The utility model discloses a multi-layer asymmetric metal clad dielectric waveguide subwavelength structure. The device comprises a He device based on Cd laser, optical shutter, beam expander, half wave plate, beam splitter, plane mirror, prism, refractive index matching oil, substrate and non symmetrical metal cladding optical waveguide. He Cd laser 325nm laser beam through the optical shutter, the beam expander beam expansion, the half wave plate to change the direction of polarization, TM or TE polarized, coherent light by the beam splitter into two beams of equal intensity, light beams through the plane reflector, through the prism coupling after non irradiation symmetrical metal cladding optical waveguide excitation, high order modes in waveguides, high order modes interference field exposure of positive photoresist, the follow-up process, can be prepared by multi-layer subwavelength structures. The utility model can effectively control the layers and cycles of the multi-layer subwavelength structure controlled by the utility model. The utility model has the advantages of low cost, simple operation and high output, and is widely applied in the field of micro nano optics.
【技术实现步骤摘要】
基于非对称金属包覆介质波导的多层亚波长结构刻写装置
本技术属于导模干涉刻写制备微纳结构
,特别涉及基于非对称金属包覆介质波导的多层亚波长结构刻写装置。
技术介绍
微纳结构在物理,材料,医学等领域都具有重要应用。目前制备微纳结构的光刻技术主要包括聚焦离子束光刻、电子束曝光光刻、X射线光刻,极紫外光刻,表面等离子体干涉光刻技术等等。但这些光刻技术都存在一定的不足,主要包括:1、成本高,X射线光刻,极紫外光刻这两种光刻仅所需光源本身的成本就很高昂。电子束曝光光刻设备价格高昂且维护费用高。2、操作复杂,对操作环境要求非常苛刻。聚焦离子束光刻,电子束曝光光刻都是需要真空环境下操作。表面等离子体干涉光刻在实验上只能使用薄光刻胶,而在实验上旋涂薄光刻胶是比较困难的。3、刻写制备的产品多为单层结构,很难实现多层亚波长结构的制备。如,表面等离子体干涉光刻技术,一般只能刻写单层的亚波长光栅结构。
技术实现思路
本技术的目的是提供基于非对称金属包覆介质波导的多层亚波长结构刻写装置,以克服上述光刻技术中的不足,实现多层亚波长结构的刻写,同时降低光刻的成本和操作难度。为实现上述目的,本技术所采用的技术方案是:基于非对称金属包覆介质波导的多层亚波长结构刻写装置,包括He-Cd激光器、光电快门、短焦距透镜、长焦距透镜、半波片、分束器、平面反射镜A、平面反射镜B、棱镜、折射率匹配油、衬底、Al膜和正性光刻胶;所述He-Cd激光器为光源;所述光电快门用于控制是否曝光以及曝光时间;所述短焦距透镜与长焦距透镜组成扩束器;所述折射率匹配油将棱镜与衬底粘结;所述非对称金属包覆介质波导由Al膜、正性光 ...
【技术保护点】
基于非对称金属包覆介质波导的多层亚波长结构刻写装置,其特征在于,包括He‑Cd激光器(1)、光电快门(2)、短焦距透镜(3)、长焦距透镜(4)、半波片(5)、分束器(6)、平面反射镜A(7)、平面反射镜B(8)、棱镜(9)、折射率匹配油(10)、衬底(11)、Al膜(12)和正性光刻胶(13);所述He‑Cd激光器(1)为光源;所述光电快门(2)用于控制是否曝光以及曝光时间;所述短焦距透镜(3)与长焦距透镜(4)组成扩束器;所述折射率匹配油(10)将棱镜(9)与衬底(11)粘结;所述非对称金属包覆介质波导由Al膜(12)、正性光刻胶(13)和空气组成;所述Al膜(12)通过电子束蒸镀到衬底(11)上,所述正性光刻胶(13)通过匀胶法旋涂到Al膜(12)上;激光从所述He‑Cd激光器(1)射出后,经过光电快门(2),之后经过扩束器被扩束,被扩束的光经过可以改变激光偏振方向的半波片(5)后得到激发高阶导模所需的TM或TE偏振光,再经过分束器(6)被分为两束相同强度的相干光,分别通过平面反射镜A(7)、平面反射镜B(8)反射在棱镜(9)上,并通过棱镜(9)耦合后,以激发高阶导模的激发角辐照非 ...
【技术特征摘要】
1.基于非对称金属包覆介质波导的多层亚波长结构刻写装置,其特征在于,包括He-Cd激光器(1)、光电快门(2)、短焦距透镜(3)、长焦距透镜(4)、半波片(5)、分束器(6)、平面反射镜A(7)、平面反射镜B(8)、棱镜(9)、折射率匹配油(10)、衬底(11)、Al膜(12)和正性光刻胶(13);所述He-Cd激光器(1)为光源;所述光电快门(2)用于控制是否曝光以及曝光时间;所述短焦距透镜(3)与长焦距透镜(4)组成扩束器;所述折射率匹配油(10)将棱镜(9)与衬底(11)粘结;所述非对称金属包覆介质波导由Al膜(12)、正性光刻胶(13)和空气组成;所述Al膜(12)通过电子束蒸镀到衬底(11)上,所述正性光刻胶(13)通过匀胶法旋涂到Al膜(12)上;激光从所述He-Cd激光器(1)射出后,经过光电快门(2),之后经过扩束器被扩束,被扩束的光经过可以改变激光偏振方向的半波片(5)后得到激发高阶导模所需的TM或TE偏振光,再经过分束器(6)被分为两束相同强度的相干光,分别通过平面反射镜A(7)、平面反射镜B(8)反射在棱镜(9)上,并通过棱镜(9)耦合后,以激发高阶导模的激发角辐照非对称金属包覆介质波导,从而激发两束方向相反的高阶导模,高阶导模的干涉场曝光正性光刻胶(13),经显影、定影后续工艺处理后,...
【专利技术属性】
技术研发人员:王向贤,王茹,陈宜臻,张东阳,庞志远,杨华,
申请(专利权)人:兰州理工大学,
类型:新型
国别省市:甘肃,62
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