缺陷识别系统技术方案

本发明专利技术描述了缺陷识别系统和缺陷识别方法。该方法包括检测晶片以产生缺陷映射表并且使用缺陷映射表定位晶片上的至少一个缺陷；测量从所述缺陷其中之一反射的光的至少一个光组成；比较从所述缺陷反射的光测量的所述至少一个光组成及所述缺陷的相应光组成的特性曲线；以及根据比较估计缺陷的发生时间。

Defect identification system

The invention describes a defect identification system and a defect identification method. The method includes detecting chip to produce a defect map and use defect map at least one defect location on the wafer; measurement from the defect of one of the light reflected by the at least one of the optical components; the corresponding characteristic curve of light from the defect reflected light measurement of the at least one light group and the defects of the composition; and compare the estimated time according to the defect.

【技术实现步骤摘要】
缺陷识别系统
本专利技术实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及缺陷识别系统和缺陷识别方法。
技术介绍
在现代半导体器件的制造工艺中，操作各种材料和机器以创造最终产品。生产商一直致力于减小加工过程中的微粒污染以改进产品产率。由于半导体器件的复杂性的增大(例如，更多的层和工艺)以及更大的晶片的发展，进一步强化了对缺陷检测和控制的需求。通常在制造过程中通过使用晶片扫描仪实施对半成品的检测以便及时发现缺陷。晶片扫描仪可以侦测缺陷、分析缺陷以识别缺陷的类型并且定位晶片上的缺陷，从而帮助工作人员评估和纠正引起缺陷的制造工艺。然而，由于产品制造中有成百上千道工艺，因此引起缺陷的可能因素是可观的并且难以探查缺陷的来源。因此，对缺陷的评估高度依赖于人们的知识和专长并且花费了大量的时间和精力，但结果通常不令人满意。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种缺陷识别系统，包括：光源，被配置为将光投射在晶片上；检测组件，被配置为检测晶片以产生缺陷映射表，并且使用缺陷映射表来定位晶片上的至少一个缺陷；光分析组件，被配置为测量从所述至少一个缺陷中的一个缺陷处反射的光的至少一个光组成；以及处理组件，有效地连接检测组件和光分析组件，其中，处理组件被编程以将从所述缺陷反射的光测量的光组成与所述缺陷的相应光组成的特性曲线进行比较以估计缺陷的发生时间。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1是根据本专利技术的一些实施例所绘示的缺陷识别系统的示意图。图2是根据本专利技术的一些实施例所绘示的缺陷识别的方法的流程图。图3是根据本专利技术的一些实施例所绘示的亮度的特性曲线图。图4是根据本专利技术的一些实施例所绘示的缺陷识别方法的流程图。图5是根据本专利技术的一些实施例所绘示的色彩组成a*的特性曲线图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，以下描述中，在第二特征上方或者之上形成第一特征可以包括第一特征和第二特征直接接触形成的实施例，也可以包括在第一特征和第二特征之间可以形成额外的特征，从而使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实例。此外，本专利技术可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个组件或特征与另一个(或另一些)组件或特征的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语泛指装置在使用或操作中的不同方位。装置可能以其他方式定向，如旋转90度或在其他方位上，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。在半导体产品的制造中，通过使用光源(例如，激光)扫描晶片的表面以对晶片实施检测，并测量从表面反射的光以侦测潜在的缺陷。在本专利技术中，上述反射的光进一步导向用于测量反射光的光组成的光谱分析仪。由于反射光的光组成会随时间递减，光组成的特性曲线可藉由收集在不同时期实施的光组成测量值而预先取得，并用以作为与目前测量值比较的参考。