电路板和使用该电路板的半导体发光器件封装件制造技术

技术编号:15705825 阅读:231 留言:0更新日期:2017-06-26 15:58
本发明专利技术提供了一种半导体发光器件封装件和一种用于安装半导体发光器件的电路板。所述半导体发光器件封装件包括:包括多个电极的半导体发光器件;包括安装区的电路板,半导体发光器件位于电路板的安装区上;以及电路板上的多个电极焊盘,所述多个电极焊盘电连接至所述多个电极,其中,所述多个电极焊盘中的每一个包括第一区和第二区,第一区与安装区重叠,并且第二区是除第一区以外的区,并且其中所述多个电极焊盘按照围绕安装区的枢轴点旋转对称的形状排列。

Circuit board and semiconductor light emitting device package using the circuit board

The present invention provides a semiconductor light emitting device package and a circuit board for mounting a semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device package includes a semiconductor light emitting device includes a plurality of electrodes; including circuit board mounting area, the installation area of semiconductor light emitting devices located on the circuit board; the circuit board and a plurality of electrode pads, a plurality of electrode pads electrically connected to the plurality of electrodes, wherein and the plurality of electrode pads each include a first region and a second region, the first region and overlapping installation area and the second area is in addition to the first area outside the region, and wherein a plurality of electrode pads are arranged according to the pivot point around the installation area of rotationally symmetric shape.

【技术实现步骤摘要】
电路板和使用该电路板的半导体发光器件封装件相关申请的交叉引用以引用方式将2015年12月16日在韩国知识产权局提交的标题为“用于安装半导体发光器件的电路板和使用该电路板的半导体发光器件封装件”的韩国专利申请No.10-2015-0179906的全文并入本文中。
本公开涉及用于在其上安装半导体发光器件的电路板并且涉及使用该电路板的半导体发光器件封装件。
技术介绍
用于在其上安装发光装置的电路板的作用是根据预定设计容易地连接各种电子产品的器件,并且其广泛地用于从例如数字电视(TV)的家用电器至高级电信设备的各种电子产品中。然而,安装在电路板上的例如半导体发光器件的电子装置会由于当键合至电路板时所需的高键合温度而具有键合限制。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种安装在电路板上的半导体发光器件并且提供一种利用所述半导体发光器件的半导体发光器件封装件,该半导体发光器件由于减少的缺陷而具有提高的产品可靠性,例如,所述缺陷由施加至半导体发光器件的热应力和由在键合过程中键合材料的量不平衡所导致。根据本公开的一方面的半导体发光器件封装件可包括:包括多个电极的半导体发光器件;以及电路板,其具有在其上布置分别电连接至所述多个电极的多个电极焊盘的表面。所述多个电极焊盘中的每一个可包括第一区和除第一区以外的第二区,第一区与其中安装有半导体发光器件的区重叠,并且所述多个电极焊盘可按照围绕其中安装有半导体发光器件的区的枢轴点旋转对称的形状布置。根据本公开的另一方面的半导体发光器件封装件可包括:电路板,其具有一表面,该表面上布置分别由具有不同组成的材料形成的第一区和第二区的多个电极焊盘;以及安装在所述多个电极焊盘的第一区中的半导体发光器件。所述多个电极焊盘可按照围绕其中安装有半导体发光器件的区的枢轴点旋转对称的形状布置。根据本公开的另一方面的用于安装半导体发光器件的电路板可包括:底部衬底,其具有彼此相对的第一表面和第二表面;以及多个电极焊盘,其布置在底部衬底的第一表面上。当从底部衬底上方观看时,所述多个电极焊盘可按照围绕底部衬底的中心区旋转对称的形状布置。根据本公开的另一方面的半导体发光器件封装件可包括:包括多个电极的半导体发光器件;电路板,半导体发光器件位于该电路板上;以及电路板上的多个电极焊盘,所述多个电极焊盘分别电连接至半导体发光器件的所述多个电极,其中,所述多个电极焊盘中的每一个包括第一区和第二区,第一区和第二区包括不同的材料层,并且半导体发光器件仅与电极焊盘中的每一个的第一区和第二区当中的第一区重叠。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例,特征将对于本领域普通技术人员变得清楚,其中:图1示出了根据本公开的示例实施例的半导体发光器件封装件的透视图;图2示出了沿着图1所示的半导体发光器件的线I-I'截取的剖视图;图3示出了图1所示的半导体发光器件封装件的分解透视图;图4示出了从上方观看的图3所示的电路板的示图;图5示出了在图1所示的半导体发光器件封装件中采用的半导体发光器件的剖视图;图6示出了图3中的电路板的另一示例实施例;图7示出了图3中的电路板的另一示例实施例;图8至图12示出了制造图1所示的半导体发光器件封装件的过程中的操作的示图;图13示出了根据本公开的示例实施例的包括通信模块的灯(照明装置)的示意性分解透视图;以及图14示出了根据本公开的示例实施例的照明装置中的杆式灯的示意性分解透视图。具体实施方式下文中,将参照附图如下描述本公开的实施例。在本公开的示例实施例的描述中,使用由三组整数表示的米勒指数作为描述晶体平面或晶体方向的符号。相对于晶体轴线具有相同的相对对称性的多个平面和方向在晶体术语上是等效的。另外,具有给定米勒指数的平面和方向可仅通过选择晶胞的位置和取向的方法在晶格内运动。可将等效平面和方向标记为单个族群。此外,只要不存在不同的描述,族群(例如,属于晶面{100}的单个平面)的描述都可以等同地应用于三个等效平面(100)、(010)和(001)。图1是根据本公开的示例实施例的半导体发光器件封装件的透视图,并且图2是沿着图1所示的半导体发光器件封装件的线I-I'截取的剖视图。图3是图1所示的半导体发光器件封装件的分解透视图,并且图4是从顶视图观看的图3所示的电路板的示图。图5是在图1所示的半导体发光器件封装件中采用的半导体发光器件的剖视图。参照图1和图2,根据本公开的示例实施例的半导体发光器件封装件10可包括:半导体发光器件200,其上设有多个电极271和281;以及电路板100,其上安装有半导体发光器件200。另外,半导体发光器件封装件10还可包括将半导体发光器件200键合在电路板100上的键合材料S。参照图5,半导体发光器件200可包括:透光衬底210,其具有第一表面B和与第一表面B相对的第二表面C;发光结构230,其布置在透光衬底210的第一表面B上;以及第一电极270和第二电极280,其分别连接至发光结构230。透光衬底210可为用于半导体生长的衬底,包括诸如蓝宝石、SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2、GaN等材料。在这种情况下,蓝宝石是具有六方-菱形(Hexa-Rhombo)R3c对称性的晶体,在c轴和a轴的方向上分别具有和的晶格常数,并且包括C面(0001)、A面(11-20)、R面(1-102)等。在这种情况下,由于氮化物薄膜可相对容易地在C面上生长,并且C面在相对高温下稳定,因此C面通常用作氮化物生长衬底。透光衬底210可包括彼此相对的表面,并且可在所述相对的表面中的至少一个上形成不平结构。可通过蚀刻透光衬底210的一部分或者通过形成与透光衬底210不同的异性材料层来提供不平结构。如图5所示,在这样一种情况下,其中在透光衬底210的设为发光结构230的生长表面的第一表面B上(例如,直接)形成不平结构,由透光衬底210与第一导电半导体层230a之间的界面的晶体常数的差异所导致的应力可减小。也就是说,不平结构在透射衬底210与发光结构230之间。例如,在这样一种情况下,其中在蓝宝石衬底上(例如,直接)生长基于氮化物的III族半导体层,蓝宝石衬底与基于氮化物的III族化合物半导体层之间的晶格常数的差异会导致位错缺陷。位错缺陷会从衬底朝着半导体层蔓延,从而导致半导体层晶体的质量劣化。因此,在示例实施例中,由于在透光衬底210上(例如,直接)设置包括凸出部分的不平结构,因此第一导电半导体层230a(例如,直接)生长在凸出部分的侧部上,从而防止位错缺陷从透光衬底210蔓延至第一导电半导体层230a。因此,可提供高质量发光二极管封装件,从而增大内量子效率。另外,由于不平结构可导致通过有源层230b发射的光的路径改变,因此可减少在半导体层内吸收的光的比率,并且可增大光散射率从而可提高光提取效率。透光衬底210的厚度tc可为约100μm或更小,例如,约1μm至约20μm,但不限于此。可通过将用于半导体生长的生长衬底抛光来获得厚度范围。详细地说,可通过磨削第二表面C或者通过研磨的方法来抛光生长衬底,在研磨的方法中,通过磨耗的功能并利用研磨机和研磨粉等的磨削来抛光生长衬底。可在透光衬底210与发光结构230之间布置缓冲层220。举例而言,如果在透光衬底210上(例如,直接)生长本文档来自技高网...
电路板和使用该电路板的半导体发光器件封装件

