像素结构制造技术

技术编号:15726073 阅读:469 留言:0更新日期:2017-06-29 17:55
本发明专利技术公开了一种像素结构,包含数据线、栅极线、主动元件、第二有机半导体层与像素电极。栅极线与数据线交错设置。主动元件电性连接数据线与栅极线。主动元件包含源极、漏极、第一有机半导体层与栅极。源极电性连接于数据线。第一有机半导体层覆盖源极与漏极。第一有机半导体层于源极与漏极之间具有通道宽度方向。栅极设置于第一有机半导体层上,并电性连接栅极线。栅极沿着通道宽度方向突出于第一有机半导体层。第二有机半导体层覆盖数据线并连接于第一有机半导体层。像素电极与漏极电性连接。

【技术实现步骤摘要】
像素结构
本专利技术是有关于一种像素结构,特别是关于一种有机显示装置的像素结构。
技术介绍
随着制程技术的进步,各类型的显示器应用不断推陈出新。因应显示器应用的轻、薄、短、小以及可携式等需求,下一世代的显示器应用朝向易携带的趋势发展。在显示器中被大量使用到的薄膜晶体管,其结构设计或是材料的选择更是会直接影响到产品的性能。一般来说,薄膜晶体管至少具有栅极、源极、漏极以及通道层等构件,其中可透过控制栅极的电压来改变通道层的导电性,以使源极与漏极之间形成导通(开启)或绝缘(关闭)的状态。然而,由于制程因素的影响,靠近薄膜晶体管的通道边缘处与通道中间处的电流特性可能不同,使得薄膜晶体管边缘处的转移特性会提前引发,造成在临界区出现驼峰现象,进而影响薄膜晶体管的电性。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构,包含数据线、栅极线、主动元件、第二有机半导体层与像素电极。栅极线与数据线交错设置。主动元件电性连接数据线与栅极线。主动元件包含源极、漏极、第一有机半导体层与栅极。源极电性连接于数据线。第一有机半导体层覆盖源极与漏极。第一有机半导体层于源极与漏极之间具有通道宽度方向。栅极设置于第一有机半导体层上,并电性连接栅极线。栅极沿着通道宽度方向突出于第一有机半导体层。第二有机半导体层覆盖数据线并连接于第一有机半导体层。像素电极与漏极电性连接。在一或多个实施例中,源极与漏极之间具有间隙。间隙沿通道宽度方向具有相对的两端部。栅极与第一有机半导体层之间具有堆叠方向,栅极于堆叠方向上与间隙的端部的至少其中之一重叠。在一或多个实施例中,源极与漏极之间具有间隙。间隙沿通道宽度方向具有相对的两端部。栅极覆盖端部,并且沿着通道宽度方向突出于邻近端部的第一有机半导体层的侧壁。在一或多个实施例中,第二有机半导体层与数据线的侧壁接触,以及第一有机半导体层与源极和漏极的侧壁接触。在一或多个实施例中,源极和漏极其中之一者的端部与源极和漏极的另一者之间具有边缘电场区域。栅极覆盖边缘电场区域并突出于第一有机半导体层。在一或多个实施例中,源极包含至少一第一条状部以及一第一连接部。第一连接部连接数据线与至少一第一条状部。第一连接部与第一条状部之间具有大于0度的夹角。栅极于堆叠方向上与第一条状部至少部分重叠,且未与第一连接部重叠。在一或多个实施例中,漏极包含两第二条状部以及第二连接部,第二连接部连接两第二条状部,且两第二条状部与第一条状部交替设置,并且栅极于堆叠方向上与两第二条状部至少部分重叠。在一或多个实施例中,源极包含至少一条状部,漏极包含至少一条状部,且源极的至少一条状部与漏极的至少一条状部之间具有间隙,且栅极覆盖间隙。在一或多个实施例中,栅极包含二第一子栅极部与第二子栅极部。第二子栅极部连接第一子栅极部。第一子栅极部的宽度大于第二子栅极部的宽度。第一子栅极部于堆叠方向上与源极的条状部的两端部和漏极的条状部的两端部重叠,且第二子栅极部于堆叠方向上与源极的条状部和漏极的条状部部分重叠。在一或多个实施例中,第一有机半导体层于源极的条状部与漏极的条状部之间更具有通道长度方向,栅极更沿通道长度方向突出于源极的条状部与漏极的条状部。