阵列基板断线修补方法技术

技术编号:15723173 阅读:52 留言:0更新日期:2017-06-29 06:51
本发明专利技术提供一种阵列基板断线修补方法,包括:获取第一长线区域的两端,第一长线区域包括金属线断线部分;对第一长线区域的两端均采用镭射光照射,去除色阻层和第二绝缘层,露出第二金属层,以获得两个第一沟槽,第一沟槽的侧壁呈阶梯状;在两个第一沟槽中及两个第一沟槽之间的色阻层上生长第一金属膜,以通过第一金属膜将两个第一沟槽底部的第二金属层连接,完成金属线断线部分的连接。由于上述方法获得的第一沟槽侧壁呈阶梯状,即在色阻层和第二绝缘层上形成的第一沟槽侧壁下降过程较缓,大大减小了第一金属膜的爬坡高度,使第一金属膜不易断裂,提高了断线修补成功率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板断线修补方法
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板断线修补方法。
技术介绍
随着液晶面板技术的不断发展,越来越多的新技术应用在薄膜晶体管阵列基板上,如平面转换(In-PlaneSwitching,简称IPS),边缘场开关技术(FringeFieldSwitching,简称FFS),色彩滤镜矩阵(ColorFilterOnArray,简称COA)等技术。这些技术对显示基板的平坦度要求比较高,通常需要在阵列基板上沉积一层较厚的有机层如色阻层、平坦层等。在阵列基板制作过程中,由于各种因素的影响,可能导致金属导线包括扫描线和数据线存在断线或者短接的情况,影响良率。为提高良率,针对断线部分会进行激光化学气相沉积(LaserChemicalVaporDeposition,简称LCVD)长线修补;针对短接问题,需先切断短接部分,将短接部分隔离,再进行LCVD长线修补。目前的COA产品,色阻做在阵列基板上,在LCVD长线修补中,因色阻很厚(3um左右),直接轰击(zapping)色阻和绝缘膜,会使LCVD长线爬坡高度太高,容易导致LCVD长线断裂。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板断线修补方法,用以解决现有技术中的断线修补方法容易导致LCVD长线断裂的技术问题。本专利技术一方面提供一种阵列基板断线修补方法,所述阵列基板包括衬底基板、第一金属层、第二金属层、第一绝缘层、第二绝缘层和色阻层;其中,所述第一金属层设置于所述衬底基板上,所述第一绝缘层覆盖在所述第一金属层和所述衬底基板上,所述第二金属层位于所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层覆盖在所述第二金属层和所述第一绝缘层上,所述色阻层覆盖在所述第二绝缘层上,包括:获取第一长线区域的两端,所述第一长线区域包括金属线断线部分;对所述第一长线区域的两端均采用镭射光照射,去除所述色阻层和所述第二绝缘层,露出所述第二金属层,以获得两个第一沟槽,所述第一沟槽的侧壁呈阶梯状;在两个所述第一沟槽中及两个所述第一沟槽之间的所述色阻层上生长第一金属膜,以通过所述第一金属膜将两个所述第一沟槽底部的所述第二金属层连接,完成所述金属线断线部分的连接。进一步的,对所述第一长线区域的两端均采用镭射光照射,具体包括:控制镭射光斑的大小和镭射能量,使所述镭射光斑的直径从大到小变化,以去除所述色阻层和所述第二绝缘层,露出所述第二金属层,从而获得所述第一沟槽。进一步的,对所述第一长线区域的两端均采用镭射光照射,具体包括:设置多个不同直径的环形镭射光栅对所述第一长线区域的两端进行照射,以除去所述色阻层和所述第二绝缘层,露出所述第二金属层,从而获得所述第一沟槽。进一步的,设置3个不同直径的环形镭射光栅对所述第一长线区域的两端进行照射。进一步的,所述第一金属膜由钨或者钼制成。