曝光目标图形的修正方法技术

一种辅助图形的形成方法和一种曝光目标图形的修正方法，所述辅助图形的形成方法包括：将所述下层图形和当前层图形重叠，形成第二图形；将所述第二图形取反，获得第三图形；将所述第三子图形的尺寸长度和宽度均缩小第一预设值，形成第四图形；去除所述第四图形中的不可曝光的部分第四子图形，形成第五图形，所述第五图形作为当前层图形的辅助图形。所述曝光目标图形的形成方法包括：将所述下层曝光目标图形和待修正图形重叠，形成重叠图形；建立光刻分辨率限制表；根据所述光刻分辨率限制表，对与第一下层子图形有重叠的部分第一待修正子图形的尺寸进行修正，形成第一修正子图形。可以提高掩膜版的透光率、提高对曝光目标图形进行修正的准确性。

【技术实现步骤摘要】
曝光目标图形的修正方法本申请是2013年12月30日提交中国专利局、申请号为201310745670.1、专利技术名称为“辅助图形的形成方法和曝光目标图形的修正方法”的中国专利申请的分案。
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种辅助图形的形成方法和一种曝光目标图形的修正方法。
技术介绍
随着半导体工艺节点的不断下降，传统光刻工艺条件下利用一个掩膜版作为掩膜形成图形化工艺遇到了限制，相邻的图形节距过小，由于光学邻近效应，会出现相邻图形粘连的现象。基于半导体器件关键尺寸越来越小，利用双重图形化(Doublepatterning)方法解决以上所述的问题。双重图形化方法将需要形成的图形分割成两种图形，分别为第一掩膜图形和第二掩膜图形，然后分别进行第一次图形化形成第一图形，进行第二次图形化形成第二图形，通过这样双重图形化的方法可以避免出现相邻图形孔距过小而导致的光学邻近效应。现有技术中通过双重图形化工艺刻蚀多晶硅层，形成多晶硅栅极，以提高多晶硅栅极的尺寸的准确性和均匀性。通过第一掩膜图形对多晶硅层进行第一图形化，形成长条状的栅极图形，然后通过第二掩膜图形对多晶硅层进行第二图形化，将长条状的栅极图形切开以形成多晶硅栅极。第二掩膜图形由第一掩膜图形决定，现有的第二掩膜图形中的子图形数量较少，导致掩膜版的透光率较差，从而导致第二图形化中的光刻过程在光刻胶上形成的曝光图形的尺寸不均匀，影响后续形成刻蚀图形的准确性。另一方面，在形成第二图形化过程中的掩膜版图形的过程中，一般是根据最终形成的刻蚀图形，设计出光刻胶层上的曝光目标图形；然后再根据所述曝光目标图形，通过OPC模型计算得到最终需要在掩膜版上形成的图形。考虑到第二图形化过程中的刻蚀偏差问题，需要对曝光目标图形进行刻蚀偏差补偿，但是由于所述曝光目标图形的补偿效果受到下层的材料的刻蚀图形的影响，既与曝光目标图形中的子图形自身的尺寸及间距相关，还与下层的材料的刻蚀图形中的图形材料以及尺寸相关，所以很难对曝光目标图形进行准确的刻蚀偏差补偿。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种辅助图形的形成方法，提高曝光图形的准确性；还提供一种曝光目标图形的修正方法，提高对所述曝光目标图形进行刻蚀偏差补偿的准确性。为解决上述问题，本专利技术提供一种辅助图形的形成方法，包括：提供下层图形和当前层图形，所述下层图形为第一图形，所述当前层图形中包括若干当前层子图形；将所述下层图形和当前层图形重叠，形成第二图形；将所述第二图形取反，获得第三图形，所述第三图形与第二图形为互补图形，所述第三图形中包括若干第三子图形；保持所述第三子图形的中心位置不变，将所述第三子图形的尺寸长度和宽度均缩小第一预设值，形成第四图形，所述第四图形中包括若干第四子图形；去除所述第四图形中的不可曝光的部分第四子图形，形成第五图形，所述第五图形作为当前层图形的辅助图形。