【技术保护点】
一种半导体发光器件封装件,包括:包括多个电极的半导体发光器件;电路板,其包括安装区,半导体发光器件位于电路板的安装区上;以及电路板上的多个电极焊盘,所述多个电极焊盘分别电连接至所述多个电极,其中,所述多个电极焊盘中的每一个包括第一区和第二区,第一区与安装区重叠,并且第二区是除第一区以外的区,并且其中,所述多个电极焊盘按照围绕安装区的枢轴点旋转对称的形状排列。

【技术特征摘要】
2015.12.16 KR 10-2015-01799061.一种半导体发光器件封装件,包括:包括多个电极的半导体发光器件;电路板,其包括安装区,半导体发光器件位于电路板的安装区上;以及电路板上的多个电极焊盘,所述多个电极焊盘分别电连接至所述多个电极,其中,所述多个电极焊盘中的每一个包括第一区和第二区,第一区与安装区重叠,并且第二区是除第一区以外的区,并且其中,所述多个电极焊盘按照围绕安装区的枢轴点旋转对称的形状排列。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件,其中,所述多个电极焊盘中的每一个的第一区在电路板的其上安装有半导体发光器件的区中,并且所述多个电极焊盘中的每一个的第二区在电路板的边缘区中。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件,其中,所述多个电极焊盘中的每一个具有相同形状。4.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件,其中,所述多个电极焊盘中的每一个的第一区中的材料的组成与所述多个电极焊盘中的每一个的第二区中的材料的组成不同。5.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件,其中,所述多个电极焊盘中的每一个的第二区的反射率等级大于所述多个电极焊盘中的每一个的第一区的反射率等级。6.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件,还包括半导体发光器件与所述多个电极焊盘中的每一个的第一区之间的键合材料和倒装芯片结构。7.根据权利要求6所述的半导体发光器件封装件,其中,键合材料包括与所述多个电极焊盘中的每一个的第一区中的材料具有相同组成的材料。8.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件,其中,所述多个电极焊盘在物理上彼此分离以电绝缘。9.根据权利要求8所述的半导体发光器件封装件,其中,所述多个电极焊盘通过绝缘反射层电绝缘。10.根据权利要求9所述的半导体发光器件封装件,其中,绝缘反射层包括TiO2、SiO2、SiN、Si3N4、Al2O3、TiN、AlN、ZrO2、T...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋钟燮
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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