The present invention provides a hydrophobic polyimide film, polyimide substrate, intermediate layer and Teflon coating, the polyimide substrate is located at the bottom of the Teflon coating on the top, the intermediate middle layer is positioned on the polyimide substrate with the Teflon coated layer, the intermediate layer of raw materials including amino silane coupling agent and fluorine silane coupling agent. The invention also provides a method for preparing, a hydrophobic polyimide film comprises the following steps: 1) mixing solution and polyimide substrate reaction of amino silane coupling agent and fluorine silane coupling agent and obtain the intermediate transition layer; 2) the Teflon coating liquid is coated on the intermediate layer and dry, obtain the Teflon coating.
【技术实现步骤摘要】
疏水聚酰亚胺膜及其制备方法
本专利技术涉及材料领域,具体为一种疏水聚酰亚胺膜及其制备方法。
技术介绍
聚酰亚胺作为一种特种工程材料,已广泛应用在航空、航天、微电子、纳米、液晶、分离膜、激光等领域。聚酰亚胺是综合性能最佳的有机高分子材料之一,因其在性能和合成方面的突出特点,不论是作为结构材料或是作为功能性材料,其巨大的应用前景已经得到充分的认识。优异的耐高温性(≥400℃)和良好的耐化学稳定性,长期使用温度范围-200~300℃,无明显熔点,高绝缘性能。在众多的聚合物中很难找到如聚酰亚胺这样具有如此广泛的应用方面,而且在每一个方面都显示了极为突出的性能。尽管聚酰亚胺具有优异的热稳定性和耐化学稳定性,但是聚酰亚胺的低的表面性能使得聚酰亚胺在一些需要具备疏水功能的应用方面,就要对其进行表面改性,因此改性难度较大。通常的改性方法有物理法和化学法。物理法是通过表面涂布一层比如氟碳树脂、特氟龙涂层等具有疏水性能的涂层,然而由于氟化合物自身较低的表面能,与基材的结合力一般很弱,影响使用。化学法是通过化学改性方法在其表面构筑疏水功能涂层,由于聚酰亚胺的化学稳定性,化学法的难度较大。Wu等人采用将聚酰亚胺用碱溶液浸泡开环,然后与AgNO3水溶液进行离子交换,然后高温还原,在聚酰亚胺表面构筑了一层纳米银颗粒涂层,使得聚酰亚胺具有超疏水性,接触角高达157°,尽管得到了较好的疏水表面,但是其涂层的耐磨性没有得到实现。因此,制备具备疏水功能和耐擦伤性的聚酰亚胺膜是急需解决的难题。
技术实现思路
鉴于上述情况,本专利技术提供一种疏水聚酰亚胺膜及其制备方法,其具有良好的表面疏水性、表面强 ...
【技术保护点】
一种疏水聚酰亚胺膜,包括聚酰亚胺基材、中间过渡层和特氟龙涂层,所述聚酰亚胺基材位于底部,所述特氟龙涂层位于顶部,所述中间过渡层位于所述聚酰亚胺基材与所述特氟龙涂层的中间,其中,所述中间过渡层的原料包括氨基硅烷偶联剂和氟硅烷偶联剂。
【技术特征摘要】
1.一种疏水聚酰亚胺膜,包括聚酰亚胺基材、中间过渡层和特氟龙涂层,所述聚酰亚胺基材位于底部,所述特氟龙涂层位于顶部,所述中间过渡层位于所述聚酰亚胺基材与所述特氟龙涂层的中间,其中,所述中间过渡层的原料包括氨基硅烷偶联剂和氟硅烷偶联剂。2.根据权利要求1所述的疏水聚酰亚胺膜,其特征在于,所述氨基硅烷偶联剂与所述氟硅烷偶联剂的摩尔比为1:1~4:1。3.根据权利要求1所述的疏水聚酰亚胺膜,其特征在于,所述氨基硅烷偶联剂包括γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷中的至少一种;所述氟硅烷偶联剂包括十三氟辛基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷、十七氟癸基三乙氧基硅烷中的至少一种。4.根据权利要求1所述的疏水聚酰亚胺膜,其特征在于,所述特氟龙涂层的厚度为10~60μm。5.一种疏水聚酰亚胺膜的制备方法,步骤包括:1)将氨基硅烷偶联剂和氟硅烷...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑冬琛,
申请(专利权)人:北京奥托米特电子有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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