散热结构制造技术

本发明专利技术涉及一种散热结构，包括蒸发端、汽管、冷凝端及液管，所述蒸发端、汽管、冷凝管及液管依次首尾相连且相互连通形成散热回路，所述散热回路内流通有第一相变材料，其特征在于，所述冷凝端设置有第二相变材料，所述第二相变材料与所述第一相变材料彼此隔离。

【技术实现步骤摘要】
散热结构
本专利技术涉及一种散热结构。
技术介绍
随着处理芯片向着高频、高集成度方向发展，显示器向着高像素比方向发展，配备高频处理器及高像素比显示器的电子设备的散热问题日益凸显。以前，业界多采用石墨散热片对电子设备进行散热。近来，也有采用液冷散热的。然而，无论是采用石墨散热片还是液冷散热，由于均是通过扩散方式与外界进行热交换，散热效率不高，散热效果不理想。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种能够解决上述技术问题的散热结构。一种散热结构，包括蒸发端、汽管、冷凝端及液管。所述蒸发端、汽管、冷凝管及液管依次首尾相连且相互连通形成散热回路。所述散热回路内流通有第一相变材料。所述冷凝端设置有第二相变材料。所述第二相变材料与所述第一相变材料彼此隔离。相较于现有技术，本专利技术提供的散热结构由于在所述冷凝端设置有与所述第一相变材料彼此隔离的第二相变材料，可以吸收大量的热量，进而提高散热效率。附图说明图1为本专利技术第一实施方式提供的散热结构的立体示意图。图2是图1的散热结构的俯视图。图3是沿图2III-III线的剖面示意图。图4是沿图2VI-VI线的剖面示意图。图5是沿图2IV-IV线的剖面示意图。图6是沿图2V-V线的剖面示意图。图7是本专利技术第二实施方式提供的散热结构的示意图。主要元件符号说明如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利技术提供的散热结构作进一步说明。请参阅图1、图2及图5，本专利技术第一实施方式提供的散热结构100包括蒸发端10，汽管20，冷凝端30及液管40。所述汽管20及液管40连接在所述蒸发端10及所述冷凝端30之间。本实施方式中，所述汽管20与所述液管40间隔设置且彼此分离。所述蒸发端10、所述汽管20、所述冷凝端30及所述液管40依次首尾相连且相互连通形成闭合的散热回路。所述散热回路内流通有第一相变材料101。本实施方式中，所述散热结构100采用柔性电路板基材制成。所述第一相变材料101为水，酒精等。请参阅图3，本实施方式中，所述蒸发端10为三层结构，包括第一层11、第二层12及第三层13。所述第二层12夹设在所述第一层11与第三层13之间。所述第一层11、第二层12及第三层13采用金属材料制成。所述蒸发端10与热源接触。所述第一层11包括底面111。自所述底面111向所述第一层11内部蚀刻形成有多条第一沟槽112。本实施方式中，所述多条第一沟槽112相互连通。所述第二层12包括相背的顶面121及底面122。所述顶面121与所述第一层11的底面111相对设置。本实施方式中，所述第二层12分别自所述顶面121及所述底面122向所述第二层12内部蚀刻形成有多条第二沟槽123。所述第二层12相背两侧的第二沟槽123相互间隔。本实施方式中，所述第二层12还开设有通孔124。所述第二层12相背两侧的第二沟槽123通过所述通孔124相互连通。其他实施方式中，所述第二层12相背两侧的第二沟槽123及所述通孔124可由相互连通且贯穿所述第二层12的网格结构代替。所述第三层13包括顶面131。所述顶面131与所述第二层的底面122相对设置。自所述顶面131向所述第三层13内部蚀刻形成多条第三沟槽132。本实施方式中，所述多条第三沟槽132相互连通，且与所述多条第一沟槽112一一对应。所述第一层11、第二层12及第三层13通过粘胶14粘结。所述第一沟槽112与所述第二层12的顶面121的第二沟槽123相对设置。所述第三沟槽132与所述第二层12的底面122的第二沟槽123相对设置。本实施方式中，所述第三沟槽132通过所述通孔124与所述第一沟槽112相互连通。所述第三沟槽132，所述第二沟槽123，所述通孔124及所述第一沟槽112围成一个汽化空间15。本实施方式中，由于所述第二层12开设有通孔124连通所述第三沟槽132，所述第二沟槽123，所述通孔124及所述第一沟槽112，可提升毛细作用力，增加液体回流的动力，促进液体回流。请一并参阅图1，图2及图4，所述汽管20与所述蒸发端10相连通。本实施方式中，所述汽管20为两层结构，包括相对设置的顶层21及底层22。所述顶层21包括下表面211。自所述下表面211向所述顶层21内部蚀刻形成至少一个顶层凹槽212。本实施方式中，自所述下表面211项所述顶层21内部蚀刻形成一个顶层凹槽212。在所述顶层凹槽212的底部蚀刻形成有多个顶层沟槽2121。所述顶层凹槽212及所述顶层沟槽2121均沿所述顶层21的轴向设置。所述底层22包括上表面221。所述上表面221与所述顶层21的下表面211相对设置。自所述上表面221向所述底层22内部蚀刻形成有底层凹槽222。所述底层凹槽222与所述顶层凹槽212对应。在所述底层凹槽222的底部蚀刻形成有多个底层沟槽2221。所述底层凹槽222及所述底层沟槽2221均沿所述底层22的轴向设置。本实施方式中，所述底层沟槽2221与所述顶层沟槽2121一一对应。所述顶层21与所述底层22通过粘胶23粘结。所述顶层凹槽212与所述底层凹槽222相对设置。所述顶层凹槽212与所述底层凹槽222围成汽道24。所述汽道24的一端与所述汽化空间15连通。请一并参阅图1，图2及图5，所述冷凝端30与所述汽道24的另一端相连。本实施方式中，所述冷凝端30为三层结构，包括顶部外层31，内层32及底部外层33。所述内层32夹设在所述顶部外层31与所述底部外层33之间。所述顶部外层31包括下表面311。自所述下表面311向所述顶部外层31内部形成一个外层凹槽312。所述内层32包括相背的顶面321及底面322。所述顶面321与所述顶部外层31的下表面311相对设置。自所述顶面321向所述内层32内部形成有一个与所述外层凹槽312对应的内层凹槽323。自所述底面322向所述内层32内部形成有内层沟槽324。所述内层沟槽324与所述内层凹槽323相背设置。所述底部外层33包括上表面331。所述上表面331与所述内层32的底面322相对设置。自所述上表面331向所述底部外层33内部形成外层沟槽332。所述外层沟槽332与所述内层沟槽324对应。所述顶部外层31，内层32及底部外层33通过粘胶34粘结。所述外层凹槽312与所述内层凹槽323相对设置，并围成一个密闭的收容空间35。所述收容空间35收容有第二相变材料36。本实施方式中，所述第二相变材料36不同于所述第一相变材料101，且所述第二相变材料36较之所述第一相变材料101具有更快速的散热效率。所述第二相变材料36可为蜡等。所述第二相变材料36发生相变的温度范围大致为30~40℃。所述外层沟槽332与所述内层沟槽324相对设置，并围成一个液化空间37。所述液化空间37与所述收容空间35彼此隔离。所述第一相变材料与所述第二相变材料36相互隔离。所述液化空间37的一端与所述汽道24远离所述蒸发端10的一端相互连通。本实施方式中，所述液化空间37呈S型设置，以增大散热面积，加快散热速率。请一并参阅图1，图2及图6，本实施方式中，所述液管40为两层结构，包括相对设置的顶层41及底层42。所述顶层41包括下表面411。自所述下表面411向所述顶层21内部蚀刻形成至少一个顶层凹槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种散热结构，包括蒸发端、汽管、冷凝端及液管，所述蒸发端、汽管、冷凝管及液管依次首尾相连且相互连通形成散热回路，所述散热回路内流通有第一相变材料，其特征在于，所述冷凝端设置有第二相变材料，所述第二相变材料与所述第一相变材料彼此隔离。

