阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法制造方法及图纸

本申请公开了阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法。上述阵列基板包括薄膜晶体管、第一电极以及覆盖薄膜晶体管和第一电极的第一绝缘层；第一绝缘层上设置有第二电极和衬底，第二电极向第一电极所在平面的正投影与第一电极至少部分重叠，第二电极和衬底同层，且具有相同材料；衬底上形成有支撑柱，支撑柱具有平行于阵列基板的上表面，且支撑柱向衬底所在平面的正投影位于衬底内。该实施方式可实现在阵列基板上形成表面平坦的支撑柱，从而在薄化研磨时，可以有效地减少支撑柱划伤配向膜的情况发生。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法
本申请涉及显示
，具体涉及阵列基板、显示面板、显示装置以及制作方法。
技术介绍
目前，根据液晶显示面板的显示原理可分为横向电场方式和纵向电场方式。在横向电场方式的液晶显示面板中，一般在形成有薄膜晶体管的基板上，形成有像素电极和公共电极。其中，薄膜晶体管和像素电极形成在相对靠近基板的层上。而公共电极则形成在相对远离基板的层上。这样，液晶在像素电极和公共电极之间形成的电场的作用下发生偏转。现有技术中，通常在与薄膜晶体管所在基板相对的另一基板上，形成有用于控制液晶厚度的支撑柱。两个基板成盒后，由于形成有薄膜晶体管的基板的上表面高低不平，所以在对基板进行薄化研磨时，各支撑柱的受力不均。因支撑柱受力不均可能会引发一些问题，例如，可能会导致位于支撑柱下方的配向膜(配向膜设置于薄膜晶体管所在基板的上层，最靠近支撑柱)发生破损脱落。而脱落的配向膜碎屑可能会进入像素开口区，从而造成碎亮点。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷，本申请提供了一种改进的阵列基板、显示面板、显示装置以及制作方法，来解决以上
技术介绍
部分提到的技术问题。为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，上述阵列基板包括薄膜晶体管、第一电极以及覆盖薄膜晶体管和第一电极的第一绝缘层；第一绝缘层上设置有第二电极和衬底，第二电极向第一电极所在平面的正投影与第一电极至少部分重叠，第二电极和衬底同层，且具有相同材料；衬底上形成有支撑柱，支撑柱具有平行于阵列基板的上表面，且支撑柱向衬底所在平面的正投影位于衬底内。第二方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。第三方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板。第四方面，本申请实施例提供了一种制作方法，用于制作上述阵列基板。上述方法包括：在衬底基板上制作薄膜晶体管、第一电极以及第一绝缘层，其中，第一绝缘层覆盖衬底基板、薄膜晶体管和第一电极；在第一绝缘层上形成用于形成第二电极和衬底的第一膜层；在第一膜层上形成用于形成支撑柱的第二膜层；在第二膜层上形成抗蚀膜，并对抗蚀膜进行图形处理，形成第一抗蚀膜和第二抗蚀膜；利用第一抗蚀膜和第二抗蚀膜，由第一膜层形成第二电极和衬底，由第二膜层形成支撑柱；其中，第二电极向第一电极所在平面的正投影与第一电极至少部分重叠，支撑柱具有平行于阵列基板的上表面，且支撑柱向衬底所在平面的正投影位于衬底内。本申请实施例提供的阵列基板、显示面板、显示装置及制作方法，通过在衬底上形成具有平整上表面的支撑柱，而支撑柱的下表面可以随着衬底的上表面形状而变化。其中，衬底与位于阵列基板上的第二电极同层，且具有相同材料。由于支撑柱和配向膜均设置于阵列基板上，这样在成盒后的薄化研磨时，可以有效地减少支撑柱划伤配向膜的情况发生。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1A是本申请提供的阵列基板的一个实施例的剖视结构图；图1B是图1A所示的阵列基板的一个实施例的俯视结构图；图2A是本申请提供的阵列基板的又一个实施例的剖视结构图；图2B是图2A所示的阵列基板的又一个实施例的俯视结构图；图3是用于说明制造图1A所示的阵列基板的一个工序图；图4是本申请提供的阵列基板的另一个实施例的剖视结构图；图5是本申请提供的显示面板的一个实施例的结构示意图；图6是本申请提供的显示装置的一个实施例的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本申请的原理和特征作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与专利技术相关的部分。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。请参考图1A，其示出了本申请提供的阵列基板的一个实施例的剖视结构示意图。如图所示，本申请的阵列基板可以包括薄膜晶体管、第一电极11以及覆盖薄膜晶体管和第一电极11的第一绝缘层110。在本实施例中，在第一绝缘层110上可以设置有第二电极12和衬底13。第二电极12和衬底13可以同层，且具有相同材料。这样可以简化生产工艺。在衬底13上形成有支撑柱14。并且支撑柱14具有平行于阵列基板的上表面。在本实施例中，第一电极11为像素电极，第二电极12为公共电极。公共电极12向像素电极11所在平面的正投影可以与像素电极11至少部分重叠。此外，支撑柱14向衬底13所在平面的正投影可以位于衬底13内。具体可以参见图1B，其示出了图1A所示的阵列基板的一个实施例的俯视图。由图1B可知，公共电极12和衬底13相互绝缘。需要说明的是，图1B中衬底的位置和公共电极的排列方式仅仅是示意性的，可以根据实际需求进行设置。在本实施例的一些可选地实现方式中，第一绝缘层上还可以设置有连接导体19。为了简化生产工艺，连接导体19与公共电极12可以同层，且具有相同材料。如图1B所示，连接导体19可以与衬底13相互绝缘。同时，为了实现显示功能，连接导体19与薄膜晶体管的源极和\或漏极所在平面的正投影与源极和\或漏极至少部分重叠。