一种采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法技术

本发明专利技术公开了一种采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法，包括如下步骤：(1)种子萌发；(2)圆球茎培养；(3)小苗培养；(4)霍山石斛优质试管苗的获得。本发明专利技术的优点在于：通过自制的基于电致变色玻璃的智能温室大棚，可以整体或分段调节温室大棚内部红、蓝光波的辐射比率和辐射强度，满足霍山石斛在不同阶段的生长发育对光质的需求，促进植物生长发育，提高产品品质，从而提供了一种操作简单、管理方便、产品品质高的霍山石斛组培苗培养方法。

Method for culturing tissue culture seedling of Mount Holyoke Dendrobium using natural light source tissue culture room

The invention discloses a method for culturing Dendrobium plantlets Mount Holyoke with a natural light culture chamber, which comprises the following steps: (1) (2) seed germination; protocorm culture; seedling culture; (3) (4) to obtain high quality plantlets of Dendrobium Mount Holyoke. The invention has the advantages that: through the intelligent greenhouse glass based on self-made, can adjust the radiation ratio of overall or segmented and the radiation intensity of greenhouse inside the red, Lan Guangbo, meet Mount Holyoke Dendrobium in different stages of growth and development of quality requirements, promote plant growth, improve the quality of the products, to provide methods cultured plantlets of Dendrobium Mount Holyoke a simple operation, convenient management and high product quality.

