The present invention provides a III group nitride semiconductor light emitting device for improving light extraction efficiency in a light emitting device having a white light, and a method for manufacturing the same. The light emitting device (1) comprises a substrate (110), transparent conductive oxide semiconductor layer on the substrate, the semiconductor layer (TE1), covering the semiconductor layer and the transparent conductive oxide of at least a portion of the dielectric film (F1) and dielectric film (F1) phosphor on resin (200). The refractive index of transparent conductive oxide is larger than that of phosphor resin. The refractive index of the phosphor resin is greater than that of the dielectric film (F1). The light emitting device has a phosphor resin in the opening (W1) in direct contact with the transparent conductive oxide on a first region configuration (R1) and dielectric film (F1) configuration in transparent conductive oxide and phosphor resin configured on the dielectric film (F1) on the second area.
【技术实现步骤摘要】
III族氮化物半导体发光装置及其制造方法
本说明书的
涉及III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。
技术介绍
III族氮化物半导体发光装置具有通过电子和空穴复合而发光的发光层、n型半导体层以及p型半导体层。如此在发光层产生光。但是,所产生的光未必会被提取到III族氮化物半导体发光装置的外部。因为其会被III族氮化物半导体发光装置的各部吸收、由III族氮化物半导体发光装置的各部反射。因此,开发出用于从III族氮化物半导体发光装置适当地提取光的技术。例如,专利文献1公开了具有形成有光提取元件LEE的图案的透明电极层29的发光二极管(参见专利文献1的段落[0039]和图2a)。其中记载了光提取元件使光散射或者反射,由此来促进光的放射(参见专利文献1的段落[0039])。专利文献:日本特开2013-533644号公报如此,即使提高了半导体发光元件内部的光提取效率,也存在当光从半导体发光元件射入荧光体树脂时被荧光体树脂反射的情况。这样的发光装置相应地光提取效率低。
技术实现思路
本说明书的技术是为了解决上述的现有技术所具有的问题点而提出的。即其课题在于提供用于在发出白色光的发光装置中提高光提取效率的III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。第一方式的III族氮化物半导体发光装置是发出白色光的III族氮化物半导体发光装置。该III族氮化物半导体发光装置具有:基板;上述基板上的半导体层;上述半导体层上的透明导电氧化物;覆盖上述半导体层和上述透明导电氧化物的至少一部分的介电膜;以及上述介电膜上的荧光体树脂,上述透明导电氧化物的折射率大于上述荧光体树脂的折射率,上述荧光 ...
【技术保护点】
一种III族氮化物半导体发光装置,发出白色光,该III族氮化物半导体发光装置的特征在于,具有:基板;上述基板上的半导体层;上述半导体层上的透明导电氧化物;覆盖上述半导体层和上述透明导电氧化物的至少一部分的介电膜;以及上述介电膜上的荧光体树脂,上述透明导电氧化物的折射率大于上述荧光体树脂的折射率,上述荧光体树脂的折射率大于上述介电膜的折射率,上述介电膜具有使上述透明导电氧化物的一部分露出的开口部,上述III族氮化物半导体发光装置具有:上述荧光体树脂在上述开口部直接接触上述透明导电氧化物上而配置的第一区域;和上述介电膜被配置在上述透明导电氧化物上且上述荧光体树脂被配置在上述介电膜上的第二区域。
【技术特征摘要】
2015.09.09 JP 2015-1772541.一种III族氮化物半导体发光装置,发出白色光,该III族氮化物半导体发光装置的特征在于,具有:基板;上述基板上的半导体层;上述半导体层上的透明导电氧化物;覆盖上述半导体层和上述透明导电氧化物的至少一部分的介电膜;以及上述介电膜上的荧光体树脂,上述透明导电氧化物的折射率大于上述荧光体树脂的折射率,上述荧光体树脂的折射率大于上述介电膜的折射率,上述介电膜具有使上述透明导电氧化物的一部分露出的开口部,上述III族氮化物半导体发光装置具有:上述荧光体树脂在上述开口部直接接触上述透明导电氧化物上而配置的第一区域;和上述介电膜被配置在上述透明导电氧化物上且上述荧光体树脂被配置在上述介电膜上的第二区域。2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光装置,其特征在于,具有在上述透明导电氧化物上形成的p接触电极和p布线电极,上述p接触电极和上述p布线电极被上述介电膜覆盖,上述介电膜的从上述p接触电极的端部到上述开口部的距离大于从上述透明导电氧化物起的上述p布线电极的高度。3.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光装置,其特征在于,具有在上述...
【专利技术属性】
技术研发人员:户谷真悟,五所野尾浩一,
申请(专利权)人:丰田合成株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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