可选的，所述第一预设值的范围为0nm～100nm。可选的，去除所述第四图形中的不可曝光的部分第四子图形的方法包括：去除所述第四图形中长度或宽度小于第二预设值的部分第四子图形。可选的，去除所述第四图形中长度或宽度小于第二预设值的部分第四子图形的方法包括：保持第四子图形的中心位置不变，将所有第四子图形的长度和宽度均缩小第二预设值，部分第四子图形消失；然后将剩余的缩小后的第四子图形的长度和宽度增大第二预设值，使剩余的部分第四子图形恢复至原来尺寸。可选的，所述第二预设值为当前层图形中的当前层子图形可曝光的最小图形宽度。可选的，所述第二预设值的范围为20nm～160nm。可选的，去除所述第四图形中不可曝光的第四子图形，形成第五图形的方法还包括：将相邻间距小于第三预设值的相邻第四子图形合并。可选的，将相邻间距小于第三预设值的相邻第四子图形合并的方法包括：保持第四子图形的中心位置不变，将第四子图形的长度和宽度增大第三预设值，部分相邻的第四子图形之间的间距消失，相邻的第四子图形合并，再将增大后的第四子图形的长度和宽度减小第三预设值。可选的，所述第三预设值为当前层图形中可曝光的最小图形间距。可选的，所述第三预设值的范围为20nm～36nm。可选的，可以先去除所述第四图形中长度或宽度小于第二预设值的部分第四子图形，再将相邻间距小于第三预设值的相邻第四子图形合并；或者先将相邻间距小于第三预设值的相邻第四子图形合并，再去除长度或宽度小于第二预设值的部分第四子图形。本专利技术还提供一种曝光目标图形的修正方法，包括：提供下层曝光目标图形和待修正图形，所述下层曝光目标图形包括若干长条状的第一下层子图形，所述待修正图形中包括若干第一待修正子图形；将所述下层曝光目标图形和待修正图形重叠，形成重叠图形，所述待修正图形位于下层曝光目标图形上方，部分第一待修正子图形与部分第一下层子图形之间具有重叠部分；根据图形长度、宽度以及相邻图形之间的间距，建立光刻分辨率限制表，所述光刻分辨率限制表包括可曝光区域和不可曝光区域；根据所述光刻分辨率限制表，保持所述第一待修正子图形的中心位置不变，对与第一下层子图形有重叠的部分第一待修正子图形的尺寸进行修正，形成第一修正子图形，使所述第一修正子图形进入可曝光区域，并且位于所述可曝光区域中最接近不可曝光区域的位置。可选的，所述下层曝光目标图形中还包括第一散射子图形，对应的，所述待修正图形中还包括第二散射子图形；在所述重叠图形中，第二散射子图形与第一散射子图形完全重叠。可选的，还包括：保持所述第二散射子图形的中心位置不变，将所述第二散射子图形的长度和宽度增大第四预设值，使增大后的第二散射子图形完全覆盖第一散射子图形。可选的，所述第四预设值的范围为20nm～140nm。可选的，所述光刻分辨率限制表的建立方法包括：提供掩膜图形，所述掩膜图形上具有若干不同宽度和间距的子图形，所述子图形为掩膜图形的遮光区域；对所述掩膜图形进行曝光，得到曝光图形，所述曝光图形包括若干曝光子图形；以所述曝光子图形的宽度和相邻曝光子图形之间的间距分别作为横坐标和纵坐标，建立光刻分辨率限制表，所述曝光子图形的宽度、所述曝光子图形与相邻的子图形之间的间距位于所述光刻分辨率限制表中的可曝光区域，而其余未形成的曝光图形的尺寸区域为光刻分辨率限制表中的不可曝光区域。可选的，所述光刻分辨率限制表采用的曝光子图形的宽度范围为60nm～6000nm，相邻曝光子图形之间的间距为60nm～300nm。