一种尖叶盆距兰的组培快繁方法技术

技术编号:15707971 阅读:160 留言:0更新日期:2017-06-27 18:39
本发明专利技术公开了一种尖叶盆距兰的组培快繁方法;属于植物组织培养领域;旨在通过诱导、增殖、分化、炼苗移栽等步骤成功获得了健壮的尖叶盆距兰试管苗,建立尖叶盆距兰组培快速繁殖技术体系;该组培快繁方法依次进行的类原球茎的诱导步骤、增殖步骤和分化培养步骤;所述的类原球茎的诱导步骤为将外植体的芽点接种到诱导培养基中进行培养,诱导形成类原球茎;其中,所述的诱导培养基包括:1/2MS、0.1~1.0mg/L玉米素、0.1~0.5mg/L吲哚丁酸、15~30g/L蔗糖、3.5~6.0g/L琼脂、50~100ml/L椰子汁,所述的诱导培养基的pH为5.4~5.8;本发明专利技术用于尖叶盆距兰的组织培养。

Tissue culture and rapid propagation method for tip leaf basin orchid

The invention discloses a sharp leaf basin from the orchid micropropagation method; belongs to the field of plant tissue culture; to induce the proliferation and differentiation, transplanting and so steps through the success of the robust hedysaroides basin from Aram plantlets, establish the tip of leaf basin from Aram tissue culture and rapid propagation technology system; induction procedure the proliferation and differentiation of the original class, steps in the method of rapid propagation of corm tissue culture steps; induced by the steps of the original kind of corm for explant buds inoculated into induction medium, induced the formation of protocorm like bodies; wherein, the induction medium including: 1/2MS, 0.1 zeatin, ~ 1.0mg/L 0.1 ~ 0.5mg/L 15 ~ 30g/L indole butyric acid, sucrose, agar, 3.5 ~ 6.0g/L, 50 ~ 100ml/L coconut juice, the induction medium pH was 5.4 ~ 5.8; the invention is used for training the tip of leaf basin from Aram organization .

