高压电缆局部放电采集装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种高压电缆局部放电采集装置，包括，信号采集电路、高频放大电路、第一级差频电路、第一中频滤波放大电路、第二级差频电路、第二中频滤波放大电路、输出电路、一级可变频本机振荡电路、二级本机振荡电路和ARM芯片，所述信号采集电路的输出信号依次经高频放大电路、第一级差频电路、第一中频滤波放大电路、第二级差频电路、第二中频滤波放大电路和输出电路后输出至ARM芯片，所述ARM芯片与一级可变频本机振荡电路双向通信连接，所述一级可变频本机振荡电路的输出端与第一级差频电路连接，所述二级本机振荡电路与第二级差频电路连接。实现准确的测量局部放电电量的优点。

Partial discharge acquisition device for high-voltage cable

The utility model discloses a high voltage cable partial discharge acquisition device, including signal acquisition circuit, a high frequency amplification circuit, the first differential frequency circuit, the first intermediate frequency amplifier and filter circuit, second differential frequency circuit, second intermediate frequency amplifier and filter circuit, output circuit, a frequency variable local oscillator circuit, the oscillation circuit two and the ARM chip, the output signal of the signal collection circuit in the high frequency amplifying circuit, the first differential frequency circuit, the first intermediate frequency amplifier and filter circuit, second differential frequency circuit, second intermediate frequency amplifying circuit and the output circuit is output to the ARM chip, the ARM chip and a variable frequency oscillator circuit of the bidirectional communication connect output level variable frequency local oscillator circuit of the terminal connected to the first differential frequency circuit, the two level of the local oscillator circuit with second frequency differential Circuit connection. The advantages of accurate measurement of partial discharge capacity are achieved.

【技术实现步骤摘要】
高压电缆局部放电采集装置
本技术涉及电力测量领域，尤其涉及一种高压电缆局部放电采集装置。
技术介绍
一般高压供电电缆大约每300米就存在一处电缆接头，长时间运行于高电压、大电流(过负荷)下的电缆接头，很容易因电缆本身或附件质量缺陷、电缆接头施工质量不过关、机械损伤、受潮腐蚀或附件老化等原因造成绝缘损坏并发生局部放电，电缆接头发生局部放电后若得不到及时处理就很可能进一步酿成重大事故，从而严重影响电力系统的安全可靠运行，并造成巨大的经济损失。由于电缆接地线上的干扰十分复杂，有电缆本身产生的，也有运行环境中当中存在的，而且干扰频带较宽，所以很难有效的去除各种干扰，从而准确的测量出局部放电的电量。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术的目的在于提供高压电缆局部放电采集装置，从而实现准确的测量局部放电电量的优点。