一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，包括以下步骤：(1)准备洁净硅片，利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数目，并记录；(2)将洁净硅片放入待测片盒，自气源通过带有颗粒过滤器的气路向待测片盒内吹扫，气压约15～30psi，保持气源吹扫1min；(3)利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数据，记录数据，对比前后增加值，判断半导体用晶圆片盒洁净度。本发明专利技术可以快速、高效、批量的检测晶圆片盒颗粒洁净度，及时地测试分析晶圆片盒颗粒是否洁净，确保半导体晶圆硅片不受片盒颗粒沾污。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法
本专利技术涉及一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，属于硅片加工

技术介绍
近年来，半导体用硅片使用率越来越高，用量也越来越大，硅片的尺寸也逐渐增大，到12英寸，甚至是18英寸。但是半导体集成电路中使用的硅片集成度加大，线宽减小，对硅片质量的要求越来越严格。硅片的质量参数主要包括表面颗粒或者缺陷、表面金属含量、体内金属(FE)含量、少子寿命、扩散长度等参数，在生产加工硅片过程中，要严格对这些参数性能的监控和分析。硅片表面的表面颗粒会影响集成电路中电学性能，颗粒过多硅片在后续加工外延，或者器件过程中，形成外延表面缺陷过多或器件失效、器件金属线的断裂、相邻金属线的短路，进而导致产品质量损失，造成产品成品率降低。这就需要严格控制硅片表面颗粒数量。半导体晶圆厂硅片经过加工，清洗检测，颗粒数量满足要求，装入片盒，厂区传递或者出厂运输到外延厂家以及器件厂家。在运输和传递过程，要确保过程颗粒不会增加，这就要求晶圆片盒颗粒洁净度良好，以避免片盒带来的晶圆硅片的颗粒沾污。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，以快速、高效、批量性获得颗粒洁净度高的晶圆片盒。为实现上述目的，本专利技术采取以下技术方案：一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，包括以下步骤：(1)准备洁净硅片，利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数目，并记录；(2)将洁净硅片放入待测片盒，自气源通过带有颗粒过滤器的气路向待测片盒内吹扫，气压约15～30psi，保持气源吹扫1min；(3)利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数据，记录数据，对比前后增加值，判断半导体用晶圆片盒洁净度。其中，所述待测片盒为半导体硅片运输或传递所用片盒。所述气源供应的气体为压缩空气或者氮气。所述气路上的部件均为洁净半导体用塑料管件。本专利技术的优点在于：本专利技术的半导体晶圆片盒颗粒检测方法可以快速、高效、批量的检测晶圆片盒颗粒洁净度，及时地测试分析晶圆片盒是否洁净，确保检测合格的硅片在片盒内的颗粒不会增加，从而确保半导体晶圆硅片不受片盒颗粒沾污。附图说明图1为半导体晶圆片盒颗粒检测方法所用装置的结构示意图。具体实施方式下面通过附图和具体实施方式对本专利技术做进一步说明，但并不意味着对本专利技术保护范围的限制。如图1所示，本专利技术半导体晶圆片盒颗粒检测方法中，需要准备洁净的硅片2、待测试的半导体用晶圆片盒1、气路。气路包括气管3、颗粒过滤器4、开关5等，所涉及部件均为洁净半导体用塑料管件。具体过程为：1、准备洁净的硅片2，数量3片，分别用颗粒测试仪测试硅片的表面颗粒，记录数据；2、然后将硅片2分别装入晶圆片盒1内，硅片间隔放置，位于晶圆片盒两端各一片，中间一片，如附图1，然后在晶圆片盒的盒盖上留有小间隙；3、将带有颗粒过滤器4的气管3放入晶圆盒盖的间隙内，注意不要接触硅片，打开气源开关5，气压约15～30psi，保持气源吹扫1min；关掉气源开关5，拿出气管，取出硅片，利用颗粒测试仪测试硅片2表面颗粒数目；4、将硅片2表面颗粒数据进行前后对比，看颗粒有无增加，判断半导体用晶圆片盒洁净度。实施例本实施例以可装25片的12inch硅晶圆片盒为例说明。1、取12片12inch抛光硅片，4个晶圆片盒(前开式晶圆盒或晶圆运输盒(FOUP/FOSB))；2、利用表面颗粒测试仪KLATencorSP1测试12片12inch抛光硅片表面颗粒，记录数据前值；3、将12片12inch抛光硅片分为四组，分别装入4个晶圆片盒(FOUP/FOSB)的两端和中间位置，将片盒盖子半盖，留有一定间隙，然后分别将气管放入四个晶圆片盒间隙中(注意不要接触硅片)，打开开关，每个吹气1min；4、将12片12inch抛光硅片取出，再利用表面颗粒测试仪KLATencorSP1测试12片12inch抛光硅片表面颗粒，记录数据后值；5、将前后数据对比，如下：6、增加值均小于3个，判定所测试半导体用晶圆盒洁净度满足要求。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)准备洁净硅片，利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数目，并记录；(2)将洁净硅片放入待测片盒，自气源通过带有颗粒过滤器的气路向待测片盒内吹扫，气压为15～30psi，保持气源吹扫1min；(3)利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数据，记录数据，对比前后增加值，判断半导体用晶圆片盒洁净度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)准备洁净硅片，利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数目，并记录；(2)将洁净硅片放入待测片盒，自气源通过带有颗粒过滤器的气路向待测片盒内吹扫，气压为15～30psi，保持气源吹扫1min；(3)利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数据，记录数据，对比前后增加值，判断半导体用...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵而敬，曹孜，刘建涛，李宗峰，盛方毓，冯泉林，闫志瑞，
申请(专利权)人：有研半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11