动电路主要包括栅极电阻R1~R20、二极管D1~D10、光继电器K1~K10、栅极电容Cge1~Cge10和光继电器K11~K20，光继电器K1~K10的一端连接被测器件T2的栅极信号，光继电器K1~K10的另一端连接电阻行矩阵的一端，电阻行矩阵的另一端连接被测器件T2的栅极、光继电器K11~K20的正输入端和稳压管D的一端，光继电器K11~K20的负端连接栅极电容Cge1~Cge10的一端，栅极电容Cge1~Cge10的另一端连接被测器件T2的发射极和稳压管D的另一端，栅极电容Cge1~Cge10并联设置。2.如权利要求1所述的栅极电阻、电容连续可调的IGBT测试电路，其特征是：所述电阻行矩阵包括并联设置的栅极电阻R1~R20；所述栅极电阻R2的一端连接二极管D1的正极，二极管D1的负极连接光继电...

【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，董志意，赵鹏，张伟勋，王海军，
申请(专利权)人：江苏中科君芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32