本专利技术另一方面提供一种阵列基板断线修补方法,所述阵列基板包括衬底基板、第一金属层、第二金属层、第一绝缘层、第二绝缘层和色阻层;其中,所述第一金属层设置于所述衬底基板上,所述第一绝缘层覆盖在所述第一金属层和所述衬底基板上,所述第二金属层位于所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层覆盖在所述第二金属层和所述第一绝缘层上,所述色阻层覆盖在所述第二绝缘层上,包括:获取第二长线区域的两端,所述第二长线区域包括金属线断线部分;对所述第二长线区域的两端均采用镭射光照射,去除所述色阻层、所述第一绝缘层和所述二绝缘层,露出所述第一金属层,以获得两个第二沟槽,所述第二沟槽的侧壁呈阶梯状;在两个所述第二沟槽中及两个所述第二沟槽之间的所述色阻层上生长第二金属膜,以通过所述第二金属膜将两个所述第二沟槽底部的所述第一金属层连接,完成所述金属线断线部分的连接。进一步的,对所述第二长线区域的两端均采用镭射光照射,具体包括:控制镭射光斑的大小和镭射能量,使所述镭射光斑的直径从大到小变化,以去除所述色阻层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层,露出所述第一金属层,从而获得所述第二沟槽。进一步的,对所述第二长线区域的两端均采用镭射光照射,具体包括:设置多个不同直径的环形镭射光栅对所述第二长线区域的两端进行照射,以除去所述色阻层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层,露出所述第一金属层,从而获得所述第二沟槽。进一步的,设置3个不同直径的环形镭射光栅对所述第二长线区域的两端进行照射。进一步的,其特征在于,所述第二金属膜由钨或者钼制成。本专利技术提供一种阵列基板断线修补方法,通过在对第一长线区域的两端均采用镭射光照射,去除色阻层和第二绝缘层,露出第二金属层,从而获得两个侧壁呈阶梯状的第一沟槽,然后在两个第一沟槽中及两个第一沟槽之间的色阻层上生长第一金属膜,以通过第一金属膜将两个第一沟槽底部的第二金属层连接,从而完成金属线断线部分的连接。由于上述方法获得的第一沟槽侧壁呈阶梯状,即在色阻层和第二绝缘层上形成的第一沟槽侧壁下降过程较缓,大大减小了第一金属膜的爬坡高度,使第一金属膜不易断裂。同时,由于上述方案是在色阻之上生长第一金属膜,不用先移除色阻层,因此不会导致色阻层残留问题,及移除色阻层时导致的第一绝缘层或第二绝缘层受损问题,提高了断线修补成功率。附图说明在下文中将基于实施例并参考附图来对本专利技术进行更详细的描述。其中:图1为阵列基板断线修补的一结构示意图;图2为本专利技术提供的阵列基板断线修补方法的一流程示意图;图3为阵列基板断线修补的另一结构示意图;图4为本专利技术提供的阵列基板断线修补方法的另一流程示意图。在附图中,相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术作进一步说明。请参考图1和图2。本实施例提供一种阵列基板断线修补方法,阵列基板包括衬底基板1、第一金属层2、第二金属层3、第一绝缘层4、第二绝缘层5和色阻层6;其中,第一金属层2设置于衬底基板1上,第一绝缘层4覆盖在第一金属层2和衬底基板1上,第二金属层3位于第一绝缘层4上,第二绝缘层5覆盖在第二金属层3和第一绝缘层4上,色阻层6覆盖在第二绝缘层5上,包括:步骤101,获取第一长线区域的两端,第一长线区域包括金属线断线部分。第一金属层2包括多个平行设置的扫描线,第二金属层3包括多个平行设置的数据线,扫描线与数据线垂直设置。第一长线区域即包括金属线断线部分的区域,该区域的两端在第二金属层3上的投影分别位于两根数据线上。步骤102,对第一长线区域的两端均采用镭射光照射,去除色阻层6和第二绝缘层5,露出第二金属层3,以获得两个第一沟槽8,第一沟槽8的侧壁呈阶梯状。具体的,控制镭射光斑的大小和镭射能量,使所述镭射光斑的直径从大到小变化,以去除所述色阻层6和所述第二绝缘层5,露出所述第二金属层3,从而获得所述第一沟槽8。先对第一长线区域的两端的色阻层6进行镭射光照射,控制镭射光斑的大小,使所述镭射光斑的直径从大到小变化,如此直到除去色阻层6和第二绝缘层5,使第二金属层3露出,优选的,可对第二金属层3进行镭射光照射,使在第二金属层3表面形成一小凹槽,在后续生长完第一金属膜7后,可使第一金属膜7与第二金属层3接触更充分。镭射光照射完毕之后,在第一长线区域的两端会获得两个第一沟槽8,该第一沟槽8的掏空部分由直径从大到小的同心圆柱堆叠而成,即第一沟槽8的侧壁呈阶梯状。优选的,通过控制镭射光斑的直径在第一段时间本文档来自技高网...
