UV芯片封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开一种UV芯片封装结构及其封装方法，该封装结构包括导线架、UV芯片本体和UV填充胶，所述导线架上设有多个基板和由基板延伸出的多边形碗杯，每个多边形碗杯的底部均设有两个功能区和一个隔离板，所述隔离板设置在两个功能区之间；所述UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且所述UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合后，所述多边形碗杯套设在模具中，且所述多边形碗杯和模具内注入UV填充胶后固化成型为透镜。本发明专利技术的隔离板有效间隔UV芯片本体的正电极和负电极，避免短路，使得热电分离，有效降低光衰，且增加了封装产品的可靠性；多边形使得碗杯体积较小，有利于增加碗杯深度，有效减少光线损失，增加了发光效率。

【技术实现步骤摘要】
UV芯片封装结构及其封装方法
本专利技术涉及LED
，尤其涉及一种UV芯片封装结构及其封装方法。
技术介绍
紫外线LED当前的用途广泛包括：波长为230-400nm的主要用于光学传感器和仪器，波长为230-280nm的主要用于紫外线身份验证、条码，波长为240-280nm的主要用于表面积水的杀菌，波长为250-405nm的主要用于鉴别和体液检测和分析，波长为270-300nm的主要用于蛋白质分析和药物专利技术，波长为300-320nm的主要用于医学光照疗法，波长为300-365nm的主要用于高分子和油墨印刷，波长为375-395nm的主要用于辨伪，波长为390-410nm的主要用于表面除菌或美容除菌。然而，现有技术中的紫外线LED，常常具有发光效率低、可靠性不足的缺陷。
技术实现思路
针对上述技术中存在的不足之处，本专利技术提供一种提高发光效率、保证焊接可靠性的UV芯片封装结构及其封装方法。为了达到上述目的，本专利技术一种UV芯片封装结构，包括导线架、UV芯片本体和UV填充胶，所述导线架上设有多个基板和由基板延伸出的多边形碗杯，每个多边形碗杯的底部均设有两个功能区和一个隔离板，所述隔离板设置在两个功能区之间；所述UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且所述UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合后，所述多边形碗杯套设在模具中，且所述多边形碗杯和模具内注入UV填充胶后固化成型为透镜。其中，所述基板与多边形碗杯之间通过连接层固定连接，且所述两个功能区的表面通过磁控溅射的方式金属化后电镀有金属镀层。其中，所述UV芯片本体的底部通过粘结剂键结在两个功能区上的金属镀层及隔离板上，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接。其中，两个功能区的金属镀层上均设有金球后，所述UV芯片本体的顶部正电极连接一根金属键合丝的一端，且所述一根金属键合丝的另一端压线在一个功能区的金球上；所述UV芯片本体的顶部负电极连接另一根金属键合丝的一端，且所述另一根金属键合丝的另一端压线在另一个功能区的金球上。其中，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接后进行种金球，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接后进行种金球。其中，所述UV芯片本体的正极通过锡膏与一个功能区上的金属镀层键结，所述UV芯片本体的负极通过锡膏与另一个功能区上的金属镀层键结，且所述UV芯片本体的正极与负极之间通过隔离板隔离。其中，两个功能区的厚度均比隔离板的厚度大，且两个功能区与隔离板之间形成台阶结构。为了实现上述目的，本专利技术还提供一种UV芯片封装结构的封装方法，包括以下步骤：步骤1，将UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且将UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合；步骤2，在多边形碗杯中点入UV填充胶，且将多边形碗杯套设在模具中；步骤3，在多边形碗杯和模具中注入UV填充胶后进行加热，直至固化成型为透镜；步骤4，将导线架放入裂片夹具内进行分片作业，切成单颗透镜。其中，所述基板与多边形碗杯之间通过连接层固定连接，且所述两个功能区的表面通过磁控溅射的方式金属化后电镀后金属镀层。其中，所述步骤1中，当UV芯片本体以正装的方式键合时，所述UV芯片本体的底部通过粘结剂键结在两个功能区上的金属镀层及隔离板上，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接；当UV芯片以倒装的方式键合时，所述UV芯片本体的正极通过锡膏与一个功能区上的金属镀层键结，所述UV芯片本体的负极通过锡膏与另一个功能区上的金属镀层键结，且所述UV芯片本体的正极与负极之间通过隔离板隔离。本专利技术的有益效果是：与现有技术相比，本专利技术的UV芯片封装结构及其封装方法，通过隔离板设置在两个功能区之间，UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合后，隔离板有效间隔UV芯片本体的正电极和负电极，避免短路，使得热电分离，有效降低光衰，且增加了封装产品的可靠性；填充UV填充胶且固化成型为透镜后，完成该封装结构；多边形使得碗杯体积较小，有利于增加碗杯深度，有效减少光线损失，增加了发光效率。