而且连接导体19向像素电极11所在平面的正投影与像素电极11至少部分重叠。这样，连接导体19可以通过接触孔分别与像素电极11和薄膜晶体管的源极或漏极连接。为了保证良好的接触性能，接触孔向连接导体19所在平面的正投影位于连接导体19内，并且接触孔应该位于上述重叠区域内。需要说明的是，衬底13和连接导体19之间的具体结构在本实施例中并不限制。为了进一步简化生产工艺，衬底13和连接导体19可以为同一导体(如图2A和图2B所示，其分别示出了本申请提供的阵列基板的又一实施例的剖视图和俯视图)。可选地，薄膜晶体管的栅极可以包括第一栅极块15和第二栅极块16。如图1A所示，第二栅极块16沿第一方向叠置在第一栅极块上15。第一栅极块15与像素电极11可以同层，且具有相同材料。这样通过一层膜便可以制造出第一栅极块和像素电极，有利于简化生产工艺。且如图1B所示，第二栅极块16向第一栅极块15所在平面的正投影位于第一栅极块15内。作为示例，像素电极11上还可以设置有连接块17。像素电极11与连接块17相互接触，并且均由导电材料制成。此时，为了避免在形成接触孔时，对像素电极11产生不良影响，像素电极11可以通过连接块17与连接导体19连接。而连接块17与连接导体19通过接触孔连接。另外，连接块17可以与第二栅极块16同层，且具有相同材料。同样有利于简化生产工艺。且如图1B所示，连接块17向所述像素电极11所在平面的正投影位于像素电极11内。并且同样为了保证良好的接触性能，接触孔向连接块17所在平面的正投影位于连接块17内。从图1A中可以看出，阵列基板还可以包括覆盖薄膜晶体管的栅极、像素电极11和连接块17的第二绝缘层120。第二绝缘层120与第一绝缘层110之间设置有有源层18。有源层18包括沟道区，且沟道区向薄膜晶体管的栅极所在平面的正投影位于该栅极内。此外，在有源层18上设置有薄膜晶体管的源极和漏极。并且上述沟道区位于薄膜晶体管的源极和漏极之间。此时，第一绝缘层110可以覆盖第二绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：薄膜晶体管、第一电极以及覆盖所述薄膜晶体管和所述第一电极的第一绝缘层；所述第一绝缘层上设置有第二电极和衬底，所述第二电极向所述第一电极所在平面的正投影与所述第一电极至少部分重叠，所述第二电极和所述衬底同层，且具有相同材料；所述衬底上形成有支撑柱，所述支撑柱具有平行于所述阵列基板的上表面，且所述支撑柱向所述衬底所在平面的正投影位于所述衬底内。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：薄膜晶体管、第一电极以及覆盖所述薄膜晶体管和所述第一电极的第一绝缘层；所述第一绝缘层上设置有第二电极和衬底，所述第二电极向所述第一电极所在平面的正投影与所述第一电极至少部分重叠，所述第二电极和所述衬底同层，且具有相同材料；所述衬底上形成有支撑柱，所述支撑柱具有平行于所述阵列基板的上表面，且所述支撑柱向所述衬底所在平面的正投影位于所述衬底内。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；或者，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；所述第一绝缘层上设置有连接导体，所述连接导体向所述像素电极所在平面的正投影与所述像素电极至少部分重叠，所述连接导体与所述公共电极同层，且具有相同材料；所述连接导体通过接触孔分别与所述像素电极和所述薄膜晶体管的源极或漏极连接，且所述接触孔向所述连接导体所在平面的正投影位于所述连接导体内。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极包括第一栅极块和第二栅极块，所述第二栅极块叠置在所述第一栅极块上，且所述第二栅极块向所述第一栅极块所在平面的正投影位于所述第一栅极块内；所述第一栅极块与所述像素电极同层，且具有相同材料。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极上设置有连接块，所述连接块与所述连接导体通过所述接触孔连接，所述接触孔向所述连接块所在平面的正投影位于所述连接块内；所述连接块与所述第二栅极块同层，且具有相同材料。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括覆盖所述栅极、所述像素电极和所述连接块的第二绝缘层；所述第二绝缘层与所述第一绝缘层之间设置有有源层，所述有源层包括沟道区，且所述沟道区向所述栅极所在平面的正投影位于所述栅极内；所述有源层上设置有所述薄膜晶体管的源极和漏极，且所述沟道区位于所述源极和所述漏极之间；所述第一绝缘层覆盖所述第二绝缘层、所述有源层、所述源极和所述漏极。7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；所述薄膜晶体管的栅极包括第一栅极块和第二栅极块，所述第二栅极块叠置在所述第一栅极块上，且所述第二栅极块向所述第一栅极块所在平面的正投影位于所述第一栅极块内；所述像素电极向所述薄膜晶体管的源极或漏极所在平面的正投影与所述源极或所述漏极至少部分重叠，且所述像素电极通过接触孔与所述源极或所述漏极连接；所述公共电极与所述第一栅极块同层，且具有相同材料。8.根据权利要求1-7之一所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料为透明导电材料。9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-8之一所述的阵列基板。10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括黑矩阵区域，所述支撑柱向所述黑矩阵区域所在平面的正投影位于所述黑矩阵区域内。11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9或10所述的显示面板。...

【专利技术属性】
技术研发人员：金慧俊，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31