在一或多个实施例中,第一有机半导体层的材质包含五苯(pentacene)、寡噻吩(oligothiophene)、酞菁(phtalocyanine)、碳六十或其衍生物、多芳胺(polyarylamine)、聚芴(polyfluorene)、聚噻吩(polythiophene)或其衍生物。本专利技术另提供一种像素结构,包含基板、第一图案化导电层、图案化有机半导体层、绝缘层、第二图案化导电层与像素电极。第一图案化导电层置于基板上。第一图案化导电层包含数据线、源极与漏极。源极电性连接数据线。图案化有机半导体层覆盖第一图案化导电层。图案化有机半导体层于源极与漏极之间具有一通道宽度方向。绝缘层设置于图案化有机半导体层上。第二图案化导电层设置于图案化有机半导体层与绝缘层上。第二图案化导电层包含栅极线与栅极,栅极电性连接栅极线,且栅极沿着通道宽度方向突出于图案化有机半导体层。像素电极与漏极电性连接。在一或多个实施例中,源极与漏极之间具有间隙。间隙沿通道宽度方向具有相对的两端部。栅极与图案化有机半导体层之间具有堆叠方向,栅极于堆叠方向上与间隙的端部的至少其中之一重叠。在一或多个实施例中,图案化有机半导体层与数据线的侧壁、源极的侧壁和漏极的侧壁接触。在一或多个实施例中,源极包含至少一第一条状部以及第一连接部。第一连接部连接数据线与至少一第一条状部。漏极包含两第二条状部以及一第二连接部。第二连接部连接两第二条状部,且两第二条状部与第一条状部交替设置。其中第一条状部与两第二条状部之间具有间隙,间隙具有相对的两端部。栅极与图案化有机半导体层之间具有一堆叠方向,栅极于堆叠方向上与两端部重叠,并突出于图案化有机半导体层的侧壁。在一或多个实施例中,源极包含至少一条状部。漏极包含至少一条状部,且源极的至少一条状部与漏极的至少一条状部之间具有间隙,且栅极覆盖间隙。栅极包含第一子栅极部与第二子栅极部。第二子栅极部连接第一子栅极宽部。第一子栅极部的宽度大于第二子栅极部的宽度。第一子栅极部于堆叠方向上与源极的条状部的两端部和漏极的条状部的两端部重叠,且第二子栅极部于堆叠方向上与源极的条状部和漏极的条状部部分重叠。在一或多个实施例中,图案化有机半导体层于源极的条状部与漏极的条状部之间更具有通道长度方向。栅极更沿通道长度方向突出于源极的条状部与漏极的条状部。上述实施例的像素结构可改善主动元件的电性。因第一有机半导体层覆盖源极与漏极,且第二有机半导体层覆盖数据线,因此可将源极、漏极与第二有机半导体层隔绝于外界环境,以避免设备腔体被污染的问题。另外,因栅极沿通道宽度方向突出于第一有机半导体层,因此可提高于源极与漏极的端部之间的电场控制能力,以修饰边缘电流,藉此改善驼峰现象。附图说明图1A至图4A为本专利技术第一实施例的像素结构的制造方法于各阶段的上视图。图1B至图4B分别为图1A至图4A沿线段A-A与B-B的剖面图。图5为图4A的区域P的放大图。图6为本专利技术第二实施例的主动元件的上视图。图7为本专利技术第三实施例的主动元件的上视图。图8为本专利技术第四实施例的主动元件的上视图。图9为图8中的主动元件于不同漏极驱动电压下的漏极电流-栅极电压曲线图。图10与图11为二比较例的主动元件于不同漏极驱动电压下的漏极电流-栅极电压曲线图。其中,附图标记:12、14、16、18、22、24、26、28、32、34、36、38:曲线100:像素结构120:第一图案化导电层122:数据线124:源极122s、124s、126s、132s:侧壁122t、124t、126t:上表面124a、124a:条状部124b、124b、157:连接部126:漏极130:有机半导体层132:第一有机半导体层134:第二有机半导体层140:绝缘层142、144:有机介电层150:第二图案化导电层152:栅极线154:栅极155:第一子栅极部156:第二子栅极部160:平坦层170:像素电极A-A、B-B:线段d1、d2:距离Z:堆叠方向E:边缘电场区域Ga、Gb、124c、126c:端部L:通道长度方向P:区域V:贯穿孔T:主本文档来自技高网...
