The invention discloses a membrane mask method, including: the corrosion of glass (a) will have a silicon oxide layer on the surface of the glass and catalytic bonding by hydroxide; (b) to remove the surface oxide layer on the silicon wafer thinning; (c); (d) with the photoresist on the surface of the silicon wafer lithography. The formation of glass corrosion need graphics; (E) using DRIE (deep reactive ion etching) anisotropic etching, etching of silicon, etching depth to glass layer; (f) to remove the photoresist on the wafer; corrosion of glass (g); (H) removing silicon, silicon oxide, glass and cleaning, get the glass structure needed. By the method of the invention, the corrosion depth of the glass is unlimited, and the thermal stress caused by the anodic bonding temperature can be avoided, and the expensive equipment is not needed, and the operation is simple.
【技术实现步骤摘要】
一种玻璃腐蚀的掩膜方法
本专利技术涉及机械系统微加工领域,具体涉及玻璃腐蚀的掩膜方法。
技术介绍
玻璃具有广泛的用途,以往玻璃腐蚀所采用的掩膜有光刻胶、Cr/Au、Ti/Au、碳化硅等,但利用这些材料做掩膜,玻璃腐蚀深度较小,一般小于50μm。另外,有文献报道利用多晶硅、无定型硅或单晶硅做掩膜,玻璃腐蚀深度较大。如利用LPCVD(低压力化学气相沉积法)沉积多晶硅做掩膜,当掩膜厚度为500nm时,可以获得大于400μm的玻璃腐蚀深度,但是该方法需要对多晶硅薄膜的应力进行很好的控制,应用上存在难度;也有报道采用阳极键合的方法利用单晶硅做掩膜,可以获得大于500μm的玻璃腐蚀深度,但是该方法在玻璃腐蚀前,需要利用阳极键合将单晶硅跟玻璃键合在一起,然后利用等离子刻蚀或KOH溶液腐蚀减薄硅片,因此该方法比较昂贵和费时,且键合会产生较大的热应力。另一方面,在光学应用领域,开发出了一种氢氧化物催化键合用于石英玻璃之间的连接,该方法是一种光学透明、结构可靠、热性能稳定的低温连接技术,可以满足多种热环境、水环境和振动环境的使用需求。然而将该连接技术用于玻璃腐蚀领域,甚至玻璃深孔腐蚀领域还未见报道。如上所述,在玻璃腐蚀领域,急需一种可避免阳极键合温度带来的热应力、不需要昂贵的设备、操作简单的玻璃腐蚀的掩膜方法。
技术实现思路
为解决现有技术和实际情况中存在的上述问题,本专利技术提供一种玻璃腐蚀的掩膜方法。根据本专利技术的玻璃腐蚀的掩膜方法,其包括下述步骤:(a)通过氢氧化物将具有表面氧化层的硅片与玻璃进行催化键合;(b)去掉硅片上表面的氧化层;(c)减薄硅片;(d)以光刻胶在硅片 ...
【技术保护点】
一种玻璃腐蚀的掩膜方法,其特征在于,包括下述步骤:(a)通过氢氧化物将具有表面氧化层的硅片与玻璃进行催化键合;(b)去掉硅片上表面的氧化层;(c)减薄硅片;(d)以光刻胶在硅片表面光刻,形成玻璃腐蚀所需要的图形;(e)利用DRIE各向异性刻蚀,刻蚀硅片,刻蚀深度至玻璃层;(f)去掉硅片上的光刻胶;(g)腐蚀玻璃;(h)去掉玻璃上的硅、氧化硅,并清洗,得到所需要的玻璃结构。
【技术特征摘要】
1.一种玻璃腐蚀的掩膜方法,其特征在于,包括下述步骤:(a)通过氢氧化物将具有表面氧化层的硅片与玻璃进行催化键合;(b)去掉硅片上表面的氧化层;(c)减薄硅片;(d)以光刻胶在硅片表面光刻,形成玻璃腐蚀所需要的图形;(e)利用DRIE各向异性刻蚀,刻蚀硅片,刻蚀深度至玻璃层;(f)去掉硅片上的光刻胶;(g)腐蚀玻璃;(h)去掉玻璃上的硅、氧化硅,并清洗,得到所需要的玻璃结构。2.根据权利要求1所述的玻璃腐蚀的掩膜方法,其特征在于,在所述步骤(a)中的催化键合,具体包括下述步骤:(1)在洁净玻璃上滴入含OH-的水溶液;(2)将具有表面氧化层的硅片轻轻的压在滴有液体一面的玻璃上;(3)在室温下静置24小时以上。3.根据权利要求1所述的玻璃腐蚀的掩膜方法,其特征在于,所述具有表面氧化层的硅片是将硅片放入氧化炉中进行表面氧化而成。4.根据权利要求2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张照云,苏伟,唐彬,许蔚,熊壮,
申请(专利权)人:中国工程物理研究院电子工程研究所,
类型:发明
国别省市:四川,51
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