基于比较结果，可估计缺陷发生的大概时间，且可进一步判定造成此缺陷的制造工艺。鉴于上述，本专利技术提供了缺陷识别系统。在一些实施例中，缺陷识别系统包括光源、检测组件、光分析组件和处理组件。该光源被配置为向晶片投射光。检测组件被配置为检测晶片以产生缺陷映射表并使用缺陷映射表定位晶片上的至少一个缺陷。光分析组件被配置为测量从所述至少一个缺陷中的一个缺陷处反射的光的至少一个光组成。处理组件有效地连接至检测组件和光分析组件，其中，处理组件被编程以将从所述缺陷反射的光测量的光组成与所述缺陷的相应光组成的特性曲线进行比较以估计缺陷的发生时间。图1是根据本专利技术的一些实施例所绘示的缺陷识别系统的示意图。在一些实施例中，缺陷识别系统10包括光源102、检测组件104、光分析组件106、处理组件108和光学组件110、112、114、116、118和120。在一些实施例中，光源102是激光或其他可产生不同波长的光的光发生器。光源102向晶片12发射光，从而使得从晶片12反射的光可以由检测组件104和光分析组件106侦测以用于随后的检测和分析。在一些实施例中，检测组件104包括光电倍增侦测器或其它感光组件，诸如电荷耦合器件(CCD)、背照式(BSI)传感器或互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器，用于侦测从晶片12反射的光以检测晶片12上的缺陷。在一些实施例中，光分析组件106是可侦测从晶片12反射的光、分析所侦测的光的光谱并基于所分析光谱测量反射光的光组成的光谱分析仪。在一些实施例中，光分析组件106根据所分析的光谱进一步计算了反射光的光组成。在一些实施例中，所计算的光组成包括Lab色彩空间中的亮度L*、色彩组成a*或色彩组成b*或它们的组合。在一些实施例中，处理组件108是单核或多核的中央处理单元(CPU)或任何其它可编程的通用或专用微处理器、数字信号处理器(DSP)、可编程控制器、专用集成电路(ASIC)、可编程逻辑器件(PLD)、其它类似的器件或这些器件的组合。处理组件108有效地连接至检测组件104和光分析组件106。在一些实施例中，处理组件108被配置为访问和执行记录在计算机可读存储介质(未示出)中的程序，以根据本专利技术的一些实施例来实现缺陷识别方法。如图1所示，光源102产生了离散波长的偏振光。该光穿过隔离光束的滤镜110。滤镜110还可以包括扩大光束并且将光束聚焦在针孔光圈上的光学器件。选择针孔光圈的直径以使光束较易对准。具有所选波长的光从滤镜110穿过直至分束器112，该分束器112反射适当的偏振光并且将光导向物镜114。物镜114将光缩小并且投射在晶片12上。该光聚焦在物镜114的焦平面上。根据共焦成像原理，照射在晶片12上的光会被散射，其中一部分的光反射回物镜114，并且通过上述的光路返回。返回的光穿过分束器112和116而到达具有针孔光圈的滤镜118。穿过光圈的光在检测组件104上成像，检测组件104产生晶片12的缺陷映射表。检测组件104进一步使用缺陷映射表来定位晶片12上的缺陷。另一方面，在返回的光穿过分束器116的同时，一部分的光被导向具有针孔光圈的滤镜120。穿过光圈的光由光分析组件106侦测，之后光分析组件106测量反射光的光组成。经过检测组件104和光分析组件106处理的数据会传送至处理组件108以用于进一步处理。在一些实施例中，缺陷识别系统10适用于实现缺陷识别的方法。具体地，图2是根据本专利技术的一些实施例所绘示的缺陷识别方法的流程图。在步骤202中，检测组件104检测晶片12以产生缺陷映射表，并且使用缺陷映射表定位晶片12上的缺陷。在一些实施例中，检测组件104逐行(bylines)扫描晶片12以产生可代表从晶片12的行反射的光的行数据(dataoflines)，将由行数据形成的样本图像的多个特征与参考图像的多个相应特征比较，并且根据比较结果，将样本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缺陷识别系统，其特征在于包括：光源，被配置为将光投射在晶片上；检测组件，被配置为检测所述晶片以产生缺陷映射表，并且使用所述缺陷映射表来定位所述晶片上的至少一个缺陷；光分析组件，被配置为测量从所述至少一个缺陷中的一个缺陷处反射的光的至少一个光组成；以及处理组件，有效地连接至所述检测组件和所述光分析组件，其中，所述处理组件被编程以将从所述缺陷反射的光测量的所述至少一个光组成与所述缺陷的相应光组成的特性曲线进行比较，并根据比较结果估计所述缺陷的发生时间。

【技术特征摘要】
2015.10.20 US 14/887,3391.一种缺陷识别系统，其特征在于包括：光源，被配置为将光投射在晶片上；检测组件，被配置为检测所述晶片以产生缺陷映射表，并且使用所述缺陷映射表来定位所述晶片上的至少一个缺陷；光分析组件...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊荣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71