【技术实现步骤摘要】
一种尖叶盆距兰的组培快繁方法
本专利技术涉及植物组织培养领域,尤其涉及一种尖叶盆距兰的组培快繁方法。
技术介绍
尖叶盆距兰(Gastrochilusacutifolius(Lindley)Kuntze.)为兰科盆距兰属的一种气生兰,主要分布于尼泊尔、锡金、不丹、印度东北部、缅甸、老挝、越南、泰国等国,我国仅云南南部有分布,主要生长于海拔800~1400米的山地林缘树干上。尖叶盆距兰伞形花序,萼片和花瓣黄色带紫褐色斑点,边缘具不整齐的流苏,带有香气,具有较高的园艺价值。此外,在云南思茅地地区,尖叶盆距兰被用于淋巴结核、月经不调、跌打损伤、肾炎水肿、呃逆、胃痛等疾病的治疗。尖叶盆距兰为距盆兰属稀少种,其分布狭窄,由于过度的采摘以及生境地的破坏,使其处于濒危状态,因此对其人工繁殖并进行野外回归刻不容缓。目前,国内外尚未有尖叶盆距兰组织培养技术研究的报道,也未有尖叶盆距兰组织培养技术专利的申请。
技术实现思路
针对上述技术的不足,本专利技术提供了一种尖叶盆距兰的组培快繁方法,目的在于通过诱导、增殖、分化、炼苗移栽等步骤成功获得了健壮的尖叶盆距兰试管苗,建立尖叶盆距兰组培快速繁殖技术体系。为了实现上述技术效果,本专利技术的技术方案是这样的:一种尖叶盆距兰的组培快繁方法,所述的方法包括依次进行的类原球茎的诱导步骤、增殖步骤和分化培养步骤;所述的类原球茎的诱导步骤为将外植体的芽点接种到诱导培养基中进行培养,诱导形成类原球茎;其中,所述的诱导培养基包括:1/2MS、0.1~1.0mg/L玉米素、0.1~0.5mg/L吲哚丁酸、15~30g/L蔗糖、3.5~6.0g/L琼脂、50~100ml/L椰子汁,所述的诱导培养基的pH为5.4~5.8。需要说明的是,所述的增殖步骤为将诱导形成的类原球茎接种到增殖培养基中进行培养;其中,所述的增殖培养基包括:MS、0.1~1.0mg/L6-苄氨基腺嘌呤、0.1~0.5mg/L萘乙酸、15~30g/L蔗糖、3.5~6.0g/L琼脂、0.1~0.3g/L活性炭,所述的增殖培养基的pH为5.4~5.8。需要说明的是,所述的分化培养步骤为将增殖所得的类原球茎接种到分化培养基中进行培养,分化出试管小苗;其中,所述的分化培养基包括:1/2MS、1.0~1.5mg/L萘乙酸、15~30g/L蔗糖、3.5~6.0g/L琼脂、0.05~0.1g/L活性炭,所述的分化培养基的pH为5.4~5.8。需要说明的是,所述的分化步骤之后还包括炼苗和移栽步骤,即将分化所得的试管小苗进行炼苗并移栽至混合基质中,即可得尖叶盆距兰种苗;其中,所述的混合基质为:体积比为1:1的树皮和兰石。需要说明的是,所述的诱导培养温度为25~28℃,诱导培养时间为90~120天。需要说明的是,所述的增殖步骤的培养条件为:培养时间为20~30天,培养温度为25~28℃,光照强度为1500~2000lx,光照时间为12~14小时/天。需要说明的是,所述的分化步骤的培养条件为:培养温度为25~28℃,光照强度为1500~2000lx,光照时间为12~14小时/天,培养时间为40~60天。需要说明的是,所述的炼苗和移栽步骤的炼苗时间为1~3天。需要说明的是,所述的类原球茎的诱导步骤之前还包括外植体采集步骤。需要说明的是,所述的类原球茎的诱导步骤为:将外植体经清水冲洗、升汞消毒、无菌水漂洗后接种到诱导培养基中培养90~120天即可诱导形成类原球茎。本专利技术的有益效果为:1、本专利技术通过诱导、增殖、分化、炼苗移栽等步骤成功获得了健壮的尖叶盆距兰试管苗,建立尖叶盆距兰组培快速繁殖技术体系;2、通过本专利技术的方法获得的尖叶盆距兰种苗的存活率可达90%以上。具体实施方式下面结合具体实施方式,对本专利技术的权利要求书作进一步的详细说明,但不构成对本专利技术的任何限制,任何在对本专利技术做有限次修改可获得的技术方案仍然属于本专利技术所要保护的范围。实施例1(1)外植体采集:2013年秋季将采集于云南思茅的野生尖叶盆距兰移种到温室大棚中,2014春季当新芽萌动时,用解剖刀小心切取叶鞘未打开的新生营养芽,用湿润的白纱布包裹保水处理后迅速带回实验室并及时实验;(2)类原球茎的诱导:将步骤(1)的外植体在自来水下冲洗30分钟后剥去外面的叶鞘至仅剩下最后两层叶鞘;并置于超净工作台中于0.1%的升汞溶液中消毒20分钟,无菌水冲洗2次后剥去一层叶鞘;再置于0.1%的升汞溶液中消毒5分钟,用无菌水漂洗3次后剥去最后一层叶鞘;并迅速置于0.1%的升汞溶液中消毒1分钟、经无菌水漂洗5次后用无菌滤纸吸干外植体表面的水分,用无菌解剖刀将外植体纵向切成0.3~0.5cm左右的芽点并接种到诱导培养基中暗培养90天,培养温度为25℃,即可诱导形成类原球茎,诱导率达75.3%,污染率低至10%以下;所述的诱导培养基为:1/2MS+1.0mg/L玉米素+0.5mg/L吲哚丁酸+15g/L蔗糖+3.5g/L琼脂+50ml/L椰子汁,pH为5.4;(3)类原球茎的增殖:将步骤(2)所得的类原球茎用无菌镊子捣散并接种到增殖培养基中培养20天,培养温度为25℃,光照强度为1500lx,光照时间为12小时/天,即可得到大量的类原球茎,增殖系数达到5.1;所述的增殖培养基为:MS+1.0mg/L6-苄氨基腺嘌呤+0.5mg/L萘乙酸+15g/L蔗糖+3.5g/L琼脂+0.1g/L活性炭,pH为5.4;(4)分化培养:将步骤(3)所得的类原球接种到分化培养基中培养40天,培养温度为25℃,光照强度为1500lx,光照时间为12小时/天,即能分化出试管小苗,分化率达到87.4%;所述的分化培养基为:1/2MS+1.5mg/L萘乙酸+15g/L蔗糖+3.5g/L琼脂+0.05g/L活性炭,pH为5.4;(5)炼苗和移栽:将步骤(4)所得健壮的、高约6~9cm的试管瓶苗在温室的自然光下打开组培瓶盖子炼苗1天,洗净根部的培养基后在温室的自然光放置至根系发白,在体积比为1:1树皮和兰石混合基质中栽培成苗即得尖叶盆距兰种苗,移栽30天后成活率达到90%。实施例2(1)外植体采集:2015春季将采自云南西双版纳的野生尖叶盆距兰移种到温室大棚中,当新芽萌动时,用解剖刀小心切取叶鞘未打开的新生营养芽,用湿润的白纱布包裹保水处理后迅速带回实验室并及时实验;(2)类原球茎的诱导:将外植体在自来水下冲洗50分钟后剥去外面的叶鞘至仅剩下最后两层叶鞘;并置于超净工作台中于0.1%的升汞溶液中消毒26分钟,无菌水冲洗3次后剥去一层叶鞘;再置于0.1%的升汞溶液中消毒8分钟,用无菌水漂洗4次后剥去最后一层叶鞘;并迅速置于0.1%的升汞溶液中消毒2分钟、经无菌水漂洗6次后用无菌滤纸吸干外植体表面的水分,用无菌解剖刀将外植体纵向切成0.3~0.5cm左右的芽点并接种到诱导培养基中暗培养105天,培养温度为27℃,即可诱导形成类原球茎,诱导率达82.9%,污染率低于6.5%;所述的诱导培养基为:1/2MS+0.5mg/L玉米素+0.3mg/L吲哚丁酸+22g/L蔗糖+4.0g/L琼脂+80ml/L椰子汁,pH为5.6;(3)类原球茎的增殖:将步骤(2)所得的类原球茎用无菌镊子捣散并接种到增殖培养基中培养25天,培养温度为27℃,光照强度为1700lx,光照时间为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种尖叶盆距兰的组培快繁方法,所述的方法包括依次进行的类原球茎的诱导步骤、增殖步骤和分化培养步骤;其特征在于,所述的类原球茎的诱导步骤为将外植体的芽点接种到诱导培养基中进行培养,诱导形成类原球茎;其中,所述的诱导培养基包括:1/2MS、0.1~1.0mg/L玉米素、0.1~0.5mg/L吲哚丁酸、15~30g/L蔗糖、3.5~6.0g/L琼脂、50~100ml/L椰子汁,所述的诱导培养基的pH为5.4~5.8。

