一种半导体器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

技术编号:15736671 阅读:39 留言:0更新日期:2017-07-01 18:56
本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1:提供晶圆,在所述晶圆上喷涂光刻胶,所述光刻胶的厚度小于目标厚度;步骤S2:在所述光刻胶上喷涂能溶解所述光刻胶的溶剂,以将表层的所述光刻胶溶解,并执行烘烤步骤,以挥发所述溶剂并使所述光刻胶表面平滑;步骤S3:重复所述步骤S2至所述光刻胶的厚度为目标厚度。本发明专利技术所述方法充分利用了多次喷胶-稀释-烘烤的工艺,形成了高质量光刻胶涂层,改善了深槽结构中,底部光刻胶厚度难以提高,光刻胶层空洞,颗粒缺陷多等问题,大大提高了光刻图形质量,不改变其他工艺流程,不增加光罩,具有成本低、实施性强等优点。

A semiconductor device, a method for producing the same, and an electronic device

The invention relates to a semiconductor device and a preparation method thereof and an electronic device. The method comprises the steps of: providing a wafer S1, spraying photoresist on the wafer, the photoresist thickness is less than the target thickness; step S2: spraying can dissolve the photoresist solvent in the photoresist on the photoresist surface dissolved, and execute the baking step, to the volatilization of the solvent and the photoresist surface smoothing; step S3: repeat the steps S2 to the photoresist thickness as the target thickness. The method of the invention fully utilizes the technology of multiple spray - dilution baking, forming a high quality photoresist coating, improve the deep groove structure, it is difficult to improve the thickness of photoresist, photoresist holes, particle defects, greatly improving the image quality, without changing the other process, do not increase mask has the advantages of low cost, easy to implement.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法、电子装置
本专利技术涉及半导体领域,具体地,本专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展,在传感器(motionsensor)类产品的市场上,智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术,并且随着技术的更新,这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸,高质量的电学性能和更低的损耗。其中,微电子机械系统(MEMS)在体积、功耗、重量以及价格方面具有十分明显的优势,至今已经开发出多种不同的传感器,例如压力传感器、加速度传感器、惯性传感器以及其他的传感器。在MEMS器件制备过程中,要对MEMS器件中的深槽中的结构涂胶,因台阶高度差太大,旋转涂覆不能解决,常采用喷涂方式解决。对于较深的沟槽,需多次喷射涂胶,才能满足底部胶厚要求。然而,受结构深度及喷射涂胶原理限制,结构底部角落的地方胶厚总是偏薄,有时甚至会出现光刻胶孔洞缺陷,如图1-2所示。这种孔洞缺陷在后续蚀刻工艺中会被刻蚀到下层结构上,从而影响器件性能,甚至导致器件损毁。因此需要对目前MEMS器件的制备方法作进一步的改进,以便消除上述各种弊端。
技术实现思路