可选的，所述下层曝光目标图形中还包括若干第二下层子图形，所述第二下层子图形中包括两个以上的不在同一直线上的长条状部分，以及连接所述长条状部分的连接部分；对应的，所述待修正图形中包括第二待修正子图形，在重叠图形中，所述第二待修正子图形覆盖所述第二下层子图形的连接部分，以及位于所述连接部分两侧的部分长条状部分；根据所述光刻分辨率限制表，对第二待修正子图形进行修正后获得第二修正子图形，所述第二修正子图形位于可曝光区域中最接近不可曝光区域的位置；确定所述第二修正图形和长条状部分相交的边长，与连接部分之间的垂直距离为第一尺寸；确定第二待修正子图形和长条状部分相交的边长与连接部分之间的最小垂直距离为第二尺寸；若第一尺寸大于第二尺寸，则对所述第二待修正子图形进行修正，若所述第一尺寸小于或等于第二尺寸，则保持所述第二待修正子图形不变。可选的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光目标图形的修正方法，其特征在于，包括：提供下层曝光目标图形和待修正图形，所述下层曝光目标图形包括若干长条状的第一下层子图形，所述待修正图形中包括若干第一待修正子图形；将所述下层曝光目标图形和待修正图形重叠，形成重叠图形，所述待修正图形位于下层曝光目标图形上方，部分第一待修正子图形与部分第一下层子图形之间具有重叠部分；根据图形长度、宽度以及相邻图形之间的间距，建立光刻分辨率限制表，所述光刻分辨率限制表包括可曝光区域和不可曝光区域；根据所述光刻分辨率限制表，保持所述第一待修正子图形的中心位置不变，对与第一下层子图形有重叠的部分第一待修正子图形的尺寸进行修正，形成第一修正子图形，使所述第一修正子图形进入可曝光区域，并且位于所述可曝光区域中最接近不可曝光区域的位置。

【技术特征摘要】
1.一种曝光目标图形的修正方法，其特征在于，包括：提供下层曝光目标图形和待修正图形，所述下层曝光目标图形包括若干长条状的第一下层子图形，所述待修正图形中包括若干第一待修正子图形；将所述下层曝光目标图形和待修正图形重叠，形成重叠图形，所述待修正图形位于下层曝光目标图形上方，部分第一待修正子图形与部分第一下层子图形之间具有重叠部分；根据图形长度、宽度以及相邻图形之间的间距，建立光刻分辨率限制表，所述光刻分辨率限制表包括可曝光区域和不可曝光区域；根据所述光刻分辨率限制表，保持所述第一待修正子图形的中心位置不变，对与第一下层子图形有重叠的部分第一待修正子图形的尺寸进行修正，形成第一修正子图形，使所述第一修正子图形进入可曝光区域，并且位于所述可曝光区域中最接近不可曝光区域的位置。2.根据权利要求1所述的曝光目标图形的修正方法，其特征在于，所述下层曝光目标图形中还包括第一散射子图形，对应的，所述待修正图形中还包括第二散射子图形；在所述重叠图形中，第二散射子图形与第一散射子图形完全重叠。3.根据权利要求2所述的曝光目标图形的修正方法，其特征在于，还包括：保持所述第二散射子图形的中心位置不变，将所述第二散射子图形的长度和宽度增大第四预设值，使增大后的第二散射子图形完全覆盖第一散射子图形。4.根据权利要求3所述的曝光目标图形的修正方法，其特征在于，所述第四预设值的范围为20nm～140nm。5.根据权利要求1所述的曝光目标图形的修正方法，其特征在于，所述光刻分辨率限制表的建立方法包括：提供掩膜图形，所述掩膜图形上具有若干不同宽度和间距的子图形，所述子图形为掩膜图形的遮光区域；对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王铁柱，舒强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31