【技术实现步骤摘要】
一种采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法
本专利技术涉及霍山石斛组培苗培养方法，尤其涉及一种采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法。
技术介绍
石斛属兰科多年生草本植物。霍山石斛俗称“米斛”，主要分布在安徽西南部的霍山，因其所含的生物碱、粗多糖、氨基酸、微量元素等成分具有强肾益精、厚肠胃、抑制肿瘤细胞、降血糖、增强免疫力、缓解体力疲劳等功效，一直被视为九大“仙草”之首。霍山石斛组培苗多于组培室中进行培养，然而，传统的组培室多是针对植物生长所需的“光强”和“光周期”进行调节，缺少“光质”这一重要因素。众所周知，植物的生长和光照密切相关，而光照具体包括“光强”、“光周期”和“光质”三个因素，缺一不可。光质，即光源所含的辐射波长范围，自然光源是全光谱光源，而植物光合作用主要为波长为610-720nm时的红橙光和波长为400-510nm时的蓝紫光。蓝紫色光有助于植物光合作用能促进绿叶体生长，蛋白质合成，果实形成，红橙色光能促进植物糖类的积累，能促进根茎生长，有助于开花结果和延长花期，起到增加产量作用，即不同的生长发育时期需要不同的红、蓝光波的辐射比率和辐射强度。因此，目前急需一种能协同调控光强、光周期和光质，从而满足霍山石斛不同生长发育时期需求的组培室。电致变色玻璃是一种可以通过电流控制色泽深度可逆变化的玻璃，变色材料涂在玻璃表面或夹层内，变色材料一般为单色，如红色、蓝色、绿色，在施加电压的情况下材料会快速改变透明度和颜色深度，一旦玻璃由浅变深(或反过来)，这种玻璃系统就不再需要电能来保持新状态，仅在状态转变过程中消耗电力。于是，本专利技术便从电致变色玻璃出发，自制了一种结构简单、操作方便，既能满足植物不同生长发育时期对光照的需求，又能保证电量耗损低的自然光源组培室，并据此研究出了一种操作简单、管理方便、产品品质高的采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种操作简单、管理方便、产品品质高的霍山石斛组培苗培养方法。本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法，包括如下步骤：(1)种子萌发①配制种子萌发培养基，完成后装入培养瓶中灭菌消毒待用；②取霍山石斛果实，用70-75％乙醇溶液消毒0.5-1.5分钟，再用0.1％的升汞溶液浸泡10-20分钟，然后用无菌水清洗浸泡2-4次，捞出放在无菌滤纸上，切开果实，把粉末状种子抖落至种子萌发培养基上进行接种；③将完成接种的培养基置于自然光源组培室中，调控自然光源组培室内的红、蓝光辐射比率为2.5-2.0，光照强度500-800lux，再按照光照时间8-10小时/天，日间平均温度21-23℃，昼夜温差3-5℃的培养条件培养，培养25-35天，形成的圆球茎；(2)圆球茎培养①配制圆球茎生长培养基，完成后装入培养瓶中灭菌消毒待用；②将形成的圆球茎转移到圆球茎生长培养基上，调控自然光源组培室内的红、蓝光辐射比率为2.0-1.5，光照强度2000-3000lux，再按照光照时间10-12小时/天，日间平均温度21-23℃，昼夜温差3-5℃的培养条件培养，55-65天后分化成具有芽和根的小苗；(3)小苗培养①配制种苗生长培养基，完成后装入培养瓶中灭菌消毒待用；②将长成l-2cm的试管小苗转移到种苗生长培养基上，调控自然光源组培室内的红、蓝光辐射比率为1.5-1.0，光照强度3000-5000lux，再按照光照时间10-13小时/天，日间平均温度21-23℃，昼夜温差7-8℃的培养条件培养，培养70-90天后，试管苗可达到霍山石斛优质试管苗的标准。作为本专利技术的优选方式之一，所述步骤(1)中种子萌发培养基为MS培养基，配方为：每升培养基含白砂糖50g，琼脂4.5g，pH值6-6.2；所述步骤(2)中圆球茎生长培养基为添加有土豆的MS培养基，配方为：每升培养基含土豆100g，白砂糖40g，琼脂4.5g，pH值6-6.2；所述步骤(3)中种苗生长培养基为添加有香蕉的1/2MS培养基，配方为：每升培养基含香蕉75g，白砂糖30g，琼脂4.5g，pH值6-6.2。作为本专利技术的优选方式之一，所述步骤(3)中霍山石斛优质试管苗的标准为：茎高4cm以上，叶片5片以上，叶色深绿，茎粗0.3cm以上，有3条以上正常发育根的霍山石斛试管苗。作为本专利技术的优选方式之一，所述培养基的灭菌消毒方式均为高压蒸汽灭菌锅灭菌。作为本专利技术的优选方式之一，所述自然光源组培室为自制的基于电致变色玻璃的智能温室大棚，所述红、蓝光辐射比率、光照强度、光照时间均通过自制的基于电致变色玻璃的智能温室大棚进行控制调整。作为本专利技术的优选方式之一，所述自制的基于电致变色玻璃的智能温室大棚包括温室大棚和光照调控系统；所述温室大棚的棚顶及四周设有电致变色玻璃，电致变色玻璃的控制端连接至光照调控系统；所述光照调控系统包括控制系统、蓄电池和设置于温室大棚的四周及植株旁的光敏传感器，控制系统上设有电源输入端、电源输出端和数据采集端，控制系统通过电源输入端、电源输出端和数据采集端分别与蓄电池、电致变色玻璃、光敏传感器相连；所述电致变色玻璃的表面设有变色涂料层，所述变色涂料层具体为两种相间而设的变色涂料层，分别为红色变色涂料层、蓝色变色涂料层；所述红色变色涂料层、蓝色变色涂料层呈格子状或条状相间设置于电致变色玻璃的表面。作为本专利技术的优选方式之一，所述变色涂料层包括变色载体层和镶嵌于其内部的呈色物质层，其中，变色载体层为石墨烯制载体层或纳米碳制载体层，呈色物质层为金属盐层；所述红色变色涂料层的金属盐层具体为酞菁红金属盐层，蓝色变色涂料层的金属盐层具体为紫罗精金属盐层或酞菁蓝金属盐层。作为本专利技术的优选方式之一，所述温室大棚内设有控制室，控制室内设有控制系统；所述控制系统上还设有液晶显示器、光照强度调节按钮和电源开关按钮。作为本专利技术的优选方式之一，所述温室大棚内还设有反光装置和组培架；所述反光装置悬挂于温室大棚的棚顶，具体为多组并列而设的成串反光球，各组成串反光球之间交错而设；所述组培架位于温室大棚底面之上，且设置于反光装置之间。作为本专利技术的优选方式之一，所述温室大棚内还设有无菌送风装置；所述无菌送风装置至少为两个，分别设于温室大棚的对角处，无菌送风装置上还设有初效过滤板和高效过滤板；所述初效过滤板和高效过滤板具体为两个具有不同过滤孔径的过滤板。本专利技术相比现有技术的优点在于：(1)整个霍山石斛组培苗培养过程中，对其各阶段成长所需光照条件(红、蓝光辐射比率、光照强度、光照时间等)进行了选择和限定，为获得最高质量的霍山石斛试管苗提供了基础；(2)霍山石斛组培苗培养过程采用自制的基于电致变色玻璃的智能温室大棚便可对光照进行直接调整，简单、方便；(3)通过自制的基于电致变色玻璃的智能温室大棚，可以整体或分段调节温室大棚内部红、蓝光波的辐射比率和辐射强度，满足霍山石斛在不同阶段的生长发育对光质的需求，促进植物生长发育，提高产品品质；(4)成串反光球的设计使整个智能温室大棚内光源反光更均匀、充分，更利于组培架上的霍山石斛组培苗对光源的吸收。附图说明图1是实施例1-3中的采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法的步骤示意图；图2是实施例1中的自制的基于电致变色玻璃的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)种子萌发①配制种子萌发培养基，完成后装入培养瓶中灭菌消毒待用；②取霍山石斛果实，用70‑75％乙醇溶液消毒0.5‑1.5分钟，再用0.1％的升汞溶液浸泡10‑20分钟，然后用无菌水清洗浸泡2‑4次，捞出放在无菌滤纸上，切开果实，把粉末状种子抖落至种子萌发培养基上进行接种；③将完成接种的培养基置于自然光源组培室中，调控自然光源组培室内的红、蓝光辐射比率为2.5‑2.0，光照强度500‑800lux，再按照光照时间8‑10小时/天，日间平均温度21‑23℃，昼夜温差3‑5℃的培养条件培养，培养25‑35天，形成的圆球茎；(2)圆球茎培养①配制圆球茎生长培养基，完成后装入培养瓶中灭菌消毒待用；②将形成的圆球茎转移到圆球茎生长培养基上，调控自然光源组培室内的红、蓝光辐射比率为2.0‑1.5，光照强度2000‑3000lux，再按照光照时间10‑12小时/天，日间平均温度21‑23℃，昼夜温差3‑5℃的培养条件培养，55‑65天后分化成具有芽和根的小苗；(3)小苗培养①配制种苗生长培养基，完成后装入培养瓶中灭菌消毒待用；②将长成l‑2cm的试管小苗转移到种苗生长培养基上，调控自然光源组培室内的红、蓝光辐射比率为1.5‑1.0，光照强度3000‑5000lux，再按照光照时间10‑13小时/天，日间平均温度21‑23℃，昼夜温差7‑8℃的培养条件培养，培养70‑90天后，试管苗可达到霍山石斛优质试管苗的标准。...

