【技术实现步骤摘要】
高稳定性的LED支架、LED光源及方法
本专利技术涉及LED光源
,具体涉及改善稳定性和可靠性的基材和由此制造的新型LED光源。
技术介绍
LED自从问世以上,受到广泛重视而得到迅速发展,是与它本身所具有的优点分不开的。这些优点概括起来是:亮度高、工作电压低、功耗小、小型化、寿命长、耐冲击和性能稳定。TOPLED(即,顶面或平面发光LED)的发展前景极为广阔,目前正朝着更高亮度、更高耐气候性、更高的发光密度、更高的发光均匀性方向发展。但实际在生产使用TOPLED产品的过程中,经常会遭遇产品劣化导致产品失效等问题(业内也称这种现象为“产品硫化”,其主要是因支架表面被硫化导致,但也可能存在其它污染原因,如卤化、氧化等等),这些问题给客户和生产厂家都带来一定损失。在出现上述硫化现象后,LED产品的功能区会黑化,导致对光反射大大降低,光通量会逐渐下降,而且导致色温出现明显漂移而使得产品性能劣化,从而大大降低LED的可靠性和使用寿命。严重时,直接导致LED失效,即死灯。现有技术的这种缺陷的存在,其中一个主要原因在于:TOPLED的支架一般会在基材上镀银,该镀银层不仅可改善导电性能,抗氧化性,而且主要还会起到将LED发出的光反射出的作用,用于显著提高光效和LED的光通量。当LED在高温焊接时,如果碰到了硫或硫蒸气,则会造成支架上的银层与硫发生化学反应2Ag+S=Ag2S↓,形成Ag2S硫化物,该Ag2S硫化物视反应量的多少而呈现深黄色或黑色的颜色,不仅导致导电性能和抗氧化性显著降低,而且会显著减少LED的反射出光,严重降低光效和光通量。在严重的情况下,镀银层的绝 ...
【技术保护点】
一种用于LED支架的基材(1),所述基材(1)包括金属基体(7),其特征在于,所述基材(1)包括:布置在所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面上的一个或多个涂层;和在所述金属基体(7)的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上沉积的一层或多层第二金属层。
【技术特征摘要】
1.一种用于LED支架的基材(1),所述基材(1)包括金属基体(7),其特征在于,所述基材(1)包括:布置在所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面上的一个或多个涂层;和在所述金属基体(7)的与用于邦定LED芯片的那一面相反的另一面上沉积的一层或多层第二金属层。2.根据权利要求1所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于,所述一个或多个涂层包括一层或多层第一金属层,以及一层或多层氧化物层。3.根据权利要求2所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于:所述第一金属层是铝或铝合金、铁或铁合金、或者铜或铜合金;并且所述氧化物层是通过真空溅射、离子镀、电镀或化学镀沉积的氧化物涂层,所述氧化物选自三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛中的一种或多种。4.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于,所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为:与铝基体(7)直接相邻的三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、三氧化二铝层,以及最外侧的二氧化钛层。5.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于,所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为:与铝基体(7)直接相邻的三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层,以及最外侧的二氧化钛层。6.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于:所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为:与铜基体(7)直接相邻的纯银层、三氧化二铝层,以及最外侧的二氧化钛层;或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为:与铜基体(7)直接相邻的与铜基体(7)直接相邻的纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层,以及最外侧的二氧化钛层。7.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于:所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为:镍层、银层、三氧化二铝层,以及最外侧的二氧化钛层;或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为:与铜基体(7)直接相邻的镍层、银层、二氧化钛层、二氧化硅层,以及最外侧的二氧化钛层。8.根据权利要求1-3中任一项所述的用于LED支架的基材(1),其特征在于,所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为:与铁基体(7)直接相邻的铜层、纯银层、三氧化二铝层,以及最外侧的二氧化钛层;或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为:与铁基体(7)直接相邻的铜层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层,以及最外侧的二氧化钛层;或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为:与铁基体(7)直接相邻的铜层、纯银层以及最外侧的三氧化二铝层;或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为:与铁基体(7)直接相邻的铜层、纯银层以及最外侧的二氧化硅层;或者所述一个或多个涂层从所述金属基体(7)的用于邦定LED芯片的那一面起始由里向外地依次布置为:与铁基体(7)直接相邻的铜层、银层、三氧化二铝层,以及最外侧的二氧化钛层;或者所述一个或...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘云,李俊东,张明武,李绍军,陈健平,王鹏辉,
申请(专利权)人:深圳市斯迈得半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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