成膜装置制造方法及图纸

技术编号:15740437 阅读:213 留言:0更新日期:2017-07-02 06:44
本发明专利技术提供一种成膜装置。该成膜装置在真空容器内使旋转台旋转,而使旋转台上的多个基板依次通过处理气体的供给区域,由此在基板上成膜,其包括:凹部,其在所述旋转台的一面侧沿着周向设有多个,形成为分别收纳所述基板;载置部,其用于在所述凹部内支承基板的比周缘部靠中央的部位;槽部,其为环状,形成为在所述凹部内包围所述载置部;连通路,其包括连通槽或连通孔,该连通槽或连通孔形成为在从所述载置部的中心进行观察时从所述槽部的靠所述旋转台的旋转中心侧的区域连通到该凹部的外部的区域;以及排气口,其用于对所述真空容器内进行真空排气。

Film forming device

The invention provides a film forming device. The film forming device in a vacuum container so that the rotary table rotates, and the plurality of substrate rotation table followed by the gas supply area, the film on a substrate includes a recess in the rotary table side along the circumferential direction is provided with a plurality of forms containing respectively, the substrate; placing part, which is used in the recess of the substrate than the peripheral part by the central part; the annular slot, and formed to surround the mounting portion in the recess; even the pathway, including the connection groove or through hole communicated with the groove or connected hole is formed from the rotation center of the slot on the rotary table side were observed from the mounting portion at the center of the area connected to the outside of the concave area; and the exhaust port, which is used for the evacuation of the vacuum container.

