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硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料及其制备方法和应用技术

技术编号:15726204 阅读:86 留言:0更新日期:2017-06-29 18:38
本发明专利技术公开了一种硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料及其制备方法和应用,该方法包括:利用磁控溅射技术在垂直石墨烯阵列表面沉积硅改性层,得到[email protected]复合阵列结构,提高垂直石墨烯阵列与液态金属锂之间的润湿性;在200℃以上的温度下将金属锂融化,与[email protected]阵列充分反应5min‑30min,得到[email protected]/Li复合金属锂负极材料;将得到的复合材料直接切片作为电池的负极。该方法制备过程简单,产量大,成本低,可以大面积生产,易于实现工业化。本发明专利技术制备出的[email protected]/Li复合金属锂负极材料在常用电解液中具有良好的循环性能,应用于锂硫全电池中可以抑制穿梭效应,提高电池容量。

【技术实现步骤摘要】
硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料及其制备方法和应用
本专利技术涉及二次锂电池负极材料领域,具体涉及一种硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料及其制备方法和应用。
技术介绍
锂离子电池因其具有相对较高的能量密度以及循环稳定性已应用于电动汽车等领域。然而传统以石墨碳为负极材料的锂离子电池储能体系已经达到一个难以突破的瓶颈。锂金属二次电池是指以金属锂作为负极的电池体系,与其它的电池体系相比,它具有能量密度大,工作电压高,自放电率低等优点。故它是移动通信、便携电器、电动汽车(EV)等的理想电源。但是,金属锂由于其过于活泼,会与电解液发生反应,因此在循环过程中损耗严重,库伦效率低。除此之外,金属锂表面自发形成的固态电解质薄膜(SEI膜)结构不稳定,破损之后会导致表面电荷不均匀,金属锂沉积不均匀,从而产生枝晶,造成安全隐患。为了解决枝晶生长严重和库伦效率低的问题,目前关于金属锂负极的改性方法主要有:表面包覆改性,改变金属锂的形态以及在多孔结构中嵌锂。在过去几年的研究中,关于利用电沉积法在多孔结构中嵌锂的研究有很多,但是这种方法制备过程复杂,实际应用困难。由于金属锂的熔点只有180℃,采用熔融法将液态金属锂与多孔阵列结构复合是控制体积膨胀,抑制枝晶生长的有效方法,且是可以方便的进行实际应用的方法之一。采用熔融法制备金属锂复合材料时,被选中的多孔阵列结构需要在200℃左右的高温下与液态金属锂接触,因此理想的多孔阵列材料需要在高温下仍然具有化学稳定性和一定的机械强度,除此之外,还需要具备密度低,离子导电性好等优点。能够同时满足上述要求的基底材料,最常见的便是各种各样的碳基多孔阵列结构。其中,垂直石墨烯阵列结构具有比表面积大,结构稳定,导电率高等优点,是一种新型的碳基多孔阵列结构。本专利技术提供了一种将金属锂熔融灌入垂直石墨烯阵列结构,从而得到高性能二次金属锂电池复合负极材料的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对金属锂负极库伦效率低、枝晶生长严重等问题,本专利技术提供了一种硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料及其制备方法和应用,将金属锂与垂直石墨烯材料复合,制备可用于二次金属锂电池的复合金属锂负极材料。得到的复合材料作为二次金属锂电池的负极时,具有良好的电化学稳定性和循环寿命,且能够为正极材料提供充足的锂源。垂直石墨烯阵列与液态金属Li的润湿性不好,在熔融过程中无法有效地将液态锂包裹在骨架结构之中。由于硅和锂可以形成双相互溶,通过在垂直石墨烯(VG)表面沉积硅改性层,可以将“疏锂性”的碳基骨架转变为“亲锂性”的硅碳复合结构([email protected]),使液态锂可以进入阵列结构内部,而不是包覆在阵列的外表面。得到的[email protected]/Li复合负极材料,在金属锂对称电池体系中具有良好的循环稳定性,与硫正极材料组装成锂硫全电池可以提高电池容量,抑制穿梭效应。一种硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料的制备方法,包括以下步骤:1)将垂直石墨烯阵列材料装于旋转工作台上,采用硅靶磁控溅射,得到表面包覆硅的垂直石墨烯复合阵列;2)将金属锂放在加热平台上,使得金属锂融化变为液态,得到熔融锂;3)将表面包覆硅的垂直石墨烯复合阵列上溅射有Si的一面与熔融锂接触,平放在熔融锂表面,静置,熔融锂会进入表面包覆硅的垂直石墨烯复合阵列的孔隙结构之中,得到硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料。步骤1)中,选用的垂直石墨烯阵列材料的大小为(3cm×3cm)-(6cm×6cm),更进一步优选,选用5cm×5cm;旋转工作台与硅靶之间的距离为8~12cm,进一步优选为10cm;采用硅靶磁控溅射的气氛为氩气,流量控制在40~60sccm,使工作气压保持在0.15~0.35Pa,进一步优选,流量控制在50sccm,使工作气压保持在0.25Pa。采用硅靶磁控溅射的条件为:在80~120W功率下控制磁控溅射5min-15min,进一步优选,在100W功率下控制磁控溅射10min。表面包覆硅的垂直石墨烯复合阵列中的Si层的厚度为50nm-150nm;这样厚度的硅包覆层既可以改善碳基骨架的润湿性,又不会对骨架原先的结构产生影响。步骤2)中,所述的加热平台的温度为200℃~400℃,金属锂融化的时间为10min~30min。由于金属锂的熔点为180℃,当温度升高到此温度以上即可将其融化,但是在较低温度下,金属锂虽然被熔融但流动性很差,只有当温度高于200℃时才表现出明显的流动性。步骤3)中,静置的时间为5min~30min,即高温下液态金属锂与垂直石墨烯阵列的反应时间为5min-30min,即可使液态锂充分进入阵列结构之中。所得到的硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料,包括垂直石墨烯阵列、包覆在垂直石墨烯阵列上的硅层以及嵌入所述垂直石墨烯阵列的孔隙结构中的熔融锂,垂直石墨烯阵列表面被硅改性层均匀的包覆,保持原先的纳米片阵列形貌,其中,硅层的厚度为50-150nm,熔融锂的负载量为1-3mg/cm2。所述的硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料特别适合作为锂电池负极材料,用于制备锂电池。可将硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料冲成直径为9-15mm的圆片作为负极极片,来组装二次金属锂电池。与现有技术相比,本专利技术具有如下优点:本专利技术在于提供了一种将金属锂与垂直石墨烯结构进行复合的方法,其优点及功效在于:一、通过磁控溅射技术在垂直石墨烯上沉积硅,得到的硅改性层均匀致密,厚度可控;二、通过在垂直石墨烯上沉积硅改性层,提高了基底结构与液态锂的润湿性,使融化后的锂可以进入阵列的孔隙结构之中,而不是浮在表面;三、该制备过程操作简单,重复性好,制备的薄膜材料省去了浆料的制备、涂覆、烘干等一系列繁复的过程;四、所制备的[email protected]/Li复合负极材料,其多孔结构可以为金属锂的体积膨胀提供空间,从而抑制枝晶的形成,提高库伦效率;五、本专利技术方法制备过程简单,产量大,成本低,可以大面积生产,易于实现工业化。本专利技术制备出的[email protected]/Li复合金属锂负极材料在常用电解液中具有良好的循环性能,应用于锂硫全电池中可以抑制穿梭效应,提高电池容量。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。图1为根据实施例1所制备的[email protected]复合阵列以及与液态锂复合后的[email protected]/Li复合负极材料的扫描图片,其中,图1中a为实施例1所制备的[email protected]复合阵列的扫描图片,图1中b为实施例1所制备的液态锂复合后的[email protected]/Li复合负极材料的扫描图片;图2为根据实施例1所制备的[email protected]/Li复合负极材料以及纯Li负极材料在金属锂对称电池中的电压-时间曲线;图3为根据实施例1所制备的[email protected]/Li复合负极材料以及纯Li负极材料在锂硫全电池中的恒电流充放电循环曲线。具体实施方式下面通过具体实施例对本专利技术做出进一步的具体说明,但本专利技术并不局限于下述实例。实施例1:(1)取5cm×5cm的垂直石墨烯片,压平装于旋转工作台上,距离硅靶的距离为10cm。(2)将腔体抽真空至3×10-3Pa,随后通入溅射气氛氩气,流量控制在50sccm,使工作气压保持在0.25Pa。(3)在100W功率下控制磁控溅射时间为10min,得到Si层的厚度约100nm,得到[email protected]复合阵列结构(即表面包覆硅的垂直石墨烯复合阵列),转移到手套箱内。(4)将高温反应本文档来自技高网
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硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料及其制备方法和应用