附图说明图1为本专利技术UV芯片封装结构单个透镜的第一立体图；图2为本专利技术的UV芯片封装结构单个透镜的第二立体图；图3为本专利技术的UV芯片封装结构单个透镜的主视图；图4为本专利技术的UV芯片封装结构中单个基板的剖视图；图5为本专利技术的UV芯片封装结构的第一实施例剖视图；图6为本专利技术的UV芯片封装结构的第二实施例剖视图；图7为本专利技术的UV芯片封装结构中多边形碗杯的立体图；图8为本专利技术的UV芯片封装结构的封装方法的方框流程图。主要元件符号说明如下：1、UV芯片本体2、UV填充胶3、基板4、多边形碗杯5、连接层6、金属镀层7、金属键合丝41、功能区42、隔离板。具体实施方式为了更清楚地表述本专利技术，下面结合附图对本专利技术作进一步地描述。参阅图1-6，本专利技术一种UV芯片封装结构，包括导线架（图未示）、UV芯片本体1和UV填充胶2，导线架上设有多个基板3和由基板3延伸出的多边形碗杯4，每个多边形碗杯4的底部均设有两个功能区41和一个隔离板42，隔离板42设置在两个功能区41之间；UV芯片本体1的正电极与一个功能区41键合，且UV芯片本体1的负电极与另一个功能区41键合后，多边形碗杯4套设在模具中，且多边形碗杯4和模具内注入UV填充胶2后固化成型为透镜。与现有技术相比，本专利技术提供的UV芯片封装结构，通过隔离板42设置在两个功能区41之间，UV芯片本体1的正电极与一个功能区41键合，且UV芯片本体1的负电极与另一个功能区41键合后，隔离板42有效间隔UV芯片本体1的正电极和负电极，避免短路，使得热电分离，有效降低光衰，且增加了封装产品的可靠性；填充UV填充胶2且固化成型为透镜后，完成该封装结构；多边形使得碗杯体积较小，有利于增加碗杯深度，有效减少光线损失，增加了发光效率。请参阅图4，基板3与多边形碗杯4之间通过连接层5固定连接，且两个功能区41的表面通过磁控溅射的方式金属化后电镀有金属镀层6。磁控溅射的方式就是现有技术中通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离电子在加速飞向基片的过程中受到电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的束缚，集中在靠近靶面的等离子体区域内，并在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚远离靶材图，磁控溅射原理，最终沉积在基板1上，子体密度以增加溅射率的方法。金属镀层6为银层或金层，隔离板42为PPA塑料，基板3的材质为氧化铝、氮化铝、EMC、SMC、铜或铝中的一种，且连接层5的材质为镍、铜或金中的一种。PPA塑料为聚对苯二甲酰对苯二胺，其热变形温度高达300℃以上，连续使用温度可达170℃，能满足所需的短期和长期的热性能，且可在宽广的温度范围内和高湿度环境中保持其优越的机械性特性，如强度、硬度、耐疲劳性及抗蠕变性；EMC为环本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种UV芯片封装结构，其特征在于，包括导线架、UV芯片本体和UV填充胶，所述导线架上设有多个基板和由基板延伸出的多边形碗杯，每个多边形碗杯的底部均设有两个功能区和一个隔离板，所述隔离板设置在两个功能区之间；所述UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且所述UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合后，所述多边形碗杯套设在模具中，且所述多边形碗杯和模具内注入UV填充胶后固化成型为透镜。

【技术特征摘要】
1.一种UV芯片封装结构，其特征在于，包括导线架、UV芯片本体和UV填充胶，所述导线架上设有多个基板和由基板延伸出的多边形碗杯，每个多边形碗杯的底部均设有两个功能区和一个隔离板，所述隔离板设置在两个功能区之间；所述UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且所述UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合后，所述多边形碗杯套设在模具中，且所述多边形碗杯和模具内注入UV填充胶后固化成型为透镜。2.根据权利要求1所述的UV芯片封装结构，其特征在于，所述基板与多边形碗杯之间通过连接层固定连接，且所述两个功能区的表面通过磁控溅射的方式金属化后电镀有金属镀层。3.根据权利要求2所述的UV芯片封装结构，其特征在于，所述UV芯片本体的底部通过粘结剂键结在两个功能区上的金属镀层及隔离板上，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接。4.根据权利要求3所述的UV芯片封装结构，其特征在于，两个功能区的金属镀层上均设有金球后，所述UV芯片本体的顶部正电极连接一根金属键合丝的一端，且所述一根金属键合丝的另一端压线在一个功能区的金球上；所述UV芯片本体的顶部负电极连接另一根金属键合丝的一端，且所述另一根金属键合丝的另一端压线在另一个功能区的金球上。5.根据权利要求3所述的UV芯片封装结构，其特征在于，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接后进行种金球，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接后进行种金球。6.根据权利要求2所述的U...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈苏南，张刚维，张弘，奂葳，
申请(专利权)人：深圳市华天迈克光电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44