三嗪化合物及发光器件制造技术

技术编号:15715825 阅读:269 留言:0更新日期:2017-06-28 12:52
本发明专利技术涉及一种三嗪化合物,其结构式如式I所示。其中,L为取代或未取代的C

Three triazine compound and light-emitting device

The present invention relates to a three - triazine compound whose structural formula is shown in formula I. Among them, L is a substituted or unsubstituted C

【技术实现步骤摘要】
三嗪化合物及发光器件
本专利技术涉及有机发光材料
,具体涉及一种三嗪化合物及应用该三嗪化合物的发光器件。
技术介绍
有机发光二极管(OLEDs)在大面积平板显示和照明方面的应用引起了工业界和学术界的广泛关注。作为继有机荧光材料和有机磷光材料之后发展的第三代有机发光材料,热激活延迟荧光(TADF)一般具有小的单线态-三线态能级差(ΔEST),三线态激子可以通过反系间穿越转变成单线态激子发光。这可以充分利用电激发下形成的单线态激子和三线态激子,器件的内量子效率可以达到100%。同时,材料结构可控,性质稳定,价格便宜无需贵重金属,在OLEDs领域的应用前景广阔。但现有的TADF材料种类单一,器件的效率较低,无法满足高效有机发光二极管的要求。TADF材料要求具有D-π-A结构。其中D为电子给体(Donor),如芳香胺体系或咔唑体系;A为电子受体(Acceptor),如具有碳氮双键的杂环体系;π为桥连基团,可以为芳香共轭体系,也可以是非芳香共轭体系,也可以为单键,只要能使Donor基团和Acceptor基团进行非共轭的连接。D-π-A结构是化学领域常见的连接方式,但是常见的连接方式中,Donor基团和Acceptor基团是通过共轭的形式进行连接,而TADF中的Donor基团和Acceptor基团是通过非共轭的形式进行连接。虽然TADF材料结构中,连接基团可以为共轭基团,但是可以通过化学结构中固有的位阻效应,使得TADF材料结构中Donor基团和Acceptor基团保持非共轭的连接方式。现有技术中,基于三嗪化合物的TADF材料报道较少。基于三嗪化合物的TADF材料,给电子基团多为咔唑基团和二苯胺基团,且三嗪化合物的分子结构中,含有的芳香胺基团数目通常等于或多于三嗪基团,使得材料的空穴传输性能大于电子传输性能,不利于电荷平衡和载流子传输。因此,需要对三嗪化合物进行设计,以提高载流子迁移率,以提高发光器件的发光效率,延长器件寿命。鉴于此,特提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的第一目的在于提供一种三嗪化合物。本专利技术的第二目的在于提供使用该三嗪化合物的发光器件。为了实现本专利技术的第一目的,所述三嗪化合物的结构式如式I所示:其中,L为取代或未取代的C6~C24亚芳基;n为0或1;Py为取代或未取代的C3~C24的含氮杂环基团或含氮杂环稠合基团;Ac1和Ac2为取代或未取代的C12~C48的含氮杂环稠合基团;Ac1和Ac2可以相同也可以不同;取代基选自卤素原子、氟取代或未取代的C1~C12烷基、氟取代或未取代的C6~C24芳基、氟取代或未取代的C4~C24杂芳基。为了实现本专利技术的第二目的,所述发光器件包括阳极、阴极及设置于所述阳极和所述阴极之间的至少一个有机层,所述有机层包括本专利技术所述的三嗪化合物。本专利技术至少具有以下有益效果:本专利技术提供了一种具有C12~C48含氮杂环基团或含氮杂环稠合基团结构的三嗪化合物,由于12~48个碳原子的含氮杂环基团或含氮杂环稠合基团本身具有相对较大的平面性,因此当两个12~48个碳原子的含氮杂环基团或含氮杂环稠合基团连接到三嗪基团时,空间位阻导致稠环基团与三嗪基团必然形成一定的角度,实现TADF的设计。与现有的咔唑基团或者二苯胺基相比,由于咔唑基团和二苯胺基团的氮原子定位效应,氮原子对位的芳香氢原子相对其他原子较为活泼,制备相应的器件之后,容易在使用过程中与水气、氧气或者杂质反应,导致产品变质,12~48个碳原子的含氮杂环稠合基团由于具有更大的共轭结构,能够使芳香稠环上的氢原子活性更加一致,更加稳定,不容易与水气、氧气或者杂质反应,能够减缓老化变质的速度。在优选的技术方案中,三嗪化合物上连接有吡啶基团,可在保持TADF性能的前提下提高载流子迁移率,使三嗪化合物具有良好的双极性,用于发光器件中能够平衡载流子传输,降低驱动电压,提高发光效率,延长器件寿命。附图说明图1为包含本专利技术的三嗪化合物的发光器件的结构图。具体实施方式下面结合具体实施例,进一步阐述本专利技术。应理解,这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。本专利技术涉及一种三嗪化合物,其结构式如式I所示:其中,L为取代或未取代的C6~C24亚芳基,n为0或1;当n为1时,L两侧分别与三嗪环上的碳和Py连接;当n为0时,Py直接与三嗪环连接;Py为取代或未取代的C3~C24的含氮杂环基团或含氮杂环稠合基团;Ac1和Ac2为取代或未取代的C12~C48的含氮杂环稠合基团;Ac1和Ac2可以相同也可以不同;取代基为卤素原子、氟取代或未取代的C1~C12烷基、氟取代或未取代的C6~C24芳基、氟取代或未取代的C4~C24杂芳基。优选的,Ac1和Ac2为取代或未取代的C14~C48的含氮杂环稠合基团;更优选的,Ac1和Ac2为取代或未取代的C18~C48的含氮杂环稠合基团。本专利技术提供了一种具有稠环结构的三嗪化合物。在三嗪环上连接有C12~C48的含氮杂环稠合基团,稠合指多个芳香环共边,因此具有更大的共轭结构。与现有的咔唑基团或者二苯胺基相比,由于咔唑基团和二苯胺基团的氮原子定位效应,氮原子对位的芳香氢原子相对其他原子较为活泼,制备相应的器件之后,容易在使用过程中与水气、氧气或者杂质反应,导致产品变质,本专利技术的稠环基团由于具有更大的共轭结构,能够使芳香稠环上的氢原子活性更加一致,更加稳定,不容易与水气、氧气或者杂质反应,能够减缓老化变质的速度。作为本专利技术三嗪化合物的一种改进,,Ac1和Ac2选自式II、式III、式IV或式V所示的结构:其中,R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29均各自独立地选自氢原子、卤素原子、取代或未取代的C1~C12烷基、取代或未取代的C6~C24芳基,取代或未取代的C3~C24杂芳基,取代基为卤素原子或卤素取代的烷基;R30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39均各自独立地选自氢原子、卤素原子、取代或未取代的C1~C12烷基、取代或未取代的C6~C24芳基,取代或未取代的C3~C24杂芳基,取代基为卤素原子或卤素取代的烷基;R41、R42、R43、R44均各自独立地选自氢原子、卤素原子、取代或未取代的C1~C12烷基、取代或未取代的C6~C24芳基,取代或未取代的C3~C24杂芳基,取代基为卤素原子或卤素取代的烷基;A、B、C、D、E各自独立地表示苯环、呋喃环、吡啶环、嘧啶环、吡嗪环、哒嗪环、噻吩环或吡咯环;A、B、C、D、E所示的环结构分别与相邻的环在任意位置稠合;p、q、r、s、t各自独立地为1至4的整数;当p为2以上的整数时,多个环结构A可以相同也可以不同;当q为2以上的整数时,多个环结构B可以相同也可以不同;当r为2以上的整数时,多个环结构C可以相同也可以不同;当s为2以上的整数时,多个环结构D可以相同也可以不同;当t为2以上的整数时,多个环结构E可以相同也可以不同。作为本专利技术三嗪化合物的一种改进,Ac1和Ac2选自以下结构式所示的结构:作为本专利技术三嗪化合物的一种改进,Ac1和Ac2相同。当Ac1和Ac2相同时,不仅使本专利技术的化合物的合成步骤减少,更便于制备,而且对称结构的化合物合成时不会产生非对称化合物,提纯方便,而非对称化合物合成时容易引入对称本文档来自技高网
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三嗪化合物及发光器件