【技术特征摘要】
1.一种尖叶盆距兰的组培快繁方法,所述的方法包括依次进行的类原球茎的诱导步骤、增殖步骤和分化培养步骤;其特征在于,所述的类原球茎的诱导步骤为将外植体的芽点接种到诱导培养基中进行培养,诱导形成类原球茎;其中,所述的诱导培养基包括:1/2MS、0.1~1.0mg/L玉米素、0.1~0.5mg/L吲哚丁酸、15~30g/L蔗糖、3.5~6.0g/L琼脂、50~100ml/L椰子汁,所述的诱导培养基的pH为5.4~5.8。2.根据权利要求1所述的尖叶盆距兰的组培快繁方法,其特征在于,所述的增殖步骤为将诱导形成的类原球茎接种到增殖培养基中进行培养;其中,所述的增殖培养基包括:MS、0.1~1.0mg/L6-苄氨基腺嘌呤、0.1~0.5mg/L萘乙酸、15~30g/L蔗糖、3.5~6.0g/L琼脂、0.1~0.3g/L活性炭,所述的增殖培养基的pH为5.4~5.8。3.根据权利要求1所述的尖叶盆距兰的组培快繁方法,其特征在于,所述的分化培养步骤为将增殖所得的类原球茎接种到分化培养基中进行培养,分化出试管小苗;其中,所述的分化培养基包括:1/2MS、1.0~1.5mg/L萘乙酸、15~30g/L蔗糖、3.5~6.0g/L琼脂、0.05~0.1g/L活性炭,所述的分化培养基的pH为5.4~5.8。4.根据权利要求3所述的尖叶盆距...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁钧淞杨业容韦敏
申请(专利权)人:玉林师范学院
类型:发明
国别省市:广西,45

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