阵列基板断线修补方法

【技术保护点】
一种阵列基板断线修补方法,所述阵列基板包括衬底基板、第一金属层、第二金属层、第一绝缘层、第二绝缘层和色阻层;其中,所述第一金属层设置于所述衬底基板上,所述第一绝缘层覆盖在所述第一金属层和所述衬底基板上,所述第二金属层位于所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层覆盖在所述第二金属层和所述第一绝缘层上,所述色阻层覆盖在所述第二绝缘层上,其特征在于,所述方法包括:获取第一长线区域的两端,所述第一长线区域包括金属线断线部分;对所述第一长线区域的两端均采用镭射光照射,去除所述色阻层和所述第二绝缘层,露出所述第二金属层,以获得两个第一沟槽,所述第一沟槽的侧壁呈阶梯状;在两个所述第一沟槽中及两个所述第一沟槽之间的所述色阻层上生长第一金属膜,以通过所述第一金属膜将两个所述第一沟槽底部的所述第二金属层连接,完成所述金属线断线部分的连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板断线修补方法,所述阵列基板包括衬底基板、第一金属层、第二金属层、第一绝缘层、第二绝缘层和色阻层;其中,所述第一金属层设置于所述衬底基板上,所述第一绝缘层覆盖在所述第一金属层和所述衬底基板上,所述第二金属层位于所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层覆盖在所述第二金属层和所述第一绝缘层上,所述色阻层覆盖在所述第二绝缘层上,其特征在于,所述方法包括:获取第一长线区域的两端,所述第一长线区域包括金属线断线部分;对所述第一长线区域的两端均采用镭射光照射,去除所述色阻层和所述第二绝缘层,露出所述第二金属层,以获得两个第一沟槽,所述第一沟槽的侧壁呈阶梯状;在两个所述第一沟槽中及两个所述第一沟槽之间的所述色阻层上生长第一金属膜,以通过所述第一金属膜将两个所述第一沟槽底部的所述第二金属层连接,完成所述金属线断线部分的连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板断线修补方法,其特征在于,对所述第一长线区域的两端均采用镭射光照射,具体包括:控制镭射光斑的大小和镭射能量,使所述镭射光斑的直径从大到小变化,以去除所述色阻层和所述第二绝缘层,露出所述第二金属层,从而获得所述第一沟槽。3.根据权利要求1所述的阵列基板断线修补方法,其特征在于,对所述第一长线区域的两端均采用镭射光照射,具体包括:设置多个不同直径的环形镭射光栅对所述第一长线区域的两端进行照射,以除去所述色阻层和所述第二绝缘层,露出所述第二金属层,从而获得所述第一沟槽。4.根据权利要求3所述的阵列基板断线修补方法,其特征在于,设置3个不同直径的环形镭射光栅对所述第一长线区域的两端进行照射。5.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板断线修补方法,其特征在于,所述第一金属膜由钨或者钼制成。6.一种阵列基板断线修补...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡建平谢克成
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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