【技术实现步骤摘要】
共源共栅级联的氮化镓器件封装结构
本专利技术涉及一种电子元器件结构,特别涉及一种共源共栅级联的氮化镓器件封装结构。
技术介绍
氮化镓(GaN)功率器件是一种新兴的电力电子技术。相比于传统的硅材料器件,采用这种新材料的转换器可以以更高的频率和效率运行,被认为是一种具有广阔前景的新技术。共源共栅级联结构广泛用于高压常开GaN器件中。实践中发现,在高压大电流情况下,共源共栅级联的GaN器件由于硅MOSFET和GaN之间的电容失配,会产生发散振荡现象。这种发散振荡由寄生振荡在一定幅度下触发,该幅度由关断电流,环路电感和结电容决定。发散振荡对GaN器件的运行有强烈的负面影响,可能会造成器件的损坏。
技术实现思路
本专利技术是针对共源共栅级联的GaN器件的发散振荡的问题,提出了一种共源共栅级联的氮化镓器件封装结构,避免共源共栅级联的氮化镓器件出现发散振荡。本专利技术的技术方案为:一种共源共栅级联的氮化镓器件封装结构,硅器件和GaN器件上下连接形成共源共栅级联结构,具体结构为硅器件栅极作为级联结构栅极,硅器件源极作为级联结构源极,GaN器件漏极作为级联结构漏极,硅器件源极与GaN器件栅极连接,GaN器件源极与硅器件漏极连接,GaN器件栅极与硅器件源极连接,电容器的一端直接连接到硅器件源极,另一端通过导线连接到GaN器件源极,封装排布硅器件位于GaN器件的上部,连接部分通过结构中间位置的焊盘连接。所述电容器Cx的的电容值大于Cmin,Cmin的计算公式如下:其中,Q为GaN器件在由开通到关断过程中通过沟道直接耗散的电荷量;VA为与GaN器件级联的硅器件的雪崩电压;VT为GaN ...
【技术保护点】
一种共源共栅级联的氮化镓器件封装结构,其特征在于,硅器件和GaN器件上下连接形成共源共栅级联结构,具体结构为硅器件栅极作为级联结构栅极(21),硅器件源极作为级联结构源极(22),GaN器件漏极作为级联结构漏极(26),硅器件源极与GaN器件栅极连接(23),GaN器件源极与硅器件漏极连接(24),GaN器件栅极与硅器件源极连接(25),电容器(27)的一端直接连接到硅器件源极(23),另一端通过导线连接到GaN器件源极(24),封装排布硅器件位于GaN器件的上部,连接部分通过结构中间位置的焊盘连接。
【技术特征摘要】
1.一种共源共栅级联的氮化镓器件封装结构,其特征在于,硅器件和GaN器件上下连接形成共源共栅级联结构,具体结构为硅器件栅极作为级联结构栅极(21),硅器件源极作为级联结构源极(22),GaN器件漏极作为级联结构漏极(26),硅器件源极与GaN器件栅极连接(23),GaN器件源极与硅器件漏极连接(24),GaN器件栅极与硅器件源极连接(25),电容器(27)的一端直接连接到硅器件源极(23),另一端通过导线连接到GaN器件源极...
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