一种简易SICMOS驱动电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种简易SICMOS驱动电路
本技术涉及一种简易SICMOS驱动电路，属于电力电子
技术介绍
MOS管有两种类型，一类是nMOS管，另一类是pMOS管。以nMOS管为例，若栅极和源极之间的电压大于等于阈值电压，则nMOS管就导通，若栅极和源极之间的电压小于阈值电压，则nMOS管就断开。利用MOS管这种导通和断开的特性，可将MOS管用于开关电源或者马达的驱动，具体做法是，使用MOS管驱动电路控制MOS管导通或断开，从而达到控制开关电源或者马达接通或断开。一般认为使MOS管导通不需要电流，只要栅极和源极之间的电压高于阈值电压。在MOS管的结构中可以看到，在栅极和源极之间以及栅极和漏极之间存在寄生电容，MOS管的导通和断开实际上是对电容的充放电，为了提高MOS管的导通速度需要足够的电流驱动MOS管，现有技术的MOS管驱动电路没有考虑这一因素。导通nMOS管时，其栅极电压大于源极电压，而nMOS管的源极通常连接电源(如电池或电池组)的正极，此时栅极的驱动电压就需要比电源的输出电压大，如此高的驱动电压是不易得到的，这要专门的升压电路，因此，现有技术的MOS管驱动电路通常配备电荷泵或专用升压芯片，这样增加了MOS管驱动电路的复杂性和成本。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：为克服上述问题，提供一种简易实用的简易SICMOS驱动电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种简易SICMOS驱动电路，包括输入端A，所述输入端A连接电容C1的一端，所述电容C1的另一端分别连接到三极管Q1和三极管Q2的基极，所述三极管Q1的集电极连接外接电源Vcc，所述三极管Q2...
【技术保护点】
一种简易SICMOS驱动电路，其特征在于，包括输入端A，所述输入端A连接电容C1的一端，所述电容C1的另一端分别连接到三极管Q1和三极管Q2的基极，所述三极管Q1的集电极连接外接电源Vcc，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q1的发射极和所述三极管Q2的集电极一起连接到电容C2的一端，所述电容C2的另一端连接MOS管Q3的栅极，所述MOS管Q3的源极接地，所述电容C2的一端还与二极管D1的负极连接，所述二极管D1的正极与二极管D2的负极连接，所述二极管D2的正极与三极管D3的负极连接，所述三极管D3的正极连接所述电容C2的另一端。
【技术特征摘要】
1.一种简易SICMOS驱动电路，其特征在于，包括输入端A，所述输入端A连接电容C1的一端，所述电容C1的另一端分别连接到三极管Q1和三极管Q2的基极，所述三极管Q1的集电极连接外接电源Vcc，所述三极管Q2的发射极接地，所述三极管Q1的发射极和所述三极管Q2的集电极一起...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘颖，
申请(专利权)人：苏州超云新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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