本技术的目的采用以下技术方案实现：一种高压电缆局部放电采集装置，包括，信号采集电路、高频放大电路、第一级差频电路、第一中频滤波放大电路、第二级差频电路、第二中频滤波放大电路、输出电路、一级可变频本机振荡电路、二级本机振荡电路和ARM芯片，所述信号采集电路的输出信号依次经高频放大电路、第一级差频电路、第一中频滤波放大电路、第二级差频电路、第二中频滤波放大电路和输出电路后输出至ARM芯片，所述ARM芯片与一级可变频本机振荡电路双向通信连接，所述一级可变频本机振荡电路的输出端与第一级差频电路连接，所述二级本机振荡电路与第二级差频电路连接，所述第一中频滤波放大电路，包括，三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5，所述三极管Q2的基极和第一中频滤波放大电路的输入端之间串联电容C2，三极管Q2的基极和发射极之间依次串联电阻R1、电阻R2、电阻R6、电容C3和电阻R8，电阻R1和电阻R2之间的节点与地之间串联电容C1，三极管Q2基极和集电极之间依次串联电阻R3和电阻R4，电阻R6和电容C3之间的节点与三极管Q1的基极之间串联电阻R7，三极管Q1的基极与发射极之间依次串联电阻R7和电容C3，三极管Q1的基极与集电极之间依次川电阻R7和电阻R6，三极管Q3的基极与三极管Q2的集电极连接，三极管Q3的集电极与三极管Q1的基极连接，三极管Q3的基极和发射极之间依次串联电阻R4和电容C4，三极管Q4的基极与三极管Q3的发射极连接，三极管Q4的基极与发射极之间串联电阻R5，三极管Q4的集电极与三极管Q1的发射极连接，三极管Q1的发射极与三极管Q5的基极之间串联电容C6，电容C5与电容C6并联，三极管Q1的集电极与+5V电源端连接，三极管Q5的基极与地之间连接电阻R11，三极管Q5的发射极接地，三极管Q5的基极与集电极之间依次串联电阻R10、稳压二极管D1、电阻R9和二极管D2，所述二极管D2的阳极与三极管Q5的集电极连接，且二极管D2的阳极与+5V电源端连接，稳压二极管D1的阳极与电阻R10连接。优选的，所述ARM芯片，包括第一A/D转换电路和第二A/D转换电路，所述第一A/D转换电路与一级可变频本机振荡电路连接，所述第二A/D转换电路的输入端与输出电路连接。优选的，所述电阻R1的电阻值为100KΩ，所述电阻R2的电阻值为33KΩ，所述电阻R3的电阻值为100KΩ，所述电阻R4的电阻值为22KΩ，所述电阻R5的电阻值为2.2KΩ，所述电阻R6的电阻值为220Ω，所述电阻R7的电阻值为220Ω，所述电阻R8的电阻值为2.7KΩ，所述电阻R9的电阻值为10KΩ，所述电阻R10的电阻值为330Ω，所述电阻R11的电阻值为1KΩ。优选的，所述电容C1的电容值为100μF，所述电容C2的电容值为1μF，所述电容C3的电容值为220μF，所述电容C4的电容值为220μF，所述电容C5的电容值为2200μF，所述电容C6的电容值为3.3μF。相比现有技术，本技术的有益效果在于：ARM芯片根据接收的来自输出电路的信号，从而改变输出扫频信号控制一级可变频本机振荡电路，调整输入信号的频带，实现ARM芯片对不同输入频带的信号进行测量并存储，最终通过比较找到干扰最小的频带。从而实现自动扫描和锁定干扰最小的频率区域，避开干扰较强频段。从而达到准确的测量局部放电电量的目的。附图说明图1为本技术实施例所述的高压电缆局部放电采集装置的原理框图；图2为本技术实施例所述的中频滤波放大电路的电子电路图。具体实施方式下面，结合附图以及具体实施方式，对本技术做进一步描述：如图1所示，一种高压电缆局部放电采集装置，包括，信号采集电路、高频放大电路、第一级差频电路、第一中频滤波放大电路、第二级差频电路、第二中频滤波放大电路、输出电路、一级可变频本机振荡电路、二级本机振荡电路和ARM芯片，信号采集电路的输出信号依次经高频放大电路、第一级差频电路、第一中频滤波放大电路、第二级差频电路、第二中频滤波放大电路和输出电路后输出至ARM芯片，ARM芯片与一级可变频本机振荡电路双向通信连接，一级可变频本机振荡电路的输出端与第一级差频电路连接，二级本机振荡电路与第二级差频电路连接，第一中频滤波放大电路如图2所示，包括，三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5，三极管Q2的基极和第一中频滤波放大电路的输入端之间串联电容C2，三极管Q2的基极和发射极之间依次串联电阻R1、电阻R2、电阻R6、电容C3和电阻R8，电阻R1和电阻R2之间的节点与地之间串联电容C1，三极管Q2基极和集电极之间依次串联电阻R3和电阻R4，电阻R6和电容C3之间的节点与三极管Q1的基极之间串联电阻R7，三极管Q1的基极与发射极之间依次串联电阻R7和电容C3，三极管Q1的基极与集电极之间依次川电阻R7和电阻R6，三极管Q3的基极与三极管Q2的集电极连接，三极管Q3的集电极与三极管Q1的基极连接，三极管Q3的基极和发射极之间依次串联电阻R4和电容C4，三极管Q4的基极与三极管Q3的发射极连接，三极管Q4的基极与发射极之间串联电阻R5，三极管Q4的集电极与三极管Q1的发射极连接，三极管Q1的发射极与三极管Q5的基极之间串联电容C6，电容C5与电容C6并联，三极管Q1的集电极与+5V电源端连接，三极管Q5的基极与地之间连接电阻R11，三极管Q5的发射极接地，三极管Q5的基极与集电极之间依次串联电阻R10、稳压二极管D1、电阻R9和二极管D2，二极管D2的阳极与三极管Q5的集电极连接，且二极管D2的阳极与+5V电源端连接，稳压二极管D1的阳极与电阻R10连接。