The invention discloses a method for transferring graphene. This method uses easy sublimation of the material as a support layer transfer of graphene, by heating the material easy sublimation, compact support layer is formed on the surface of graphene sublimation growth on initial substrate, and then removing the initial matrix and the graphene / support layer is transferred to the target substrate, and then the supporting layer can be sublimated. Compared with the residue problem of the existing PMMA method, PDMS method and hot embossing method, heat release tape method on target substrate smoothness, adhesion requirement is high, the invention uses easy sublimation material as supporting layer, the transfer process is more simple and convenient, and can realize large area graphene substrate to target any lossless no residue transfer, will greatly expand the application of graphene in flexible electronics, organic nano electronics, organic solar cells, organic sensor, organic high performance micro nano electronic devices, energy storage and other fields of organic materials.
【技术实现步骤摘要】
一种基于升华法的转移石墨烯的方法
本专利技术属于石墨烯
,具体涉及一种转移石墨烯的方法。
技术介绍
石墨烯是由单层碳原子紧密堆积而成的二维正六边形蜂窝状晶体,它具备很多优越性能,例如高的电子迁移率、高的光透过率、高的机械强度等等。过去数十年,大量的研究揭示了石墨烯在电子器件、传感检测、生物医药以及能量存储和能量转化领域的应用潜力(RaoCNR,GopalakrishnanK,MaitraU.Comparativestudyofpotentialapplicationsofgraphene,MoS2,andothertwo-dimensionalmaterialsinenergydevices,sensors,andrelatedareas[J].ACSAppliedMaterials&Interfaces,2015,7(15):7809-7832.)。在制备与石墨烯相关的复合材料或器件时,通常需要将石墨烯转移至相应的目标衬底上,转移过程要求尽可能保证石墨烯的完整性与高质量,避免对其造成破坏。2004年英国曼彻斯特大学的研究组采用胶带剥离法首次实现石墨烯的分离,(NovoselovKS,etal.Electricfieldeffectinatomicallythincarbonfilms[J].Science,2004,306(5696):666-669.),之后各种转移石墨烯的方法不断被报道,其中包括机械剥离法、支撑层基体刻蚀法、滚轮压印法、鼓泡转移法等。机械剥离法得到的石墨烯质量较高,但是很难实现大面积完整石墨烯的转移。支撑层基体刻蚀法是目 ...
【技术保护点】
一种转移石墨烯的方法,包括以下步骤:1)加热易升华物质,使之在生长于初始基体上的石墨烯表面凝华形成致密的支撑层,所得结构为支撑层/石墨烯/初始基体;2)去除初始基体,得到支撑层/石墨烯的结构;3)将支撑层/石墨烯的石墨烯表面与目标衬底直接接触,得到支撑层/石墨烯/目标衬底的结构;4)通过升华去除支撑层,实现石墨烯从初始基体到目标衬底的转移。
【技术特征摘要】
1.一种转移石墨烯的方法,包括以下步骤:1)加热易升华物质,使之在生长于初始基体上的石墨烯表面凝华形成致密的支撑层,所得结构为支撑层/石墨烯/初始基体;2)去除初始基体,得到支撑层/石墨烯的结构;3)将支撑层/石墨烯的石墨烯表面与目标衬底直接接触,得到支撑层/石墨烯/目标衬底的结构;4)通过升华去除支撑层,实现石墨烯从初始基体到目标衬底的转移。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中所述易升华物质选自下列物质中的一种:萘、蒽、樟脑、冰片和碘。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤1)首先加热易升华物质至一定温度,然后将长在初始基体上的石墨烯放置于易升华物质上方,易升华物质在石墨烯表面凝华形成致密的支撑层。4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓玉豪,王逸伦,张晓伟,戴伦,马仁敏,
申请(专利权)人:北京大学,
类型:发明
国别省市:北京,11
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