【技术保护点】
一种硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将垂直石墨烯阵列材料装于旋转工作台上,采用硅靶磁控溅射,得到表面包覆硅的垂直石墨烯复合阵列;2)将金属锂放在加热平台上,使得金属锂融化变为液态,得到熔融锂;3)将表面包覆硅的垂直石墨烯复合阵列上溅射有Si的一面与熔融锂接触,平放在熔融锂表面,静置,熔融锂会进入表面包覆硅的垂直石墨烯复合阵列的孔隙结构之中,得到硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料。

【技术特征摘要】
1.一种硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将垂直石墨烯阵列材料装于旋转工作台上,采用硅靶磁控溅射,得到表面包覆硅的垂直石墨烯复合阵列;2)将金属锂放在加热平台上,使得金属锂融化变为液态,得到熔融锂;3)将表面包覆硅的垂直石墨烯复合阵列上溅射有Si的一面与熔融锂接触,平放在熔融锂表面,静置,熔融锂会进入表面包覆硅的垂直石墨烯复合阵列的孔隙结构之中,得到硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料。2.根据权利要求1所述的硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料的制备方法,其特征在于,步骤1)中,旋转工作台与硅靶之间的距离为8~12cm。3.根据权利要求1所述的硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料的制备方法,其特征在于,步骤1)中,采用硅靶磁控溅射的气氛为氩气,流量控制在40~60sccm,使工作气压保持在0.15~0.35Pa。4.根据权利要求1所述的硅包覆垂直石墨烯/金属锂复合材料的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员:王秀丽张毅俊谷长栋夏新辉涂江平
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:浙江,33

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