【技术保护点】
一种三嗪化合物,其特征在于,其结构式如式I所示:

【技术特征摘要】
1.一种三嗪化合物,其特征在于,其结构式如式I所示:其中,L为取代或未取代的C6~C24亚芳基;n为0或1;Py为取代或未取代的C3~C24的含氮杂环基团或含氮杂环稠合基团;Ac1和Ac2为取代或未取代的C12~C48的含氮杂环稠合基团;Ac1和Ac2可以相同也可以不同;取代基选自卤素原子、氟取代或未取代的C1~C12烷基、氟取代或未取代的C6~C24芳基、氟取代或未取代的C4~C24杂芳基。2.根据权利要求1所述的三嗪化合物,其特征在于,所述L选自以下所示的结构:3.根据权利要求1所述的三嗪化合物,其特征在于,所述Py选自取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的苯并吡啶基、取代或未取代的苯并吡啶基、取代或未取代的苯并吡嗪基、取代或未取代的苯并三嗪基、取代或未取代的苯并三唑基、取代或未取代的苯并咪唑基,取代基为卤素原子、氟取代或未取代的C1~C12烷基、氟取代或未取代的C6~C24芳基、氟取代或未取代的C4~C24杂芳基。4.根据权利要求3所述的三嗪化合物,其特征在于,所述Py为吡啶基、甲基吡啶基、三氟甲基吡啶基、苯基吡啶基、吡啶吡啶基。5.根据权利要求1所述的三嗪化合物,其特征在于,Ac1和Ac2选自式II、式III、式IV或式V所示的结构:其中,R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29均各自独立地选自氢原子、卤素原子、取代或未取代的C1~C12烷基、取代或未取代的C6~C24芳基,取代或未取代的C3~C24杂芳基,取代基为卤素原子或卤素取代的烷基;R30、...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄达马腾达谢再锋曹辰辉
申请(专利权)人:瑞声光电科技常州有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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