【技术特征摘要】
1.一种散热结构，包括蒸发端、汽管、冷凝端及液管，所述蒸发端、汽管、冷凝管及液管依次首尾相连且相互连通形成散热回路，所述散热回路内流通有第一相变材料，其特征在于，所述冷凝端设置有第二相变材料，所述第二相变材料与所述第一相变材料彼此隔离。2.如权利要求1所述的散热结构，其特征在于，所述冷凝端包括顶部外层及内层，所述顶部外层开设有外层凹槽，所述内层开设有与所述外层凹槽对应的内层凹槽，所述外层凹槽与所述内层凹槽相对设置形成密闭的收容空间，所述第二相变材料设置在所述收容空间内。3.如权利要求2所述的散热结构，其特征在于，所述冷凝端还包括底部外层，所述底部外层开设有外层沟槽，所述内层背离所述内层凹槽的一侧开设有内层沟槽，所述外层沟槽与所述内层沟槽对应设置围成液化空间，所述液化空间两端分别与所述汽管及所述液管连通。4.如权利要求3所述的散热结构，其特征在于，所述液化空间呈S型设置。5.如权利要求1所述的散热结构，其特征在于，所述汽管与所述液管彼此分离。6.如权利要求1所述的散热结构，其特征在于，所述第二相变材料发生相变的温度范围为30~40...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡先钦，沈芾云，雷聪，何明展，
申请(专利权)人：富葵精密组件深圳有限公司，宏启胜精密电子秦皇岛有限公司，鹏鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44