技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术为了克服目前存在问题,提供了一种半导体器件的制备方法,包括:步骤S1:提供晶圆,在所述晶圆上喷涂光刻胶,所述光刻胶的厚度小于目标厚度;步骤S2:在所述光刻胶上喷涂能溶解所述光刻胶的溶剂,以将表层的所述光刻胶溶解,并执行烘烤步骤,以挥发所述溶剂并使所述光刻胶表面平滑;步骤S3:重复所述步骤S2至所述光刻胶的厚度为目标厚度。可选地,所述方法还包括:步骤S4:对目标厚度的所述光刻胶进行光刻,以在所述光刻胶中形成目标图案。可选地,所述方法还包括:步骤S5:以所述光刻胶为掩膜蚀刻所述晶圆,以将所述目标图案传递至所述晶圆中。可选地,在所述步骤S4中,对所述光刻胶进行曝光和显影,以在所述光刻胶中形成所述目标图案。可选地,在所述步骤S1中在所述晶圆的深槽中喷涂所述光刻胶,以最终形成目标厚度的所述光刻胶。可选地,在所述步骤S1中在所述晶圆的台阶形结构上喷涂所述光刻胶,以最终形成目标厚度的所述光刻胶。本专利技术还提供了一种如上述方法制备得到的半导体器件。本专利技术还提供了一种电子装置,包括上述的半导体器件。为了解决现有技术中存在的问题,本专利技术公开了一种改善MEMS器件中喷胶缺陷的方法。首先,在晶圆上喷涂光刻胶,光刻胶厚度应小于或等于后续刻蚀工艺要求。然后,在光刻胶表面喷涂一层可溶解光刻胶的溶剂,将表层的光刻胶溶解。对其加热烘烤,使溶剂挥发,而光刻胶表面也会变得更平滑。之后,重复喷胶-喷溶剂-烘烤步骤,直到光刻胶厚度满足刻蚀要求。这样就在深槽结构中均匀的喷涂了光滑且无空洞或颗粒缺陷(defect)的胶光刻层。其后,对光刻胶进行曝光、显影,使其形成图形。最后,将光刻胶图形刻蚀传递到晶圆上。本专利技术所述方法充分利用了多次喷胶-稀释-烘烤的工艺,形成了高质量光刻胶涂层,改善了深槽结构中,底部光刻胶厚度难以提高,光刻胶层空洞,颗粒缺陷多等问题,大大提高了光刻图形质量,不改变其他工艺流程,不增加光罩,具有成本低、实施性强等优点。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述,用来解释本专利技术的装置及原理。在附图中,图1为现有技术中所述MEMS器件的SEM示意图;图2为现有技术中所述MEMS器件的SEM示意图;图3为本专利技术一具体实施方式中所述MEMS器件的制备工艺流程图;图4为本专利技术所述方法制备得到的所述MEMS器件的SEM示意图。具体实施方式在下文的描述中,给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而,对于本领域技术人员而言显而易见的是,本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中,为了避免与本专利技术发生混淆,对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是,本专利技术能够以不同形式实施,而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地,提供这些实施例将使公开彻底和完全,并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中,为了清楚,层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白,当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时,其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层,或者可以存在居间的元件或层。相反,当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时,则不存在居间的元件或层。应当明白,尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分,这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此,在不脱离本专利技术教导之下,下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等,在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白,除了图中所示的取向以外,空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如,如果附图中的器件翻转,然后,描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此,示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时,单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式,除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”,当在该说明书中使用时,确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时,术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术,将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构,以便阐释本专利技术的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下,然而除了这些详细描述外,本专利技术还可以具有其他实施方式。实施例一为了解决现有技术中存在的问题,本专利技术提供了一种MEMS器件的制备方法,下面结合附图3-4对所述方法做进一步的说明,其中,图3为本专利技术一具体实施方式中所述MEMS器件的制备工艺流程图;图4为本专利技术所述方法制备得到的所述MEMS器件的SEM示意图。首先,执行步骤101,提供晶圆,在所述晶圆上喷涂光刻胶,所述光刻胶的厚度小于目标厚度。具体地,在该步骤中提供晶圆,在所述晶圆中可以形成CMOS器件以及各种MEMS元件,其中所述MEMS元件是指所述MMES传感器中必要的各种元本文档来自技高网...
一种半导体器件及其制备方法、电子装置

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法,包括:步骤S1:提供晶圆,在所述晶圆上喷涂光刻胶,所述光刻胶的厚度小于目标厚度;步骤S2:在所述光刻胶上喷涂能溶解所述光刻胶的溶剂,以将表层的所述光刻胶溶解,并执行烘烤步骤,以挥发所述溶剂并使所述光刻胶表面平滑;步骤S3:重复所述步骤S2至所述光刻胶的厚度为目标厚度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法,包括:步骤S1:提供晶圆,在所述晶圆上喷涂光刻胶,所述光刻胶的厚度小于目标厚度;步骤S2:在所述光刻胶上喷涂能溶解所述光刻胶的溶剂,以将表层的所述光刻胶溶解,并执行烘烤步骤,以挥发所述溶剂并使所述光刻胶表面平滑;步骤S3:重复所述步骤S2至所述光刻胶的厚度为目标厚度。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:步骤S4:对目标厚度的所述光刻胶进行光刻,以在所述光刻胶中形成目标图案。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:步骤S5:以所述光刻胶为掩膜蚀刻所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘尧陈福成
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司中芯国际集成电路制造北京有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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