【技术实现步骤摘要】
成膜装置
本专利技术涉及一种成膜装置:在真空容器内使旋转台旋转,使旋转台上的基板依次通过原料气体的供给区域、与原料发生反应的反应气体的供给区域,从而在基板上成膜。
技术介绍
作为在半导体晶圆等基板(以下,称为“晶圆”)上形成氧化硅膜(SiO2)等薄膜的方法,已知有所谓的ALD(AtomicLayerDeposition,原子层沉积)法。作为实施该ALD法的装置,已知有这样的装置:使配置在真空容器内的旋转台上的多个晶圆利用旋转台进行公转,依次通过供给原料气体的区域、供给与原料气体发生反应的反应气体的区域。在旋转台上配置有用于使各晶圆落入而对各晶圆进行保持的凹部,该凹部为了在晶圆的外缘设有间隙(为了以晶圆装卸自如的方式保持晶圆),而形成为俯视观察时比晶圆大一圈。已知晶圆由外部的输送臂刚交接到旋转台的凹部内之后,由于加热时面内温度的不均匀,而其中央部比周缘部鼓起地弯曲,随着面内温度的均匀性的提高,所述弯曲逐渐消失。另一方面,由于使旋转台进行旋转,因此在伴随着该旋转的离心力的作用下,晶圆在凹部内向旋转台的外周侧移动所述间隙的量。这样,晶圆一边要从弯曲状态恢复为平坦状态,一边移动,其周缘部擦蹭着凹部底面地移动,有可能产生微粒。因此,提出了在所述凹部的底面设置俯视形状比晶圆小的晶圆载置台的结构。采用该结构,能够抑制晶圆的周缘部与凹部底面的擦蹭,因此能够抑制微粒的产生。但是,本专利技术人得出如下见解:在进行旋转台的转速较高的工艺、处理气氛的压力较高的工艺的情况下,在晶圆的周缘部的一部分产生膜厚局部较厚的现象。本专利技术人推测该现象是因为在载置台的周围的槽部内局部滞留有较浓的气体,该较浓的气体蔓延到晶圆的表面所致。可是,追求膜形成为:晶圆的中心侧的膜厚比较厚,随着朝向晶圆的周缘侧去而膜厚变薄,并且晶圆的周向上的膜厚的均匀性高。但是,如所述那样,若发生较浓的气体向表面蔓延,则晶圆的周缘部的周向上产生膜厚不均匀,可能无法充分满足该要求。
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术提供一种成膜装置,在真空容器内使旋转台旋转,对旋转台上的基板进行成膜处理时,能够确保基板的周缘部的周向上的良好膜厚均匀性。用于解决问题的方案本专利技术的成膜装置在真空容器内使旋转台旋转,而使旋转台上的多个基板依次通过处理气体的供给区域,由此在基板上成膜,其中,该成膜装置包括:凹部,其在所述旋转台的一面侧沿着周向设有多个,形成为分别收纳所述基板;载置部,其用于在所述凹部内支承基板的比周缘部靠中央的部位;槽部,其为环状,形成为在所述凹部内包围所述载置部;连通路,其包括连通槽或连通孔,该连通槽或连通孔形成为在从所述载置部的中心进行观察时从所述槽部的靠所述旋转台的旋转中心侧的区域连通到该凹部的外部的区域;以及排气口,其用于对所述真空容器内进行真空排气,所述外部的区域是与所述凹部相邻的其他凹部内的载置部的周围的环状的槽部或者所述旋转台的外周缘的外侧。附图说明添加的附图作为本说明书的一部分编入,表示本专利技术的实施方式,与所述一般说明及后述的实施方式的详细内容一起说明本专利技术的概念。图1是表示本专利技术的实施方式的成膜装置的纵剖视图。图2是表示本专利技术的实施方式的成膜装置的横剖视图。图3是表示成膜装置的旋转台的俯视图。图4是表示旋转台的一部分的立体图。图5是以沿径向的剖面表示旋转台的纵剖视图。图6是表示以沿I-I线的剖面表示旋转台的纵剖视图。图7是将参考例中的旋转台的凹部和晶圆的膜厚分布相对应地表示的说明图。图8是示意性地表示参考例中的旋转台的凹部内的气体流的情况的说明图。图9是示意性地表示本专利技术的实施方式中的旋转台的凹部内的气体流的情况的说明图。图10是表示本专利技术的另一实施方式的旋转台的一部分的俯视图。图11是表示本专利技术的又一实施方式的旋转台的一部分的俯视图。图12是表示本专利技术的实施方式和参考例的晶圆的面内膜厚分布的特性图。具体实施方式以下,参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。在下述的详细的说明中,为了能够充分地理解本专利技术,提供了很多具体的详细内容。然而,没有这样的详细的说明,本领域技术人员能够实现本专利技术是显而易见的。在其他例子中,为了避免难以理解各种实施方式的情况,没有详细地示出公知的方法、顺序、系统、构成要素。分别参照作为纵剖侧视图、横剖俯视图的图1、图2,对本专利技术的实施方式的成膜装置进行说明。该成膜装置包括俯视形状大致圆形的真空容器1、以及设于该真空容器1内的在该真空容器1的中心具有旋转中心并且例如由石英构成的水平圆形旋转台2,对载置于旋转台2的晶圆W供给处理气体,进行成膜处理。另外,图2中的附图标记N表示形成于晶圆W的周缘部的作为缺口的槽口。图1中附图标记11、12分别是构成真空容器1的顶板、容器主体。在顶板11的上表面侧的中央部,为了抑制在真空容器1内的中心部区域C互不相同的处理气体彼此混合,而连接有用于供给氮(N2)气体来作为分离气体的分离气体供给管13。在容器主体12的底面部14,沿真空容器1的一周形成有圆环状的凹部15(参照图1)。在该凹部15内设有作为加热机构的加热单元16,隔着旋转台2将该旋转台2上的晶圆W加热至规定成膜温度例如620℃。图中附图标记17是用于封堵凹部15的覆盖件,图中附图标记18是供给对凹部15内进行吹扫用的吹扫气体的供给管。在所述旋转台2的中心部的下方侧设有旋转机构21,旋转机构21借助铅垂的旋转轴22使旋转台2顺时针旋转。图中附图标记23是收纳旋转轴22及旋转机构21的罩体,图中附图标记24是用于向罩体23内供给N2气体来作为吹扫气体的吹扫气体供给管。图3表示旋转台2的一面侧(表面侧)。在该一面侧形成有凹部、槽部而形成了台阶,在图3中,为了容易识别各部分,利用灰度表示像那样形成凹部、槽部而高度比周围低的区域。在旋转台2的一面侧,为了使圆形的晶圆W落入而保持晶圆,沿该旋转台2的旋转方向(周向)设有6处圆形的凹部25。各凹部25形成为俯视观察时直径比晶圆W的直径大,以便在其与晶圆W的外缘之间设有间隙区域(间隙)。具体而言,晶圆W的直径尺寸及凹部25的直径尺寸例如分别为300mm及302mm。另外,旋转台2的直径尺寸例如为1000mm左右。图4是所述凹部25的立体图,图5是凹部25的沿旋转台2的径向的纵剖侧视图,图6是图3的I-I向视剖视图。也参照这些图,对旋转台2进行进一步的说明。凹部25的底部的周缘部向下方进一步凹陷而形成圆环状的槽部27,凹部25的底部的被该环状槽部27包围的部分的上端面构成水平的圆形的载置部26。在俯视时,载置部26的中心与凹部25的中心相一致,载置部26的直径小于晶圆W的直径。采用这样的结构,晶圆W载置于载置部26时,如图5、图6所示,晶圆W的比周缘部靠中央部的区域被该载置部26支承,晶圆W的周缘部自该凹部25的底面浮起。像这样形成载置部26及环状槽部27以载置晶圆W的目的在于,防止如在
技术介绍
部分所说明的那样被加热而弯曲的晶圆W与凹部25的底面擦蹭。另外,图3中附图标记25a是设于载置部26的贯通孔,供从下方侧顶起晶圆W而使晶圆W升降用的3个升降销(未图示)突出或退回。图5所示的载置部26的高度尺寸h例如为0.1mm~1.0mm,形成为旋转台2的表面比载置于载置部26的晶圆W的表面高一些。载置部26的直径尺寸d例如为本文档来自技高网
...
成膜装置