优选的，ARM芯片，包括第一A/D转换电路和第二A/D转换电路，第一A/D转换电路与一级可变频本机振荡电路连接，第二A/D转换电路的输入端与输出电路连接。优选的，电阻R1的电阻值为100KΩ，电阻R2的电阻值为33KΩ，电阻R3的电阻值为100KΩ，电阻R4的电阻值为22KΩ，电阻R5的电阻值为2.2KΩ，电阻R6的电阻值为220Ω，电阻R7的电阻值为220Ω，电阻R8的电阻值为2.7KΩ，电阻R9的电阻值为10KΩ，电阻R10的电阻值为330Ω，电阻R11的电阻值为1KΩ。优选的，电容C1的电容值为100μF，电容C2的电容值为1μF，电容C3的电容值为220μF，电容C4的电容值为220本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压电缆局部放电采集装置，其特征在于，包括，信号采集电路、高频放大电路、第一级差频电路、第一中频滤波放大电路、第二级差频电路、第二中频滤波放大电路、输出电路、一级可变频本机振荡电路、二级本机振荡电路和ARM芯片，所述信号采集电路的输出信号依次经高频放大电路、第一级差频电路、第一中频滤波放大电路、第二级差频电路、第二中频滤波放大电路和输出电路后输出至ARM芯片，所述ARM芯片与一级可变频本机振荡电路双向通信连接，所述一级可变频本机振荡电路的输出端与第一级差频电路连接，所述二级本机振荡电路与第二级差频电路连接，所述第一中频滤波放大电路，包括，三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5，所述三极管Q2的基极和第一中频滤波放大电路的输入端之间串联电容C2，三极管Q2的基极和发射极之间依次串联电阻R1、电阻R2、电阻R6、电容C3和电阻R8，电阻R1和电阻R2之间的节点与地之间串联电容C1，三极管Q2基极和集电极之间依次串联电阻R3和电阻R4，电阻R6和电容C3之间的节点与三极管Q1的基极之间串联电阻R7，三极管Q1的基极与发射极之间依次串联电阻R7和电容C3，三极管Q1的基极与集电极之间依次川电阻R7和电阻R6，三极管Q3的基极与三极管Q2的集电极连接，三极管Q3的集电极与三极管Q1的基极连接，三极管Q3的基极和发射极之间依次串联电阻R4和电容C4，三极管Q4的基极与三极管Q3的发射极连接，三极管Q4的基极与发射极之间串联电阻R5，三极管Q4的集电极与三极管Q1的发射极连接，三极管Q1的发射极与三极管Q5的基极之间串联电容C6，电容C5与电容C6并联，三极管Q1的集电极与+5V电源端连接，三极管Q5的基极与地之间连接电阻R11，三极管Q5的发射极接地，三极管Q5的基极与集电极之间依次串联电阻R10、稳压二极管D1、电阻R9和二极管D2，所述二极管D2的阳极与三极管Q5的集电极连接，且二极管D2的阳极与+5V电源端连接，稳压二极管D1的阳极与电阻R10连接。...

【技术特征摘要】
1.一种高压电缆局部放电采集装置，其特征在于，包括，信号采集电路、高频放大电路、第一级差频电路、第一中频滤波放大电路、第二级差频电路、第二中频滤波放大电路、输出电路、一级可变频本机振荡电路、二级本机振荡电路和ARM芯片，所述信号采集电路的输出信号依次经高频放大电路、第一级差频电路、第一中频滤波放大电路、第二级差频电路、第二中频滤波放大电路和输出电路后输出至ARM芯片，所述ARM芯片与一级可变频本机振荡电路双向通信连接，所述一级可变频本机振荡电路的输出端与第一级差频电路连接，所述二级本机振荡电路与第二级差频电路连接，所述第一中频滤波放大电路，包括，三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5，所述三极管Q2的基极和第一中频滤波放大电路的输入端之间串联电容C2，三极管Q2的基极和发射极之间依次串联电阻R1、电阻R2、电阻R6、电容C3和电阻R8，电阻R1和电阻R2之间的节点与地之间串联电容C1，三极管Q2基极和集电极之间依次串联电阻R3和电阻R4，电阻R6和电容C3之间的节点与三极管Q1的基极之间串联电阻R7，三极管Q1的基极与发射极之间依次串联电阻R7和电容C3，三极管Q1的基极与集电极之间依次川电阻R7和电阻R6，三极管Q3的基极与三极管Q2的集电极连接，三极管Q3的集电极与三极管Q1的基极连接，三极管Q3的基极和发射极之间依次串联电阻R4和电容C4，三极管Q4的基极与三极管Q3的发射极连接，三极管Q4的基极与发射极之间串联电阻R5，三极管Q4的集电极与三极管Q1的发射极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：张贤勇，
申请(专利权)人：张贤勇，
类型：新型
国别省市：广东,44