像素结构

【技术保护点】
一种像素结构,其特征在于,包含:一数据线;一栅极线,与该数据线交错设置;一主动元件,电性连接该数据线与该栅极线,该主动元件包含:一漏极;一源极,电性连接于该数据线;一第一有机半导体层,覆盖该源极与该漏极,其中该第一有机半导体层于该源极与该漏极之间具有一通道宽度方向;以及一栅极,设置于该第一有机半导体层上,并电性连接该栅极线,其中该栅极沿着该通道宽度方向突出于该第一有机半导体层;一第二有机半导体层,覆盖该数据线并连接于该第一有机半导体层;以及一像素电极,与该漏极电性连接。

【技术特征摘要】
2017.01.25 TW 1061030311.一种像素结构,其特征在于,包含:一数据线;一栅极线,与该数据线交错设置;一主动元件,电性连接该数据线与该栅极线,该主动元件包含:一漏极;一源极,电性连接于该数据线;一第一有机半导体层,覆盖该源极与该漏极,其中该第一有机半导体层于该源极与该漏极之间具有一通道宽度方向;以及一栅极,设置于该第一有机半导体层上,并电性连接该栅极线,其中该栅极沿着该通道宽度方向突出于该第一有机半导体层;一第二有机半导体层,覆盖该数据线并连接于该第一有机半导体层;以及一像素电极,与该漏极电性连接。2.如权利要求1的像素结构,其特征在于,该源极与该漏极之间具有一间隙,该间隙沿该通道宽度方向具有相对的两端部,该栅极与该第一有机半导体层之间具有一堆叠方向,该栅极于该堆叠方向上与该间隙的该些端部的至少其中之一重叠。3.如权利要求1的像素结构,其特征在于,该源极与该漏极之间具有一间隙,该间隙沿该通道宽度方向具有相对的两端部,该栅极覆盖该些端部,并且沿着该通道宽度方向突出于邻近该些端部的该第一有机半导体层的侧壁。4.如权利要求1的像素结构,其特征在于,该第二有机半导体层与该数据线的侧壁接触,以及该第一有机半导体层与该源极和该漏极的侧壁接触。5.如权利要求1的像素结构,其特征在于,该源极和该漏极其中之一者的端部与该源极和该漏极的另一者之间具有一边缘电场区域,该栅极覆盖该边缘电场区域并突出于该第一有机半导体层。6.如权利要求1的像素结构,其特征在于,该源极包含至少一第一条状部以及一第一连接部,该第一连接部连接该数据线与该至少一第一条状部,其中该第一连接部与该第一条状部之间具有一大于0度的夹角,其中该栅极与该第一有机半导体层之间具有一堆叠方向,该栅极于该堆叠方向上与该第一条状部至少部分重叠,且未与该第一连接部重叠。7.如权利要求6的像素结构,其特征在于,该漏极包含两第二条状部以及一第二连接部,该第二连接部连接该两第二条状部,该两第二条状部与该第一条状部交替设置,并且该栅极于该堆叠方向上与该两第二条状部至少部分重叠。8.如权利要求1的像素结构,其特征在于,该源极包含至少一条状部,该漏极包含至少一条状部,且该源极的该至少一条状部与该漏极的该至少一条状部之间具有一间隙,且该栅极覆盖该间隙。9.如权利要求8的像素结构,其特征在于,该栅极与该第一有机半导体层之间具有一堆叠方向,且该栅极包含:二第一子栅极部;以及一第二子栅极部,连接该等第一子栅极部,其中各该第一子栅极部的宽度大于该第二子栅极部的宽度,该等第一子栅极部于该堆叠方向上与该源极的该条状部的两端部和该漏极的该条状部的两端部重叠,且该第二子栅极部于该堆叠方向上与该源极的该条状部和该漏极的该条状部部...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈维翰刘冠显蔡佳宏吴安茹许世华涂峻豪刘竹育
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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