【技术实现步骤摘要】
像素结构
本专利技术是有关于一种像素结构,特别是关于一种有机显示装置的像素结构。
技术介绍
随着制程技术的进步,各类型的显示器应用不断推陈出新。因应显示器应用的轻、薄、短、小以及可携式等需求,下一世代的显示器应用朝向易携带的趋势发展。在显示器中被大量使用到的薄膜晶体管,其结构设计或是材料的选择更是会直接影响到产品的性能。一般来说,薄膜晶体管至少具有栅极、源极、漏极以及通道层等构件,其中可透过控制栅极的电压来改变通道层的导电性,以使源极与漏极之间形成导通(开启)或绝缘(关闭)的状态。然而,由于制程因素的影响,靠近薄膜晶体管的通道边缘处与通道中间处的电流特性可能不同,使得薄膜晶体管边缘处的转移特性会提前引发,造成在临界区出现驼峰现象,进而影响薄膜晶体管的电性。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构,包含数据线、栅极线、主动元件、第二有机半导体层与像素电极。栅极线与数据线交错设置。主动元件电性连接数据线与栅极线。主动元件包含源极、漏极、第一有机半导体层与栅极。源极电性连接于数据线。第一有机半导体层覆盖源极与漏极。第一有机半导体层于源极与漏极之间具有通道宽度方向。栅极设置于第一有机半导体层上,并电性连接栅极线。栅极沿着通道宽度方向突出于第一有机半导体层。第二有机半导体层覆盖数据线并连接于第一有机半导体层。像素电极与漏极电性连接。在一或多个实施例中,源极与漏极之间具有间隙。间隙沿通道宽度方向具有相对的两端部。栅极与第一有机半导体层之间具有堆叠方向,栅极于堆叠方向上与间隙的端部的至少其中之一重叠。在一或多个实施例中,源极与漏极之间具有间隙。间隙沿通道宽度方向具有相对的 ...
【技术保护点】
一种像素结构,其特征在于,包含:一数据线;一栅极线,与该数据线交错设置;一主动元件,电性连接该数据线与该栅极线,该主动元件包含:一漏极;一源极,电性连接于该数据线;一第一有机半导体层,覆盖该源极与该漏极,其中该第一有机半导体层于该源极与该漏极之间具有一通道宽度方向;以及一栅极,设置于该第一有机半导体层上,并电性连接该栅极线,其中该栅极沿着该通道宽度方向突出于该第一有机半导体层;一第二有机半导体层,覆盖该数据线并连接于该第一有机半导体层;以及一像素电极,与该漏极电性连接。
【技术特征摘要】
2017.01.25 TW 1061030311.一种像素结构,其特征在于,包含:一数据线;一栅极线,与该数据线交错设置;一主动元件,电性连接该数据线与该栅极线,该主动元件包含:一漏极;一源极,电性连接于该数据线;一第一有机半导体层,覆盖该源极与该漏极,其中该第一有机半导体层于该源极与该漏极之间具有一通道宽度方向;以及一栅极,设置于该第一有机半导体层上,并电性连接该栅极线,其中该栅极沿着该通道宽度方向突出于该第一有机半导体层;一第二有机半导体层,覆盖该数据线并连接于该第一有机半导体层;以及一像素电极,与该漏极电性连接。2.如权利要求1的像素结构,其特征在于,该源极与该漏极之间具有一间隙,该间隙沿该通道宽度方向具有相对的两端部,该栅极与该第一有机半导体层之间具有一堆叠方向,该栅极于该堆叠方向上与该间隙的该些端部的至少其中之一重叠。3.如权利要求1的像素结构,其特征在于,该源极与该漏极之间具有一间隙,该间隙沿该通道宽度方向具有相对的两端部,该栅极覆盖该些端部,并且沿着该通道宽度方向突出于邻近该些端部的该第一有机半导体层的侧壁。4.如权利要求1的像素结构,其特征在于,该第二有机半导体层与该数据线的侧壁接触,以及该第一有机半导体层与该源极和该漏极的侧壁接触。5.如权利要求1的像素结构,其特征在于,该源极和该漏极其中之一者的端部与该源极和该漏极的另一者之间具有一边缘电场区域,该栅极覆盖该边缘电场区域并突出于该第一有机半导体层。6.如权利要求1的像素结构,其特征在于,该源极包含至少一第一条状部以及一第一连接部,该第一连接部连接该数据线与该至少一第一条状部,其中该第一连接部与该第一条状部之间具有一大于0度的夹角,其中该栅极与该第一有机半导体层之间具有一堆叠方向,该栅极于该堆叠方向上与该第一条状部至少部分重叠,且未与该第一连接部重叠。7.如权利要求6的像素结构,其特征在于,该漏极包含两第二条状部以及一第二连接部,该第二连接部连接该两第二条状部,该两第二条状部与该第一条状部交替设置,并且该栅极于该堆叠方向上与该两第二条状部至少部分重叠。8.如权利要求1的像素结构,其特征在于,该源极包含至少一条状部,该漏极包含至少一条状部,且该源极的该至少一条状部与该漏极的该至少一条状部之间具有一间隙,且该栅极覆盖该间隙。9.如权利要求8的像素结构,其特征在于,该栅极与该第一有机半导体层之间具有一堆叠方向,且该栅极包含:二第一子栅极部;以及一第二子栅极部,连接该等第一子栅极部,其中各该第一子栅极部的宽度大于该第二子栅极部的宽度,该等第一子栅极部于该堆叠方向上与该源极的该条状部的两端部和该漏极的该条状部的两端部重叠,且该第二子栅极部于该堆叠方向上与该源极的该条状部和该漏极的该条状部部...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈维翰,刘冠显,蔡佳宏,吴安茹,许世华,涂峻豪,刘竹育,
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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