【技术保护点】
一种成膜装置,在真空容器内使旋转台旋转,而使旋转台上的多个基板依次通过处理气体的供给区域,由此在基板上成膜,其中,该成膜装置包括:凹部,其在所述旋转台的一面侧沿着周向设有多个,形成为分别收纳所述基板;载置部,其用于在所述凹部内支承基板的比周缘部靠中央的部位;槽部,其为环状,形成为在所述凹部内包围所述载置部;连通路,其由连通槽或连通孔形成,该连通槽或连通孔形成为在从所述载置部的中心进行观察时从所述槽部的靠所述旋转台的旋转中心侧的区域连通到该凹部的外部的区域;以及排气口,其用于对所述真空容器内进行真空排气,所述外部的区域是与所述凹部相邻的其他凹部内的载置部的周围的环状的槽部或者所述旋转台的外周缘的外侧。

【技术特征摘要】
2015.10.28 JP 2015-2119461.一种成膜装置,在真空容器内使旋转台旋转,而使旋转台上的多个基板依次通过处理气体的供给区域,由此在基板上成膜,其中,该成膜装置包括:凹部,其在所述旋转台的一面侧沿着周向设有多个,形成为分别收纳所述基板;载置部,其用于在所述凹部内支承基板的比周缘部靠中央的部位;槽部,其为环状,形成为在所述凹部内包围所述载置部;连通路,其由连通槽或连通孔形成,该连通槽或连通孔形成为在从所述载置部的中心进行观察时从所述槽部的靠所述旋转台的旋转中心侧的区域连通到该凹部的外部的区域;以及排气口,其用于对所述真空容器内进行真空排气,所述外部的区域是与所述凹部相邻的其他凹部内的载置部的周围的环状的槽部或者所述旋转台的外周缘的外侧。2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,所述外部的区域是与所述凹部相邻的其他凹部内的载置部的周围的环状的槽部的从该其他凹部的载置部的中心进行观察时与所述旋转台的旋转中心相反的一侧的区域。...

【专利技术属性】
技术研发人员:梅原隆人长谷川雅之高桥喜一佐佐木祐也
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1