【技术特征摘要】
1.一种采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)种子萌发①配制种子萌发培养基，完成后装入培养瓶中灭菌消毒待用；②取霍山石斛果实，用70-75％乙醇溶液消毒0.5-1.5分钟，再用0.1％的升汞溶液浸泡10-20分钟，然后用无菌水清洗浸泡2-4次，捞出放在无菌滤纸上，切开果实，把粉末状种子抖落至种子萌发培养基上进行接种；③将完成接种的培养基置于自然光源组培室中，调控自然光源组培室内的红、蓝光辐射比率为2.5-2.0，光照强度500-800lux，再按照光照时间8-10小时/天，日间平均温度21-23℃，昼夜温差3-5℃的培养条件培养，培养25-35天，形成的圆球茎；(2)圆球茎培养①配制圆球茎生长培养基，完成后装入培养瓶中灭菌消毒待用；②将形成的圆球茎转移到圆球茎生长培养基上，调控自然光源组培室内的红、蓝光辐射比率为2.0-1.5，光照强度2000-3000lux，再按照光照时间10-12小时/天，日间平均温度21-23℃，昼夜温差3-5℃的培养条件培养，55-65天后分化成具有芽和根的小苗；(3)小苗培养①配制种苗生长培养基，完成后装入培养瓶中灭菌消毒待用；②将长成l-2cm的试管小苗转移到种苗生长培养基上，调控自然光源组培室内的红、蓝光辐射比率为1.5-1.0，光照强度3000-5000lux，再按照光照时间10-13小时/天，日间平均温度21-23℃，昼夜温差7-8℃的培养条件培养，培养70-90天后，试管苗可达到霍山石斛优质试管苗的标准。2.根据权利要求1所述的采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法，其特征在于，所述步骤(1)中种子萌发培养基为MS培养基，配方为：每升培养基含白砂糖50g，琼脂4.5g，pH值6-6.2；所述步骤(2)中圆球茎生长培养基为添加有土豆的MS培养基，配方为：每升培养基含土豆100g，白砂糖40g，琼脂4.5g，pH值6-6.2；所述步骤(3)中种苗生长培养基为添加有香蕉的1/2MS培养基，配方为：每升培养基含香蕉75g，白砂糖30g，琼脂4.5g，pH值6-6.2。3.根据权利要求1所述的采用自然光源组培室的霍山石斛组培苗培养方法，其特征在于，所述步骤(3)中霍山石斛优质试管苗的标准为：茎高4cm以上，叶片5片以上，叶色深绿，茎粗0.3cm以上，有3条以上正常发育根的霍山石斛试管苗。4.根据权利要求1所述的采用自然光源组...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓辉，陈乃富，韦传宝，孙立，王寅嵩，
申请(专利权)人：皖西学院，
类型：发明
国别省市：安徽,34